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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED132xS12x系列

英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED132xS12x系列

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2024-01-08 08:13:501063

耐輻射12VGaN FET驅(qū)動(dòng)器 71441MM數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-01-14 11:06:450

輻射硬化12VGaN FET驅(qū)動(dòng)器 73041SEH數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-01-14 11:02:050

160VSOI驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V MOSFET評(píng)估套件

帶有額定電壓為160V2ED2748S01G(3x310引腳DFN封裝)柵極驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)12個(gè)額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071575

穩(wěn)健、緊湊型 100V 柵極驅(qū)動(dòng)器LM5108數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 13:57:230

淺析柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)電源芯片U5402的主要特點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源芯片U5402是一款650V耐壓的柵極驅(qū)動(dòng)器,具有0.3A拉電流和1A灌電流能力,專用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13:002195

新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展1200V的62mmCoolSiCMOSFET模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù),模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移
2024-06-26 08:14:271230

新品 | 650V高速柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F

新品650V高速柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速柵極驅(qū)動(dòng)器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)
2024-07-27 08:14:36869

新品 | EiceDRIVER? 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV(有效值)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV(有效值)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個(gè)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC系列,用于驅(qū)動(dòng)
2024-08-30 12:24:531525

英飛凌推出新款雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC

英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列,是一款專為驅(qū)動(dòng)Si MOSFET、IGBT及SiC MOSFET而設(shè)計(jì)的雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該系列以緊湊的14引腳DSO封裝形式呈現(xiàn),不僅節(jié)省空間,還確保了設(shè)計(jì)的靈活性。
2024-09-03 14:55:581475

采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

的EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器1ED3122MC12H。 ■? 產(chǎn)品型號(hào): REF-DR3KIMBGSIC2MA ■? 所用器件: SiC MOSFET: IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V 柵極驅(qū)動(dòng)
2024-10-29 17:41:42940

用于Wolfspeed 1200V SiC平臺(tái)的UCC217xx和ISO5x5xEVM用戶指南

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2024-11-09 14:15:360

英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全變壓驅(qū)動(dòng)器系列,適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)器電源

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全變壓驅(qū)動(dòng)器系列2
2024-12-10 01:00:521058

英飛凌推出EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全變壓驅(qū)動(dòng)器系列

英飛凌科技股份公司近日宣布推出全新的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全變壓驅(qū)動(dòng)器系列,該系列專為IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源設(shè)計(jì)。此次推出的2EP1xxR系列進(jìn)一步
2024-12-11 10:48:101062

新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器

樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V三相柵極驅(qū)動(dòng)器,帶過(guò)電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測(cè)和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號(hào)
2024-12-19 19:00:11922

PT5619柵極驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)

PT5619 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 柵極驅(qū)動(dòng)器,特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng). 特點(diǎn)·Feature //內(nèi)置死區(qū)時(shí)間 //內(nèi)置直通保護(hù)
2024-12-24 14:12:55734

新品 | EVAL-2ED3146MC12L – 帶輔助電源的6.5A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

新品EVAL-2ED3146MC12L–帶輔助電源的6.5A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板EVAL-2ED3146MC12L評(píng)估板用于評(píng)估功率電路中的2ED3146MC12L6.5A隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-03-05 17:07:431089

新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比,提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-03-18 17:04:16877

新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12H

新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有6.5A峰值灌電流和6A峰值拉電流能力,采用8引腳LDSO
2025-03-27 17:03:50880

新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板——SiC MOSFET電路

新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板——SiCMOSFET電路該評(píng)估板用于評(píng)估電路中的1ED314xMC12H隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該電路板包括兩個(gè)
2025-04-15 17:03:45950

新品 | 1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

新品1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感
2025-04-17 17:05:15805

HPD2606X 600V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè):高壓高速M(fèi)OSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要:HPD2606X是一款600V柵極驅(qū)動(dòng)器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門(mén)
2025-05-19 11:33:300

LM5109系列 100V / 1A 峰值柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131047

新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比,提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-05-21 17:07:11602

新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET產(chǎn)品

新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET產(chǎn)品,專為各種工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā),包括工業(yè)
2025-05-27 17:03:361257

