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1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7

8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列

產(chǎn)品型號(hào)：

IGQ120N120S7

IGQ100N120S7

IGQ75N120S7

IKQ120N120CS7

IKQ75N120CS7

IKZA40N120CS7

8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封裝分立器件，配EC7續(xù)流二極管。它具有低飽和壓降VCEsat，以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)應(yīng)用中非常低的導(dǎo)通損耗。

續(xù)流二極管EC7是特性非常軟的二極管，有助于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)整體的低總損耗。

產(chǎn)品特點(diǎn)

非常低飽和壓降VCEsat=2V (VGE=15V,Ic nom, Tvj=175?C)

良好的可控性

軟特性優(yōu)化的全額定電流的續(xù)流二極管

對(duì)惡劣條件魯棒性和HV-H3TRB

短路時(shí)間為8μs

非常窄的參數(shù)分布

最大工作Tj為175°C

特性圖

動(dòng)態(tài)特性和靜態(tài)特性

應(yīng)用價(jià)值

IGBT的損耗最低，系統(tǒng)效率高，可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出

更高的功率密度，無(wú)需重新設(shè)計(jì)散熱器

可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列

在惡劣的工作條件下，器件可靠性高

易于設(shè)計(jì)以滿足EMI要求高可靠性和耐久性

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的最佳芯片技術(shù)和產(chǎn)品

總損耗較低產(chǎn)品，從8A到120A的額定電流

生產(chǎn)中非常窄的參數(shù)分布，以保證英飛凌的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)

抗?jié)穸葓?jiān)固性

英飛凌是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，擁有世界一流的前道和后道能力

世界級(jí)的生產(chǎn)、質(zhì)量和業(yè)務(wù)連續(xù)性支持