IC Insights報告指出：目前12英寸（300mm）晶圓產能的最大貢獻者是內存廠商與晶圓代工廠，在IC Insights的前十大12英寸晶圓產能供貨商排行榜上，有一半的廠商是內存廠商，有兩家則是純晶圓代工廠，還有一家是微處理器大廠。
2013-02-25 09:21:38
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半導體市場的發展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，12英寸氮化鎵技術發展的一大優勢是可以利用現有的12英寸硅晶圓制造設備。全面規模化量產12英寸氮化鎵生產將有助于氮化鎵
2024-10-25 11:25:362337 
近日江蘇長電科技股份有限公司（簡稱JCET）全新的12英寸晶圓凸點產線在韓國最先進封裝廠投入大規模量產。
2019-08-03 09:32:003825 12月30日消息 根據中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國內首家獨立完成12英寸單晶、拋光到外延研發、生產的企業。
2020-12-31 10:57:314702 有市場消息傳出，臺積電正擴大采購買氮化鎵相關半導體設備，6英寸廠內相關產能將翻倍。
2021-02-24 10:01:333687 占地面積30畝，一期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產能力，二期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產能力，將為全球GaN產品客戶的旺盛需求提供成熟的技術支持和產能保障。 ? 據了解，GaN（氮化鎵）屬于第三代半
2021-04-04 08:39:006568 業務，致力于研發并應用行業先進的工藝，為客戶提供多種制程節點、不同工藝平臺的晶圓代工服務。 ? 公司目前已實現150nm至90nm制程節點的12英寸晶圓代工平臺的量產，正在進行55nm制程節點的12英寸晶圓代工平臺的研發。 ? 2020年產能約26.62萬片? 國內第三的純晶圓
2021-05-12 15:53:176100 2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司在蘇州汾湖高新區舉辦量產暨研發樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領先的硅基氮化鎵IDM企業，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發與生產，在
2021-06-08 07:31:007005 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）提升芯片產能的最顯著方式，就是擴大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續擴大晶圓尺寸仍面臨很多問題，不過對于比如碳化硅、氮化鎵
2024-09-23 07:53:007413 
生長4英寸導電型氧化鎵單晶仍沿用了細籽晶誘導+錐面放肩技術，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 水平。2022年12月，銘鎵半導體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業化公司。2022年5月，浙大杭州科創中心首次采用新技術
2023-03-15 11:09:59
之一。由于硅的物理性質穩定，是最常被使用的半導體材料，近年又研發出第 2 代半導體砷化鎵、磷化銦，和第 3 代半導體氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等。晶圓是用沙子做成的，你相信嗎？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
晶圓低得多的成本。更重要的是，行業發展已為硅基氮化鎵在商業化規模量產、庫存維護、適應需求激增等方面打下了堅實的基礎，緩解了供應短缺的擔憂。只要碳化硅基氮化鎵繼續依賴耗時、高成本的制造工藝，這種擔擾就將
2017-08-15 17:47:34
：“ST的晶圓制造規模和卓越的運營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應用，在制造成本上取得的突破有助于擴大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴大現有射頻應用的機會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
鎵產品線所生產的氮化鎵的相關器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應的LDMOS產品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達到相同性能的情況下，其量產成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現在已經在用8英寸晶圓生產氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
