據新華社報道，近日，蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產線建成。

據悉，該產線總投資3億元，設計產能為17000片4英寸氮化鎵晶圓，達產后可實現產值20億元，以迎接5G無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求，打造國產射頻芯片新品牌。

蘇州能訊半導體致力于寬禁帶半導體氮化鎵電子器件技術與產業化，主要為5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領域和工業控制、電源、電動汽車等電力電子領域等兩大領域提供高效率的半導體產品與服務。

蘇州能訊半導體采用整合設計與制造（IDM）的模式，自主開發了氮化鎵材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術。目前公司擁有專利280項，其中：中國發明186項，國際發明69項，實用新型25項、專利使用授權40項。

官網資料顯示，蘇州能訊半導體在江蘇昆山國家高新區建成了中國第一家氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區占地55畝，累計投資10億元。完成了面向5G通信系統的技術與產品的積累，產品性能已通過國際一流通訊企業的測試與認證。