国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

陸芯:IGBT模塊 LGM100HF120S2F1A 1200V 100A 半橋 用于工業(yè)變頻 儲(chǔ)能 焊機(jī)等

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-05-24 17:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中壓SGT MOS等多個(gè)系列產(chǎn)品;性能優(yōu)異,可靠性和穩(wěn)定性高,廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。

上海陸芯的產(chǎn)品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、單管和模塊,具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì):

1.優(yōu)化耐壓終端環(huán),實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓,達(dá)到工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn);

2.控制少子壽命,優(yōu)化飽和壓降和開(kāi)關(guān)速度,實(shí)現(xiàn)安全工作區(qū)(SOA)和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能最優(yōu);

3.改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計(jì)可靠性,抑制IGBT的閂鎖效應(yīng);

4.調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝;實(shí)現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。

fb9211c0-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

fbba0d24-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

IGBT模塊Module


LGM100HF120S2F1A 1200V 100A 半橋

用于:工業(yè)變頻儲(chǔ)能 焊機(jī)

fbf906d2-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

fc98cec4-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

fcd768a0-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

fd17eb8c-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

fd8734e2-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

fdbe3b0e-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

fded6d52-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

fe19ed3c-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

fe68d35c-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    263045
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于SiC模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)設(shè)計(jì)驗(yàn)證工程

    設(shè)計(jì)難點(diǎn)在于系統(tǒng)必須具備處理 100% 不平衡負(fù)載和中性線(N線)大電流的能力。 結(jié)合基本半導(dǎo)體 1200V/240A SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-27 21:16 ?73次閱讀
    基于SiC<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>的工商業(yè)<b class='flag-5'>儲(chǔ)</b>能變流器(PCS)設(shè)計(jì)驗(yàn)證工程

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET模塊Pcore2 ED3系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化
    的頭像 發(fā)表于 01-23 14:54 ?1267次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>工業(yè)</b>級(jí)碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>Pcore<b class='flag-5'>2</b> ED3系列介紹

    2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:30 ?1685次閱讀

    2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    產(chǎn)品——2ED1324S12P/2ED1323S12P 1200V柵極驅(qū)動(dòng)器,看看它們?cè)?b class='flag-5'>工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:15 ?1378次閱讀

    基于onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板的1200V SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估1200V M3S2
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:43 ?485次閱讀
    基于onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    Vishay 48V 100A eFuse 技術(shù)解析:革新電子保險(xiǎn)絲設(shè)計(jì)的參考方案

    止電流流經(jīng)電子保險(xiǎn)絲。這款48V 100A電子保險(xiǎn)絲的額定電流為100A,額定電壓為48V ~DC~ ,環(huán)境溫度范圍為-40°C至50°C。這款10
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:13 ?827次閱讀
    Vishay 48<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>100A</b> eFuse 技術(shù)解析:革新電子保險(xiǎn)絲設(shè)計(jì)的參考方案

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1212次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>工業(yè)</b>級(jí)碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>Pcore <b class='flag-5'>2</b>系列介紹

    XM3電源模塊系列CREE

    MOS175 °C80 x 53 x 19 mm汽車(chē) CAB525F12XM3新增功能XM1200 V525
    發(fā)表于 09-11 09:48

    新品 | 針對(duì)車(chē)載充電和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ,配備N(xiāo)TC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個(gè)模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A,配備
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?959次閱讀
    新品 | 針對(duì)車(chē)載充電和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?950次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>儲(chǔ)</b>能用<b class='flag-5'>1200V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC<b class='flag-5'>2</b> 三電平<b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?1509次閱讀
    新品 | EasyDUAL? <b class='flag-5'>1</b>B和<b class='flag-5'>2</b>B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

    新品1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:05 ?954次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>1200V</b> CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3<b class='flag-5'>模塊</b>

    派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

    派恩杰半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性!
    的頭像 發(fā)表于 03-24 10:11 ?4564次閱讀
    派恩杰半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1200V</b> 400<b class='flag-5'>A</b>系列<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>62mm封裝<b class='flag-5'>模塊</b> 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

    科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

    科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:17 ?1048次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技推出<b class='flag-5'>1200V40A</b> GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b>單管

    電子推出全新碳化硅功率模塊IV1B12009HA2L

    近日,瞻電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)功率模塊(IV
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:22 ?1393次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>電子推出全新碳化硅<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>IV<b class='flag-5'>1B12009HA2</b>L