范圍；4.Vgs信號上升時間240ns左右。（以上數據通過截屏讀數）▲圖4：測試結果截屏結論1.客戶目標板設計合理，Vgs控制信號近乎完美；2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
% 的能源浪費，相當于節省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統層面的能源利用率的提高。當我們發現，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產制造環節減少80
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現在已經能制造4寸了。業內普遍認為，要大規模生產功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規模生產。此外，上述用于小型 AC轉換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
安森美半導體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點開設了一個新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
在硅頂部生長氮化鎵外延層，可以使用現有的硅制造供應鏈而免于使用昂貴的特定生產地點。供應鏈利用現成的大直徑硅晶圓以低成本進行量產，并與具備豐富經驗的合作伙伴進行大批量后端生產。由于氮化鎵器件比硅器件
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當中
2011-12-02 14:30:44
內的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產硅4545
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
12英寸晶圓片的外觀檢測方案？那類探針臺可以全自動解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
2017年上半年8英寸晶圓廠整體的需求較平緩。隨著第三季旺季需求顯現，加上8英寸晶圓代工短期難再大幅擴產，整體產能仍吃緊，預期隨著硅晶圓續漲，8英寸晶圓代工價格今年第一季預計調漲5～10%。
2018-01-16 15:54:577548 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產業發展非常快，同樣也是氮化物半導體產業發展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 本文開始對12寸晶圓價格變化趨勢進行了分析，其次闡述了12寸晶圓的應用及12寸晶圓產能排名狀況，最后分析了12寸晶圓能產多少芯片。
2018-03-16 14:12:5954477 
根據SEMI的報告顯示，2017年全球的晶圓出貨總面積為11810百萬平方英寸，同比2016年增加10%，全球晶圓總營收同比增長21%，晶圓價格出現上浮，累計上漲比例約為10%，2018年8英寸硅晶
2018-06-28 10:54:4516817 
從硅晶圓到8英寸晶圓代工報價調漲，世界先進8英寸產能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴增氮化鎵（GaN）產能，已有國際IDM大廠看好電動車產業后市，預先包下世界先進GaN產能，明年中GaN產出將快速放量，成為全球首座8英寸GaN代工廠。
2018-06-29 16:02:005707 晶圓代工廠世界先進受惠面板驅動IC、電源管理芯片及指紋識別IC等客戶投片量大增，現階段產能持續供不應求，業界傳出8英寸晶圓代工平均售價（ASP）上調5%至10%，并開始篩選訂單，優先生產高毛利產品，助攻世界本季營收再寫新高之余，毛利率同步看俏。
2018-07-19 15:11:004873 日前上海新昇日前在互動平臺表示生產的12英寸晶圓已經通過了華力微電子的認證，今年底產能可達10萬片/月，而最終的產能高達60萬片/月。
2018-07-30 14:28:364870 力晶集團為重返上市，4日宣布旗下鉅晶更名為力積電，計劃明年收購力晶科技所屬的3座12英寸晶圓廠，2020年力積電將以專業晶圓代工產業定位，重新在中國臺灣上市，并銜接苗栗銅鑼廠的新12英寸投資。
2018-09-08 11:41:346244 繼日本勝高、韓國LG、德國Silitronic后，全球第三大硅晶圓廠環球晶圓亦宣布擴產12英寸硅晶圓。
2018-10-08 15:08:004698 8英寸晶圓代工需求轉趨疲軟！臺積電證實，旗下8英寸晶圓代工生產線產能松動；市場關注，8英寸晶圓代工需求轉弱后，是否對硅晶圓材料報價走勢造成影響。
