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電子發燒友網>模擬技術>今日看點:“玲龍一號”全球首堆冷試成功;三星電子發布HBM4E研發規劃

今日看點:“玲龍一號”全球首堆冷試成功;三星電子發布HBM4E研發規劃

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SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市

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2024-05-15 11:32:131306

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注

業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201721

三星HBM3E尚無法通過英偉達認證

三星電子近期正積極投入驗證工作,以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而,業界傳出消息,因臺積電在采用標準上存在的某些問題,導致8層HBM3E產品目前仍需要進步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13795

三星HBM芯片遇阻英偉達測試

近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:01958

三星電子否認HBM產品未達標,多家合作公司保證質量

針對媒體報道三星電子高帶寬存儲(HBM)產品未達英偉達品質標準的傳聞,三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星HBM產品尚未經過英偉達嚴謹的測試環節。
2024-05-27 09:51:14682

三星電子HBM芯片供貨測試正順利開展

三星電子近日宣布,其高帶寬內存(HBM)產品正在與全球多家合作伙伴進行順利的供應測試。這進展標志著三星在半導體領域的持續努力與投入取得了積極成果。
2024-05-27 10:42:20977

三星HBM研發受挫,英偉達測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?

據DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭,但在英偉達主導的HBM市場,三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211157

英偉達否認三星HBM未通過測試

英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM(高帶寬內存)的傳聞進行了澄清。他明確表示,英偉達仍在認證三星提供的HBM內存,并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:53969

三星電子突破瓶頸,HBM3e內存芯片獲英偉達質量認證

在科技界的密切關注下,三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道,三星電子成功通過英偉達的HBM3e(高帶寬內存)質量測試,標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:56966

三星電子HBM3E測試傳聞引發熱議,緊急澄清市場誤解

在科技界與金融市場的交匯點,則關于三星電子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通過英偉達嚴格質量測試的消息于7月4日悄然傳開,瞬間點燃了業界內外對于高性能存儲技術未來
2024-07-04 16:22:511027

三星HBM3E質量認證進展:官方否認,測試仍在進行

近日,韓國媒體的則報道引發了業界廣泛關注,稱三星電子的新代高帶寬內存HBM3E已經順利通過了GPU巨頭英偉達(NVIDIA)的質量認證,即Qualtest PRA(產品準備批準),并預示著該產品
2024-07-05 10:37:031021

三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞

近期,有媒體報道稱三星電子成功通過英偉達(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內存)質量測試,并預計很快將啟動量產流程,以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而,這消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
2024-07-05 15:08:181139

三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試

韓國新聞源NewDaily近日發布則報道,聲稱三星電子HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試,預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進行了否認,表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581158

三星電子重組架構,加速HBM技術創新

在半導體技術日新月異的今天,三星電子再次展現了其作為行業領導者的前瞻視野與戰略布局。據韓國媒體最新報道,三星電子已正式啟動了組織重組計劃,旨在通過整合與優化資源,構建個全新的高帶寬內存(HBM)開發團隊。此舉標志著三星電子在加速推進HBM技術領域創新與突破的堅定決心。
2024-07-08 11:54:06912

三星HBM3e獲英偉達認證,加速DRAM產能轉型

近日,三星電子在半導體領域再傳捷報,其高頻寬內存(HBM)產品HBM3e成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達(NVIDIA)的嚴格認證,標志著該產品即將進入規模化生產階段,預計在本季度內正式向
2024-07-18 09:36:591254

今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先進芯片今年量產

1. 三星HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:111276

三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37915

三星電子HBM3E芯片測試進展引發市場關注

8月7日,市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關注。然而,三星電子對此事態的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示:“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26836

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021033

三星電子加速推進HBM4研發,預計明年底量產

三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現12層HBM4產品的量產做足準備。
2024-08-22 17:19:071244

三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內存(新代高帶寬內存產品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:561332

TrendForce:三星HBM3E內存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊,據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露,三星電子成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產品主要面向英偉達H200系列應用。同時,三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作,預示著更先進技術的穩步前行。
2024-09-04 15:57:091520

三星電子HBM3E內存獲英偉達認證,加速AI GPU市場布局

近日,知名市場研究機構TrendForce在最新發布的報告中宣布了項重要進展:三星電子HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星HBM3E 8Hi版本已被確認
2024-09-05 17:15:281289

三星預測HBM需求至2025年翻倍增長

三星電子近期發布預測,指出全球HBM(高帶寬內存)需求正迎來爆發式增長。據三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預測的120億GB實現翻番,這主要得益于人工智能技術的迅猛發展對高性能內存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:29901

三星電子調整HBM內存產能規劃,應對英偉達供應延遲

近日,三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲,對其HBM內存的產能規劃進行了調整。據韓媒報道,三星已將2025年底的產能預估下調至每月17萬片晶圓,這調整反映了半導體行業當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121274

三星電子HBM3E商業化遇阻,或重新設計1a DRAM電路

近日,業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息,據稱這狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產供應的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101117

三星電子或向英偉達供應先進HBM

領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據悉,SK海力士已經開始量產業界領先的12層HBM3E芯片。這消息無疑加劇了HBM市場的競爭態勢。 然而,對于三星電子來說,向英偉達供應HBM不僅是個重要的商業機會,更是展示其技術實力和
2024-11-04 10:39:39671

美光發布HBM4HBM4E項目新進展

近日,據報道,全球知名半導體公司美光科技發布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高帶寬內存)和HBM4E項目的最新研發進展。 據悉,美光科技的下HBM4內存將采用
2024-12-23 14:20:391165

三星電子將供應改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發展動態。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第季度實現大規模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上HBM3相比,HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:00915

三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應

近期,三星電子設備解決方案(DS)部門負責人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達公司CEO黃仁勛,在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達總部舉行了次重要會議。此次會議聚焦于三星電子改進
2025-02-18 11:00:38788

突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導入混合鍵合技術

成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業的領軍企業,直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術,這舉措無疑將在存儲芯片領域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術背景:HBM 發展的必然趨
2025-07-24 17:31:16374

HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!

有消息說提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4的量產時間在2026年。英偉達、AMD等處理器大廠都規劃HBM4與自家GPU結合的產品,HBM4將成為未來AI、HPC、數據中心等高性能應用至關重要的芯片。 行業標準制定中 近日,JEDEC固態技術協會發布的新聞稿表示,
2024-07-28 00:58:136335

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