Analog Devices Inc. LTC7068 150 V驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. LTC7068 150V驅(qū)動(dòng)器是一款雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)150V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714

Texas Instruments DRV816x智能柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments DRV816x智能柵極驅(qū)動(dòng)器是集成式100V器件,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器集成了一個(gè)雙向低側(cè)電流檢測(cè)放大器,用于向控制模數(shù)轉(zhuǎn)換
2025-07-10 15:20:12606

LM2005 107V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instrument LM2005柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成自舉二極管無(wú)需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-08-08 14:36:111002

LM2101 107V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instrument LM2101柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。SH 引腳上的 – 1V DC和–19.5V
2025-08-08 14:45:091002

德州儀器LM2104柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments LM2104柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

LM2103 107V驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LM2103驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動(dòng)器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。
2025-08-15 15:03:49915

LM2105柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LM2105柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無(wú)需使用外部分立式二極管,從而節(jié)省電路板空間并降低系統(tǒng)成本。
2025-08-21 09:35:57808

?UCC2773x-Q1 汽車(chē)級(jí)700V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC2773x-Q1 是一款 700V 柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 (LO) 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-10-10 14:58:35463

UCC27735 700V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC2773x 是一款 700V 柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,適用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 (LO) 和一個(gè)浮動(dòng)通道 (HO
2025-10-10 15:05:041378

?UCC27834 230V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該UCC278X4是一款 230V 柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源極電流、4A 灌電流,用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該器件由一個(gè)接地參考通道 (LO) 和一個(gè)浮動(dòng)通道 (HO) 組成,設(shè)計(jì)用于
2025-10-10 15:16:30450

新品 | CIPOS? Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

60mΩ和90mΩ,提供兩種新產(chǎn)品:IM12S60EA2和IM12S90EA2。該系列集成了6個(gè)CoolSiCMOSFET和一個(gè)優(yōu)化的1200V6通道SOI柵極驅(qū)
2025-10-13 18:06:05404

DRV8714-Q1智能柵極驅(qū)動(dòng)器概述

DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了4個(gè)(DRV8714-Q1)或8個(gè)(DRV8718-Q1)柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電源、電流分流放大器和保護(hù)監(jiān)視,從而降低了整個(gè)系統(tǒng)的復(fù)雜性、尺寸和成本。
2025-10-14 14:16:15593

DRV8718-Q1智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了 4 個(gè) (DRV8714-Q1) 或 8 個(gè) (DRV8718-Q1) 柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電源、電流分流放大器和保護(hù)監(jiān)視,可降低整體系統(tǒng)復(fù)雜性、尺寸和成本。
2025-10-14 15:26:54650

?STDRIVEG210柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STDRIVEG210柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)動(dòng)器具有大電流能力、短傳播延遲和出色的延遲匹配
2025-10-15 10:41:20441

?STDRIVEG211柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與設(shè)計(jì)指南

STMicroelectronics STDRIVEG211柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)動(dòng)器具有大電流能力、短傳播延遲和出色的延遲匹配
2025-10-15 10:46:11523

DRV8702D-Q1 汽車(chē)用 47V 智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

DRV870xD-Q1 器件是小型柵極驅(qū)動(dòng)器,使用兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,用于驅(qū)動(dòng)單向有刷直流電機(jī)或螺線管負(fù)載。 PWM接口允許與控制電路進(jìn)行簡(jiǎn)單的接口。內(nèi)部檢測(cè)放大器提供可調(diào)
2025-10-16 14:35:31471

DRV8703D-Q1 汽車(chē)用 47V 智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

DRV870xD-Q1 器件是小型柵極驅(qū)動(dòng)器,使用兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,用于驅(qū)動(dòng)單向有刷直流電機(jī)或螺線管負(fù)載。 PWM接口允許與控制電路進(jìn)行簡(jiǎn)單的接口。內(nèi)部檢測(cè)放大器提供可調(diào)
2025-10-16 14:39:58461

STDRIVEG611柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STDRIVEG611柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)600V的電壓軌,并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30655