2018-10-22 14:27:383122 根據韓國媒體《ETnews》的報道指出，近年來在物聯網（IoT）及車用電子需求的帶動下，晶圓制造的產能需求開始由12英寸廠轉移到8英寸廠上，這也促成了晶圓龍頭臺積電在日前宣布，將在南科興建一座新的8英寸廠，也滿足當前市場上的需求。
2018-12-18 15:15:583301 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內領先的可提供具備長時可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產企業，且在
2018-12-20 15:21:176874 的產品采購、資料下載、技術支持等服務內容均可由世強元件電商支持。 英諾賽科的主要產品包括30V-650V氮化鎵功率器件與5G射頻器件。特別值得一提的是，英諾賽科擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線，這條產品線的的通線投產，不僅填補了我國第
2019-01-16 18:16:01894 根據芯思想研究院的統計，截止2018年底我國12英寸晶圓制造廠裝機產能約60萬片；8英寸晶圓制造廠裝機產能約90萬片；6英寸晶圓制造廠裝機產能約200萬片；5英寸晶圓制造廠裝機產能約90萬片；4英寸晶圓制造廠裝機產能約200萬片。
2019-02-21 17:59:0126721 據新華社報道，近日，蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產線建成。
2019-05-21 17:28:278388 IMT日前正式宣布：公司現已可提供8英寸（200mm）晶圓微電子機械系統（MEMS）工藝加工服務，同時公司還可以為MEMS行業發展提供空前豐富的其他資源組合。8英寸晶圓改變了MEMS器件制造的經濟指標，每張晶圓可以產出大約為6英寸晶圓兩倍數量的器件。
2019-06-13 14:32:533964 近日，中芯晶圓的首批8英寸（200mm）半導體硅拋光片順利下線，自打下第一根樁，到第一批硅片產出，杭州中芯晶圓僅用了16個月的時間。
2019-07-04 17:42:334316 司擁有國際先進的德國愛思強MOCVD外延爐及外延表征設備、6英寸化合物半導體芯片生產線、晶圓在片檢測系統、可靠性測試系統和應用開發系統。在電力電子領域，公司已實現6英寸650伏硅基氮化鎵外延片的量產，并發布了比肩世界先進水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產品。
2019-08-28 15:00:3317963 近日，位于越城區皋埠街道的中芯集成電路制造（紹興）有限公司內，全省首片8英寸晶圓順利下線。據悉，由該晶圓加工而成的芯片，將廣泛應用于人工智能、新能源汽車、工業控制和移動通信等領域。
2019-11-28 16:30:453458 車間內，順利完成了第一枚12英寸半導體硅拋光片的下線。自2018年2月中欣晶圓大硅片項目開工建設以來，歷時22個月的建設，從8英寸大硅片的量產和項目的竣工儀式，到今天首枚12英寸半導體硅拋光片的順利下線
2019-12-31 15:23:114822 半導體硅晶圓廠環球晶圓24日宣布，與晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）簽訂合作備忘錄，環球晶圓將長期供應12英寸絕緣層上覆硅（SOI）晶圓給格芯。
2020-02-25 17:11:123839 日前Globalfoundries格芯宣布與全球第三大硅晶圓供應商環球晶圓簽署合作備忘錄，雙方未來將進一步合作，由環球晶圓為格芯供應12英寸的SOI晶圓。
2020-02-26 16:57:373445 業界人士預期，8英寸晶圓代工價格第4季可能調漲1成，聯電與世界先進運營有望受惠。此外，8英寸晶圓產能供不應求，市場預期DDI、PMIC或將缺料到2021年初。
2020-09-23 09:43:592479 華潤微的歷史可追溯至香港華科電子公司。1983年，華潤集團與原四機部、七機部、外經貿部聯合在香港設立微電子企業——香港華科電子公司，建立中國首條4英寸晶圓生產線。
2020-09-30 15:05:456451 8英寸晶圓被認為是落后產線，更關注12英寸晶圓產線的建設和量產。然而，就是這一比12英寸晶圓古老多年的產品，目前其產能依然很緊張。 供不應求的8英寸晶圓與逐年下滑的生產線 目前全球代工廠產能爆滿，臺
2020-11-23 14:00:393711 8英寸晶圓被認為是落后產線，然而，就是這一比12英寸晶圓“古老”多年的產品，目前其產能依然很緊張。
2020-11-24 11:23:342259 業內消息人士稱，2021年，8英寸晶圓代工報價將上調20-40%。今年第四季度，包括聯華電子、格芯和世界先進（Vanguard International Semiconductor，簡稱VIS）在內的純代工企業將8英寸晶圓代工報價提高了約10%-15%。
2020-11-30 14:40:252593 ：關于晶圓尺寸的演變，在業內比較公認的一種說法是：1980年代是4英寸硅片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，2008年之后是以12英寸為主流的市場。 數據來源：維基百科 這時候有人會問，既然硅晶圓越大，每塊晶圓能生產的芯片越多
