電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）市場調(diào)研機構(gòu)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約為2.71億美元，到2030年或?qū)⑦_到43.76億美元，年復(fù)合增速高達49%。在市場增長的同時，國內(nèi)氮化鎵硅片企業(yè)也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重摻硼超厚拋光硅片打破進口依賴，填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。

中欣晶圓主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片的研發(fā)，在產(chǎn)品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋光片以及12英寸外延片產(chǎn)品研發(fā)，構(gòu)建了完整的硅片技術(shù)儲備體系。

中欣晶圓市場部長周笛在2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會（灣芯展）演講中指出，當前硅片行業(yè)依舊由大尺寸硅片主導(dǎo)，例如12英寸硅片出貨面積占比超過8成，且市場需求持續(xù)在增長。不同尺寸硅片在技術(shù)節(jié)點、應(yīng)用領(lǐng)域和產(chǎn)能狀態(tài)上各有側(cè)重，共同推動著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)升級。

其中12英寸晶圓聚焦于成熟及先進制程，深度滲透至手機處理器、高性能計算機、FPGA、ASIC、存儲、射頻、藍牙、GPS導(dǎo)航等前沿領(lǐng)域，正處于關(guān)鍵節(jié)點突破的階段。8英寸晶圓則在硅片市場形成差異化競爭，主要用于成熟制程與特種制程，廣泛應(yīng)用于存儲計算、邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)、功率器件等領(lǐng)域，當前亦處于產(chǎn)能擴張階段，精準適配新興場景的定制化需求。而4-6英寸小直徑晶圓憑借穩(wěn)定的量產(chǎn)能力，在SOI、GaN、MOSFET、IGBT等細分領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，全球產(chǎn)能保持平穩(wěn)。

在氮化鎵硅片領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是中欣晶圓的核心競爭力。公司自主開發(fā)了多項關(guān)鍵技術(shù)，包括：自主研創(chuàng)的超厚硅片制造技術(shù)，實現(xiàn)硅片厚度的精準控制；獨特的定位分段式涂膜工藝技術(shù)，有效提升膜層均勻性；自主創(chuàng)新的金屬Cu（銅）控制技術(shù)；優(yōu)異的硅片曲度控制技術(shù)，保障大尺寸硅片的平面度；以及凸出的拋光片面粗糙度控制技術(shù)，提升表面潔凈度與一致性。


在國際氮化鉀應(yīng)用領(lǐng)域中，各項關(guān)鍵技術(shù)指標對硅片質(zhì)量具有直接影響——其核心參數(shù)嚴格規(guī)定了硅片的平整度、曲率、背面厚度、整體厚度及顆粒度等關(guān)鍵特性。中欣晶圓建立了統(tǒng)一的技術(shù)規(guī)范體系，通過優(yōu)化加工工藝，成功實現(xiàn)了優(yōu)質(zhì)超厚拋光硅片的穩(wěn)定生產(chǎn)。

周笛表示，中欣晶圓的產(chǎn)品相較進口產(chǎn)品，具有拋光精度優(yōu)異、表面狀態(tài)更潔凈、硅片厚度及均一性、電阻率均勻性突出等優(yōu)勢。在電阻率均勻性方面，中欣晶圓產(chǎn)品的中心值為0.007152歐厘米，競品為0.000845歐厘米。

中欣晶圓的創(chuàng)新不僅填補了國內(nèi)高端硅片的技術(shù)空白，也使中欣晶圓的產(chǎn)品具備替代進口的能力，技術(shù)水平達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。今年5月30日，中欣晶圓官方宣布，公司所有產(chǎn)品合計月銷售量首次突破100萬片。

就在今年9月，中欣晶圓在高端襯底材料領(lǐng)域也迎來進展，其自主研發(fā)的“8英寸氮化鎵外延制備用重摻硼超厚拋光硅片”憑借多項核心工藝創(chuàng)新打破進口依賴。中欣晶圓介紹，該產(chǎn)品基于超厚硅片制造、低表面粗糙度控制、金屬Cu控制、硅片平整度與曲度控制、分段式涂蠟工藝、特殊硅片背面薄膜生長以及拋光面顆粒控制等關(guān)鍵技術(shù)，全面滿足客戶在外延制備中的高性能需求。