英飛凌科技股份有限公司擴展其第叁代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產品，以因應市場對高可靠性的持續需求。

　　英飛凌擁有備受市場肯定，極適合電磁爐應用的諧振切換 IGBT 技術。第叁代的 IGBT 經最佳化，切換損失和導通損失更低，提供1100V、1200V和1350V中業界最佳的效率。

　　相較于第二代 RC IGBT，英飛凌新一代產品能減少 20% 的切換損失，在應用測試期間將箱體溫度降低 5度。切換損耗降低，進而能夠減少裝置熱應力、延長產品使用壽命并提高可靠性。軟切換操作所帶來的高效率、優異的散熱效能和 EMI 特性，使其成為市場上最適合用于電磁爐、太陽能和其他諧振切換應用的 IGBT 產品。

　　產品系列加入 1350V 的 30A 和 40A 型產品，讓設計人員擁有更高崩潰電壓和電流耐受能力的元件可運用，于單端拓樸架構電路下開發出更高額定功率的設計，例如最高可達到 3.6kW 的產品。

　　此外，1350V 崩潰電壓的 30A 和 40A 型產品也能在突波狀況下擴大安全操作區域 （SOA） 并提高過電流額定值，讓設計人員設計出更堅固可靠的產品。

　　英飛凌科技 IGBT分離式功率元件行銷協理 Roland Stele 表示：「第叁代產品因應電源開關特定應用的需求日益攀升，提供最佳的價格性能比，滿足目標應用的特殊需求。全新第叁代 RC IGBT 擴展了產品系列，為更高的系統效率、更優異的可靠性和更高的功率密度開創新趨勢。除了擁有優異效能，同時也變得更加堅固耐用。」

　　產品系列完整涵蓋 1200V 和 1350V 的 15/20/30/40A 產品，可讓設計人員針對自己的特殊應用，選出擁有業界最佳效率和最完善功能的 IGBT 產品。設計彈性化，加上擁有最佳效能，進而能夠簡化開發流程，縮短開發時間。

　　所有的第叁代逆導 IGBT 產品均能在高達 175°C 的接面溫度下操作。15A 1200V 裝置和 40A 1350V 裝置的飽和電壓 VCE（sat） 值範圍從 1.80V 至 2.10V（在 Tj=175°C 條件下）。低關閉軟切換損失可確保維持高效率運作。在 dv/dt=150.0V/μs 和 Tj=175°C 條件下，15A 1200V IGBT 裝置之切換損失為 0.15mJ，40A 1350V 裝置則為 1.07mJ。

　　第叁代逆導 IGBT 產品系列提供 15A、20A、30A 和 40A 電流規格以及 1200V 和 1350V 崩潰電壓，另外也有 30A 1100V產品。產品即將進行量產。