2020-12-09 09:46:5014551 12月18日消息，據英文媒體報道，在第一大芯片代工商臺積電取消2021年12英寸晶圓代工折扣，芯片代工產能緊張狀況有從8英寸晶圓廠延伸到12英寸晶圓廠的趨勢的消息出現之后，也有代工商在謀劃擴大12英寸晶圓代工廠的產能。
2020-12-19 09:13:322826 近期的半導體市場，尤其是8英寸晶圓的產能為什么這么緊張？ 跟隨摩爾定律演進，集成電路制造所用的主流晶圓直徑從 4 英寸、6 英寸、8 英寸到12 英寸。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片
2020-12-24 14:10:4211432 
產能緊缺從晶圓代工傳導至封測、設計、晶圓、再到模組供應商、下游終端廠商等，捎帶著6英寸和12英寸晶圓，一路缺貨到明年。
2020-12-24 17:02:224600 生產車間，順利完成了12英寸第一枚外延片下線。官方稱，12英寸外延片的生產是當前制約我國集成電路產業發展的重要瓶頸。自2019年12月底第一枚12英寸拋光片下線至今，歷時12個月的研發、生產，今天首枚12英寸外延片順利下線，不僅標志著中欣晶圓
2020-12-31 09:44:145522 價格陸續調漲后，12英寸晶圓代工價格也開始跟進調漲。 受惠宅經濟帶動消費性和計算機相關應用需求持續成長，5G智能手機和物聯網設備的芯片比重也同步提升，聯電2020年第4季接單暢旺，產能利用率達95%。 ? 其中，8英寸晶圓代工產能嚴重供不應
2021-01-06 09:46:303419 1月6日消息，在此前的報道中，已出現了芯片代工報價上漲由8英寸晶圓延伸到12英寸晶圓的趨勢，英文媒體此前就提到，全球最大的芯片代工商臺積電，在今年將取消給予大客戶的12英寸晶圓代工折扣，變相提高代工
2021-01-06 17:07:052896 ： 關于晶圓尺寸的演變，在業內比較公認的一種說法是：1980年代是4英寸硅片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，2008年之后是以12英寸為主流的市場。 數據來源：維基百科 這時候有人會問，既然硅晶圓越大，每塊晶圓能生產的芯片越多，
2021-02-01 10:39:4611189 
近日，據臺媒報道，世界先進積體電路股份有限公司（簡稱世界先進）已經向竹科管理局提出了進駐進駐苗栗縣銅鑼修建工廠的申請。 據悉，本次將新建世界先進旗下的首座12英寸晶圓代工廠，占地面積約為8公頃。 在
2022-04-22 16:56:173255 。 據了解，SK海力士無錫晶圓代工廠的8英寸晶圓月產能為10萬片，而啟方半導體在SK海力士附近的晶圓廠8英寸晶圓月產能為9萬片，這也就意味著完成收購后，SK海力士8英寸晶圓的月產能將快要達到20萬片。 海力士半導體在1983年以現代電子產業有限公司成立，
2022-05-31 16:44:573051 根據合作框架協議，中芯國際將在當地建設12英寸晶圓代工生產線項目，產品主要應用于通訊、汽車電子、消費電子、工業等領域。項目擬選址西青開發區賽達新興產業園內。規劃建設 產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線，可提供28納米~180納米不同技術 節點的晶圓代工與技術服務。
2022-08-29 11:31:413729 5萬片晶圓。報道顯示，該筆撥款是2022財年綜合撥款法案的一部分，來自于美國國防部可信訪問計劃辦公室 (TAPO) ，自2019年以來，TAPO一直積極支持軍民兩用硅基氮化鎵技術研發，新的款項將資助格
2022-10-21 15:33:231691 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007545 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 按晶圓尺寸計算，GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批次中生產大量設備。這反過來又有助于降低制造6
2023-02-12 17:35:24755 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:415426 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 硅晶圓正在從8英寸過渡到12英寸，更大的晶圓尺寸，意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數量更多，晶圓邊緣的浪費減少，單芯片成本降低。第三代半導體也不例外，都在向大尺寸晶圓大跨步。
2023-02-28 15:12:141613 據統計，在2017 年，8英寸晶圓代工主力華虹半導體的8英寸晶圓產能為168K/月，中芯國際的產能為234K/月，占總產能的比例超過40%。
