TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術，EconoDUAL 3模塊可提供業界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應用于風電、電機驅動和靜態無功發生器
2022-05-30 15:10:15
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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經擴充其短路額定IGBT產品組合，為電機驅動設計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關重要的三相電機驅動應用
2012-09-10 09:59:45880 英飛凌科技股份有限公司擴展其第叁代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產品，以因應市場對高可靠性的持續需求。
2012-10-24 09:14:361485 大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:348342 
針對工業驅動應用的技術需求，在最新一代模塊中，與IGBT7搭配使用的續流二極管（FWD），也已進行了優化。
2020-01-06 16:53:072172 相比前幾代產品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現對電機驅動應用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00986 半橋和共發射極模塊產品組合。模塊的最大電流規格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56898 
模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統
2023-12-05 17:03:491311 
? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
溝槽設計，該產品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產品組合包括三款新產品IM12B10CC1、IM12B15CC1和 IM12B20EC1，其電流規格從
2024-08-12 16:35:02998 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
G002”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開始量產內置功率半導體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產品陣容不斷擴大，并擁有達1200V、300A的產品，各產品在眾多領域中被廣為采用。隨著
2018-12-04 10:20:43
二極管本器件采用了最新的半導體技術［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足
2018-12-07 10:23:42
要確定主電路拓撲結構，這個和IGBT選型密切相關，額定工作電流、過載系數、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數，額定工作電壓、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數，引線方式
2022-05-10 10:06:52
對應很大的脈沖電流。驅動較長信號線纜的器件要注意使用緩沖電路。注意線纜阻抗匹配失調所可能導致的額外電流等等。本文的篇幅較長，主要的目的就是希望引起對IGBT驅動芯片額定輸出功率密度相對不足的重視。如果
2018-08-14 15:05:21
二極管方面已經做出了許多努力。這些新一代二極管的主要開發采用體晶圓、薄晶圓技術、n+背表面接觸、激光退火和多質子注入，均用于二極管制造［1-5］。本文介紹了具有不同額定電流的1700V軟恢復二極管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
我需要24V降壓15V 的降壓模塊，但是降壓模塊的額定電流 有什么用，根據什么選擇額定電流的大小；還有如果需要24V 的電源，但是如何選擇改用多大其額定電流希望前輩們指教！！！感謝
2022-02-19 17:12:32
。所有這些應用都需要具備更高功率密度的先進半導體系統。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅固性和長使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動條件下的堅固性和可靠性不僅是牽引應用關注的焦點，同時也
2018-12-03 13:49:12
而言。為滿足這種產品的各種要求，采用全套功率模塊常常是比較有利的。這可確保改善熱管理、降低寄生電感，并大幅提高整體性能。在這里，采用這種全新的器件，可顯著減少器件的數量。圖3的例子顯示了在功率模塊
2018-12-07 10:21:41
VF）和最先進的耐用性，提供了額外的自由度，通過較低的額定電流以較低的成本實現了高效率和可靠性，同時降低了工作溫度并延長了應用壽命。它們確保與每個需要極高功率密度和效率的開關模式轉換器和逆變器完美匹配
2020-06-30 16:26:30
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆變器控制所需的 PWM 信號。主要特色 三相逆變器系統具有：額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊。（支持多家供應商）7 個增強型隔離式
2018-12-27 11:41:40
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(圖3 c)。針對焊機產品的1200V系列正是采用了這一最新技術。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
的概念。例如：功率電感器的額定電流有兩種，它們之間存在這怎樣的差異呢？ 想了解它們之間的差異，首先就得了解存在兩種額定電流的原因。功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"
2017-06-10 10:15:58
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
℃下的功率循環能力3 IHM B模塊的新型引出端設計由于新型芯片技術使得電流密度不斷增加，現有的模塊必須要能容納標稱電流值高達3600A的1200V和1700V芯片。3.1 IHM A模塊的缺陷與局限
2018-12-03 13:51:29
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉換設備而言，并聯 IGBT 變得很有必要，因為在這類應用中，單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
快，效率高，具有卓越的熱性能和系統可靠性，總面積為700mm2，輸出功率為48W。輸入電壓為60V，輸出電壓為1V，電流50A，開關頻率600kHz時，48V的效率為88%，如圖3所示。模塊效率峰值為91
2019-07-29 04:45:02
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續改進和優化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
封裝中容納更多的硅，從而實現比分立QFN器件更高的功率密度。這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強型DualCool?封裝。因此，盡管仍存在一些情況，即電動工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來
2017-08-21 14:21:03
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環氧樹脂灌封技術。所有這些都導致： 優化內部低雜散電感和電弧鍵合?結構，顯著提升動態開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
` 功率電感選型關鍵因素-額定電流？在實際的電源設計中，功率電感的選擇尤為關鍵。在DC-DC轉換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過選擇恰當的電感器，能夠獲得較高的轉換效率。在選擇電感器時所
2019-07-06 16:10:32
時間內（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類拔萃的開關性能和短路魯棒性。結論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發出專用于大電流應用的逆變器設計，以部署
2018-12-07 10:16:11
_E 400A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?鹽城高價回收收購英飛凌IGBT模塊FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收購
2021-09-17 19:23:57
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的
2023-02-07 14:38:49
（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范
2023-02-24 14:45:08
附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可
2023-02-24 15:28:34
40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。 產品特點 ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
電感的額定電流額定電流是指能保證電路正常工作的工作電流。有一些電感線圈在電路工作時，工作電流較大，如高頻扼流圈、大功率諧振線圈以及電源濾
