電子發燒友網報道（文/莫婷婷）市場調研機構集邦咨詢的數據顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規模約為2.71億美元，到2030年或將達到43.76億美元，年復合增速高達49%。在市場增長的同時，國內氮化鎵硅片企業也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重摻硼超厚拋光硅片打破進口依賴，填補了國內相關技術空白。

中欣晶圓主營業務為半導體硅片的研發，在產品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋光片以及12英寸外延片產品研發，構建了完整的硅片技術儲備體系。

中欣晶圓市場部長周笛在2025灣區半導體產業生態博覽會（灣芯展）演講中指出，當前硅片行業依舊由大尺寸硅片主導，例如12英寸硅片出貨面積占比超過8成，且市場需求持續在增長。不同尺寸硅片在技術節點、應用領域和產能狀態上各有側重，共同推動著半導體產業鏈的持續升級。

其中12英寸晶圓聚焦于成熟及先進制程，深度滲透至手機處理器、高性能計算機、FPGA、ASIC、存儲、射頻、藍牙、GPS導航等前沿領域，正處于關鍵節點突破的階段。8英寸晶圓則在硅片市場形成差異化競爭，主要用于成熟制程與特種制程，廣泛應用于存儲計算、邊緣計算、物聯網、功率器件等領域，當前亦處于產能擴張階段，精準適配新興場景的定制化需求。而4-6英寸小直徑晶圓憑借穩定的量產能力，在SOI、GaN、MOSFET、IGBT等細分領域持續發力，全球產能保持平穩。

在氮化鎵硅片領域，技術創新是中欣晶圓的核心競爭力。公司自主開發了多項關鍵技術，包括：自主研創的超厚硅片制造技術，實現硅片厚度的精準控制；獨特的定位分段式涂膜工藝技術，有效提升膜層均勻性；自主創新的金屬Cu（銅）控制技術；優異的硅片曲度控制技術，保障大尺寸硅片的平面度；以及凸出的拋光片面粗糙度控制技術，提升表面潔凈度與一致性。


在國際氮化鉀應用領域中，各項關鍵技術指標對硅片質量具有直接影響——其核心參數嚴格規定了硅片的平整度、曲率、背面厚度、整體厚度及顆粒度等關鍵特性。中欣晶圓建立了統一的技術規范體系，通過優化加工工藝，成功實現了優質超厚拋光硅片的穩定生產。

周笛表示，中欣晶圓的產品相較進口產品，具有拋光精度優異、表面狀態更潔凈、硅片厚度及均一性、電阻率均勻性突出等優勢。在電阻率均勻性方面，中欣晶圓產品的中心值為0.007152歐厘米，競品為0.000845歐厘米。

中欣晶圓的創新不僅填補了國內高端硅片的技術空白，也使中欣晶圓的產品具備替代進口的能力，技術水平達到國內領先水平。今年5月30日，中欣晶圓官方宣布，公司所有產品合計月銷售量首次突破100萬片。

就在今年9月，中欣晶圓在高端襯底材料領域也迎來進展，其自主研發的“8英寸氮化鎵外延制備用重摻硼超厚拋光硅片”憑借多項核心工藝創新打破進口依賴。中欣晶圓介紹，該產品基于超厚硅片制造、低表面粗糙度控制、金屬Cu控制、硅片平整度與曲度控制、分段式涂蠟工藝、特殊硅片背面薄膜生長以及拋光面顆粒控制等關鍵技術，全面滿足客戶在外延制備中的高性能需求。