?STDRIVEG610柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STDRIVEG610柵極驅(qū)動(dòng)器是高性能設(shè)備,專為在各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT設(shè)計(jì)。STMicroelectronics
2025-10-17 14:12:56390

?基于onsemi FAD8253MX-1柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)深度解析

onsemi FAD8253MX-1柵極驅(qū)動(dòng)器IC是一款單片式器件,專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)、工作電壓高達(dá)+1200V的IGBT而設(shè)計(jì)。onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高驅(qū)動(dòng)器在高dV
2025-11-25 16:50:18607

PC318C046EQ-200V柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠 性的柵極驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù) 同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性,并且可提 供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈 電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置 VDD
2025-12-05 17:38:010

EVAL-1ED3330MC12M-SiC評(píng)估板:助力SiC柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估與設(shè)計(jì)

EVAL-1ED3330MC12M-SiC評(píng)估板:助力SiC柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估與設(shè)計(jì) 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估和設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一下Infineon
2025-12-18 14:20:18275

深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用解析

深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)于功率器件的高效、穩(wěn)定運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12227

Eval-1ED3142MU12F-SiC評(píng)估板:開(kāi)啟EiceDRIVER? 1ED3142MU12F柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估之旅

EVAL-1ED3142MU12F-SIC評(píng)估板.pdf 一、文檔概述 這份用戶指南主要是對(duì)搭載1ED3142MU12F柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)的Eval-1ED3142MU12F-SiC柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板進(jìn)行介紹,涵蓋了英飛凌EiceDRIVER? 1ED314xMU12F柵極驅(qū)動(dòng)器IC系列的功能和關(guān)
2025-12-20 11:15:09675

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入探討英飛凌(Infineon)的兩款出色
2025-12-20 11:15:12666

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

Technologies EiceDRIVER? 1200V柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列,能夠在配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨(dú)
2025-12-20 11:30:021309

EVAL-6ED2231S12TM1評(píng)估板:開(kāi)啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)新世界

EVAL-6ED2231S12TM1是一款用于評(píng)估1200V SOI三相柵極驅(qū)動(dòng)器6ED2231S12T以及EasyPACK? 1B 1200V CoolSiC? MOSFET模塊FS55MR12W1M1H_B11的功率評(píng)估板。它專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì),包含M1連接
2025-12-20 11:35:05664

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F & 1ED314xMC12H:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的全面解析

率晶體管的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon)的EiceDRIVER? 1ED314xMU12F和1ED314xMC12H單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器(1ED - X3 Compact
2025-12-20 11:35:18658

6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

)的6ED2230S12T,一款具備集成自舉二極管和過(guò)流保護(hù)(OCP)功能的1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器。 文件下載: 6ED2230S12T.pdf 產(chǎn)品概述 6ED2230S12T采用英飛凌的薄膜SOI(Silicon
2025-12-20 14:20:09588

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析

的6ED2231S12T,一款具備集成自舉二極管和過(guò)流保護(hù)(OCP)功能的1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器。 文件下載: 6ED2231S12T.pdf 產(chǎn)品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
2025-12-20 14:25:02658

EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車(chē)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器解析

2410-EM MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 2ED2410-EM是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具備兩個(gè)獨(dú)立的柵極輸出,專為12V/24V汽車(chē)應(yīng)用量身打造。它不僅支持ISO 26262標(biāo)準(zhǔn),為硬
2025-12-20 16:25:061081

2ED4820-EM EB2 2HSV48評(píng)估板:靈活測(cè)試48V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的利器

2ED4820-EM EB2 2HSV48評(píng)估板:靈活測(cè)試48V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的利器 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)高端柵極驅(qū)動(dòng)器的性能評(píng)估至關(guān)重要。今天要給大家介紹的是英飛凌科技的2ED4820-EM EB2
2025-12-21 09:40:12501

EiceDRIVER? 1ED332xMC12N Enhanced(1ED - F3):高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析

著整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性。今天,我們就來(lái)深入探討一下英飛凌的 EiceDRIVER? 1ED332xMC12N Enhanced(1ED - F3)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。 文件下載: Infineon
2025-12-21 16:30:15605

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