2023-03-06 14:25:271117 Mojo Vision 表示，Micro LED技術為顯示器提供了關鍵性能表現、效率和外形優勢，這對于擴展現實 (XR)、可穿戴設備、汽車、消費電子和高速通信等應用至關重要。公司目前已克服了多個的供應鏈和晶圓資格問題，例如晶圓彎曲和污染等，使硅基氮化鎵晶圓獲準進入300mm工廠。
2023-05-25 09:40:241237 
業界評價說：“臺積電的主要銷售和收益動力雖然來自12英寸晶圓代工和高端制程，但是由于8英寸晶圓代工的價格下滑，給tsmc帶來的沖擊是有限的。”但只有世界先進的8英寸晶片項目，如果用晶片生產工程推算約3個月，相關沖擊將在今年10月至11月以后出現，世界先進第四季度的業績可能會受到影響。
2023-08-11 10:36:451175 半導體制造設備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發了一種針對GaN（氮化鎵）晶圓生產而優化的工藝。通過該工藝，可以同時提高GaN晶圓片產量，并縮短生產時間。
2023-08-25 09:43:521777 
增芯是12英寸先進制造mems傳感器及特色工藝晶圓量產生產線的新建項目1共70億韓元投資項目竣工后，具備年產24萬12英寸晶圓的生產能力，產品主要應用于汽車電子、物聯網是類、消費、工業、電子等領域的相關領域產品性能表現的決定因素之一。
2023-09-21 09:45:201349 德州儀器正在將其多個工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產從6英寸晶圓轉換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達拉斯和日本會津的8英寸晶圓準備設備，這將使其能夠提供更具價格競爭力的氮化鎵芯片。
2024-03-20 09:11:141598 
|?項目一期產能預計2025年底達到2萬片／月 2024年6月28日，增芯科技12英寸晶圓制造項目在廣州增城投產啟動，該項目建設有國內首條、全球第二條的12英寸MEMS智能傳感器晶圓制造產線。同期
2024-07-02 14:28:442042 日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破，成功研發并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長的300毫米（即12英寸）晶圓，標志著公司在高性能半導體材料領域邁出了堅實的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241948 近日，日本礙子株式會(NGK，下文簡稱日本礙子)在其官網宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關研究成果。
2024-09-21 11:04:10946 工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長出對角線長度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術突破：成功開發出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061307 的導電型摻雜，為下游客戶提供更加豐富的產品選擇，助力行業發展。該VB法氧化鎵長晶設備及工藝包已全面開放銷售。 【圖1】鎵仁半導體VB法4英寸導電型氧化鎵單晶底面 【圖2】 鎵仁半導體VB法4英寸導電型氧化鎵單晶頂面 2025年1月，鎵仁半導體在
2025-02-14 10:52:40902 
在半導體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結構穩定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511978 關系 ，正式啟動并持續推進業內領先的 8英寸硅基氮化鎵技術生產。 納微半導體預計將使用位于臺灣苗栗竹南科學園區的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
諾賽科作為全球首家實現大規模量產 8 英寸硅基氮化鎵晶圓的企業，在技術和產能方面一直處于行業領先地位。目前，其每月的 8 英寸晶圓產能已達到 13000 片，而根據最新的擴張計劃，到今年年底，這一數字將提升至 20000 片，增幅高達
2025-07-17 17:10:59678 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區別及關鍵要點：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 
，國內氮化鎵硅片企業也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重摻硼超厚拋光硅片打破進口依賴，填補了國內相關技術空白。 ? 中欣晶圓主營業務為半導體硅片的研發，在產品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋
2025-10-17 11:24:263277
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