2009-08-22 14:32:355949 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統的頻率變換器,光伏電壓系統的中央逆變器,汽車柴油發動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049176 系列（1200V，600A）可為設計師提供顯著更高的額定電流，能夠依托現代IGBT技術可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。
2016-10-25 16:29:153345 IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。
2018-06-04 08:31:002707 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反
2018-05-18 09:04:002436 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業電機驅動應用進行芯片優化，實現更高功率密度與更優的開關特性。
2018-06-21 10:10:4413292 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計，可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
英飛凌日前利用采用先進中性點鉗位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓撲結構，將混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V。該
2019-09-14 10:56:005286 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394967 。 IGBT7 T7主要針對工業電機驅動應用、PFC和PV/UPS應用。 特 性 低Vce(sat) 1.35V EMI性能增強 耐濕性得到改善 650V擊穿電壓和3us短路能力 IGBT飽和壓降低
2020-10-22 09:33:304118 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高
2021-03-01 12:16:023163 該IPM封裝為DIP 36x23D。這使得它成為最小的1200V IPM封裝，在同類產品中具有最高的功率密度和最佳性能。
2021-06-30 11:03:562491 IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。 伺服驅動系統響應速度快，過載倍數高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫
2021-10-26 15:41:193924 
電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。 新模塊在安裝方式上與廣泛
2022-02-01 20:22:025818 本文將介紹實現更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術創新、電路設計技術優化、熱優化封裝研發
2022-12-22 11:59:591604 
英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設計靈活性上也絲毫不妥協 我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于
2023-02-16 16:30:582132 提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產品系列產品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:582171 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:071468 /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機等
2023-05-31 16:51:272456 、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:534679 
封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:101725 采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:062055 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續流產品的優點。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7
2023-12-11 17:31:131209 的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:501483 
短時額定電流和長時額定電流的區別有哪些？ 短時額定電流和長時額定電流是兩種與電流相關的術語，用來描述電器或電氣設備能夠承受的最大電流負載。它們在定義、應用和重要性等方面存在一些區別。在本文中，我將
2024-01-30 16:51:592727 隔離開關的額定電流。 電氣設備的額定電流：隔離開關用于控制電氣設備的通斷，因此需要根據電氣設備的額定電流來選擇隔離開關的額定電流。一般情況下，隔離開關的額定電流應大于或等于電氣設備的額定電流，以確保開關能夠
2024-02-05 15:25:059106 IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。H7
2024-02-23 08:13:151162 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:271349 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術，通過優化元胞結構，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:541110 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 ）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700VIGBT7技術開發
2024-03-26 08:13:042257 合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700V IGBT7技術開發了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產品。本文首先分析
2024-05-31 15:22:381195 
的基于英飛凌IGBT7技術的新一代高功率密度2MW儲能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
2024-06-14 08:14:242480 
，對于保證電氣設備的安全運行具有重要意義。 額定電流的計算方法 額定電流的計算方法通常有兩種：一種是根據設備的額定功率和額定電壓計算，另一種是根據設備的熱容量和允許溫升計算。 （1）根據額定功率和額定電壓計算 額定
2024-07-10 14:35:4211369 第七代工業IGBT模塊已成功開發用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技術在熱循環能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻
2024-08-01 10:58:011504 
的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產品型號：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計，該產品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產品組合包
2024-08-14 08:14:45958 Emcon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計芯片，該產品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產品組合包括從10A，15A和20A三種新
2024-10-09 08:04:051202 新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800A的額定電流，是傳統1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192864 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7
2024-12-04 01:04:011916 ，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且
2025-01-15 18:05:212265 新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3產品系列拓展英飛凌在此發布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列產品拓展，帶焊接針和帶預涂導熱材料版本(TIM)。產品
2025-04-09 17:06:26780 新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805 新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091507 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進IGBT7技術，提供1200V和1700V兩種電壓等級的六款產品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場對緊湊、經濟高效且簡化的電源轉換器解決方案的日益增長需求。
2025-09-17 15:45:45914 11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導體
2025-11-26 09:32:50572 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域，柵極驅動器是驅動功率半導體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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