豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓
近日，日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
據(jù)豐田合成介紹，與傳統(tǒng)的硅基GaN工藝橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建的垂直晶體管在功率器件密度方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。這一技術(shù)突破意味著，未來(lái)可以在更大尺寸的晶圓，如200mm和300mm晶圓上制造更高性能的功率器件。
然而，制造大尺寸GaN單晶晶圓一直是一項(xiàng)技術(shù)難題。此前，業(yè)界在制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓時(shí)面臨諸多困難。豐田合成的此次成功，無(wú)疑為GaN技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。
豐田合成的這一技術(shù)突破，不僅展示了其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，也為未來(lái)功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展提供了新的可能。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的逐步降低，GaN器件有望在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用，為人們的生活帶來(lái)更多便利。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5408瀏覽量
132280 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10395瀏覽量
147723 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2366瀏覽量
82211
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
8英寸晶圓代工價(jià)格將上漲5-20%！
根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新調(diào)查，全球8英寸晶圓代工價(jià)格即將全面上調(diào)，漲幅預(yù)計(jì)在5%到20%之間。
產(chǎn)能告急！2026年8英寸芯片價(jià)格最高暴漲20%
的并非大尺寸晶圓，而是以8英寸晶圓代工為主的成熟代工。 ? 成熟代工集體漲價(jià) ? 據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新報(bào)告顯示，全球的8
12英寸碳化硅外延片突破！外延設(shè)備同步交付
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
50.6億！中國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線，正式投產(chǎn)
近日，由中國(guó)電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中電二公司”）承建的中國(guó)蚌埠傳感谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線EPC項(xiàng)目迎來(lái)重要里程碑——首批產(chǎn)品成功下線。這一成果標(biāo)志著全國(guó)首條8
重大突破！12 英寸碳化硅晶圓剝離成功，打破國(guó)外壟斷！
9月8日消息，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一
臺(tái)積電戰(zhàn)略收縮：兩年內(nèi)逐步關(guān)停6英寸晶圓產(chǎn)線
臺(tái)北消息，據(jù)Focus Taiwan報(bào)道，臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，TSMC）計(jì)劃在未來(lái)兩年內(nèi)逐步停止其6英寸晶圓業(yè)務(wù)，并持續(xù)整合8英寸晶
MOCVD技術(shù)丨實(shí)現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaN基LED關(guān)鍵突破
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長(zhǎng)期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐?
據(jù)徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日，徐州高新區(qū)再傳捷報(bào)—— 江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “江蘇集芯”）成功出爐首枚 8 英寸液相法（LPE）高質(zhì)量碳化硅單晶。經(jīng)檢測(cè)，晶體面型、晶型與結(jié)晶質(zhì)量均達(dá)到預(yù)期目標(biāo)
12英寸碳化硅襯底，會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年以來(lái)，各家廠商都開(kāi)始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸N型碳化硅單晶材料
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸
12英寸SiC，再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后，業(yè)界并沒(méi)有停下腳步，開(kāi)始投入到12英寸襯底的開(kāi)發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先進(jìn)率先出手，發(fā)布了行業(yè)首款12
12英寸碳化硅襯底，又有新進(jìn)展
尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓
我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！
2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國(guó)際領(lǐng)先地位，也為我國(guó)
什么是單晶圓清洗機(jī)？
或許，大家會(huì)說(shuō)，晶圓知道是什么，清洗機(jī)也懂。當(dāng)單晶圓與清洗機(jī)放一起了，大家好奇的是到底什么是單晶圓清洗機(jī)呢？面對(duì)這個(gè)機(jī)器，不少人都是陌生的，
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論