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電子發燒友網>汽車電子>AOS推出采用 TOLL 封裝技術的80V 和 100V 車規級MOSFET

AOS推出采用 TOLL 封裝技術的80V 和 100V 車規級MOSFET

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2023-02-09 21:54:470

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,11.7mOhmN溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:001

內置耐壓高達80VMOSFET的DC/DC轉換器用IC BD9G341AEFJ介紹

ROHM推出內置耐壓高達80VMOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平,在ROHM的DC/DC轉換器產品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:061338

80V耐壓DC/DC轉換器IC的定位與市場

ROHM推出內置耐壓高達80VMOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平,在ROHM的DC/DC轉換器產品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:061756

采用 LFPAK56 的 NextPower 80V,4.5mOhmN溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF

采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80V,3.5mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF
2023-02-15 19:43:380

內置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC BD9G341AEFJ介紹

ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”,是內置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業界頂級水平,在ROHM的目前產品陣容中,也是耐壓最高的DC/DC轉換器IC。
2023-02-17 12:06:401958

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

N 溝道 80V,4.3 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220-PSMN4R3-80PS

N 溝道 80 V、4.3 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220-PSMN4R3-80PS
2023-02-22 18:46:220

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520

N 溝道 80V,17 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220-PSMN017-80PS

N 溝道 80 V、17 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220-PSMN017-80PS
2023-02-22 19:04:010

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570

英諾賽科100V GaN再添新品,采用FCQFN封裝

英諾賽科(Innoscience)一直致力于推動GaN技術的發展,從而推動新一代電力電子設備的快速普及。2023年8月,英諾賽科推出了一款100V的GaN新品,采用FCQFN封裝,再次彰顯了其在GaN領域的領導地位。
2023-08-14 15:07:062681

TOLL封裝MOSFET系列

產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:342882

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101認證后,近日,國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851

功率模塊封裝的現狀,SiC MOSFET對器件封裝技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝技術需求 2、功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610

Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產品介紹

Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富,提供優異的散熱,極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002172

AOS80V100VTOLL封裝MOSFET

應用的80V100V MOSFET,這兩款器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件,尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:491339

英諾賽科發布100VGaN推進汽車激光雷達市場

英諾賽科宣布推出100V氮化鎵器件INN100W135A-Q,該器件已通過AEC-Q101 認證,適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統應用中的激光雷達、高功率密度DC-DC變換器、D類音頻。
2023-12-29 16:00:341856

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝AOS 產品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET

近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021363

瞻芯電子推出一款1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一款1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝
2024-05-07 15:08:071440

東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產品

東芝近日發布了兩款專為車載環境設計的N溝道功率MOSFET產品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝,使得導通電阻達到極低水平,極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114

強茂推出最新的60V100V和150VMOSFET

強茂推出最新的60V100V和150VMOSFET,此系列專為汽車和工業電力系統設計提供優異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165

圣邦微電子推出 -4V80V、高 PWM 抑制的雙向超精密電流放大器 SGM840xQ

圣邦微電子推出 SGM840xQ,一款 -4V80V、高 PWM 抑制的雙向超精密電流放大器。 該器件可應用于汽車、電機控制、電磁閥和閥門控制、電源管理、執行器控制壓力調節器和電信設備
2024-11-28 09:19:101328

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計,以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38958

PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:37:380

PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:17:400

新品 | 100V耐壓360A電流 MOSFET 高效能 小體積TOLL封裝——開啟電源管理新紀元

「KM10360N-TOL」。以1.2mΩ超低內阻、100V耐壓和極致散熱性能,還采用了先進的TOLL封裝技術,重新定義小型化電源方案的新邊界!01產品參數:精準匹配高性能需求這些
2025-02-27 12:02:084597

英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板:技術解析與應用前景

英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板:技術解析與應用前景 在現代電力電子領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是不可或缺的關鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03235

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