驅(qū)動高壓MOSFET而設(shè)計的光伏驅(qū)動器。它由一個AlGaAs紅外發(fā)光二極管（LED）輸入級和一個輸出探測器電路通過光耦合組成。探測器包含一個高速
2025-12-30 16:10:03
75 、不間斷電源（UPS）中的功率開關(guān)驅(qū)動。
電機(jī)驅(qū)動與控制：可用于伺服驅(qū)動器、變頻器、工業(yè)泵閥等設(shè)備的低邊開關(guān)驅(qū)動。
通用功率開關(guān)驅(qū)動：廣泛適用于需要可靠、高速驅(qū)動MOSFET或IGBT的各種功率轉(zhuǎn)換與控制系統(tǒng)。
#SiLM27531 #低邊驅(qū)動器 #門極驅(qū)動
2025-12-29 08:33:43
大功率半導(dǎo)體激光管驅(qū)動器可以配置為串聯(lián)安裝的兩個或多個半導(dǎo)體激光管 高功率半導(dǎo)體激光管驅(qū)動器與 Nlight、Lumentum、IPG、Dilasetc 的所有多模光纖耦合多發(fā)射器半導(dǎo)體激光管兼容
2025-12-25 06:35:4616 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面
2025-12-24 06:54:12347 
基于隔離驅(qū)動IC兩級關(guān)斷技術(shù)的碳化硅MOSFET伺服驅(qū)動器短路保護(hù)研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-12-23 08:31:10424 
的開關(guān)電源應(yīng)用中，功率MOSFET或新興的SiC/GaN器件的潛能能否完全釋放，極度依賴于門極驅(qū)動器的性能。一個平庸的驅(qū)動器會帶來過高的開關(guān)損耗、延遲和振鈴，從而拉低整機(jī)效率，限制功率密度提升，并威脅
2025-12-10 08:55:48
在電子設(shè)備的設(shè)計中，柵極驅(qū)動器起著至關(guān)重要的作用，它能夠有效地驅(qū)動功率MOSFET和IGBT，確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美（onsemi）推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器，它具備諸多出色的特性和功能，適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-04 09:58:48648 
隨著汽車智能化、個性化趨勢加速，市場對高邊LED驅(qū)動器的需求日益增長——據(jù)統(tǒng)計，新能源汽車對高邊驅(qū)動芯片的需求達(dá)到約75顆，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)燃油車的35顆。為汽車照明系統(tǒng)提供更先進(jìn)、可靠的解決方案，極海正式發(fā)布GALT62120：12通道汽車高邊LED驅(qū)動器。
2025-12-01 16:09:39264 （World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA）年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器產(chǎn)品獎，彰顯了安森美在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和市場優(yōu)勢。
2025-11-27 13:55:061348 安森美NCV84160自保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動器是一款單通道驅(qū)動器，可用于開關(guān)螺線管、燈泡和執(zhí)行器等負(fù)載。該MOSFET驅(qū)動器具有~VD~ 輸出短路檢測、斷態(tài)開路負(fù)載檢測、用于電感開關(guān)的集成鉗位
2025-11-25 11:02:48312 
安森美 NCP402045集成驅(qū)動器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直流-直流降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有快速開關(guān)
2025-11-24 11:49:35416 
自帶模塊化功能，易于使用。 TDLAS 是一款模塊化的半導(dǎo)體激光管驅(qū)動器，專為要求低噪聲的應(yīng)用(如氣體檢測)而開發(fā)。 它包含內(nèi)部和外部調(diào)制功能和多個軟件集成庫。 TDLAS 提供非常低的電流噪聲水平
2025-11-24 07:32:53163 
寬禁帶半導(dǎo)體驅(qū)動
SiLM27517HAD-7G通過極速開關(guān)、高可靠性保護(hù)與緊湊集成三重優(yōu)勢，解決了高頻功率系統(tǒng)中的驅(qū)動痛點(diǎn)。其非對稱驅(qū)動和12.5V UVLO等設(shè)計，體現(xiàn)了對實(shí)際應(yīng)用場景的深度適配。
#SiLM27517 #低邊門極驅(qū)動器 #門極驅(qū)動 #低邊驅(qū)動
2025-11-19 08:40:33
。
哪些應(yīng)用場景最適合？
電機(jī)驅(qū)動
電源設(shè)計
工業(yè)控制
#MOSFET驅(qū)動 #SiLM27517 #低邊門極驅(qū)動器 #門極驅(qū)動
2025-11-12 08:27:29
傾佳電子基于B3M040065R碳化硅MOSFET的電機(jī)集成伺服驅(qū)動器（IMD）系統(tǒng)設(shè)計白皮書 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國
2025-11-09 11:41:391678 
通道低靜態(tài)電流LED驅(qū)動器，可確保5V輸出驅(qū)動能力。每個通道均可提供高達(dá)20mA電流，裕量電壓僅為350mV（典型值）。
2025-10-31 15:13:16409 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.8 至 3.0 GHz、100 W 緊湊型高功率 SPDT 開關(guān)，帶集成驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有1.8 至 3.0 GHz、100 W 緊湊型高功率 SPDT
2025-10-27 18:35:06
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()3.4 至 3.8 GHz、100 W 緊湊型高功率 SPDT 開關(guān)，帶集成驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有3.4 至 3.8 GHz、100 W 緊湊型高功率 SPDT
2025-10-27 18:29:59
STMicroelectronics ALED7709汽車LED驅(qū)動器符合AEC-Q100 1級標(biāo)準(zhǔn)，將升壓/SEPIC控制器 和四個低側(cè)恒流消弧器集成在一起。STMicroelectronics
2025-10-25 11:43:581003 
STMicroelectronics STEVAL-LLL014V1汽車LED驅(qū)動器評估套件 設(shè)有四個LED燈串，采用ALED7709 LED驅(qū)動器。該驅(qū)動器通過AEC-Q1001級認(rèn)證，可作為升壓
2025-10-23 15:18:13379 
STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動器具有集成柵極驅(qū)動器和六個N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動器非常適合用于風(fēng)扇、泵
2025-10-20 13:55:53348 
STMicroelectronics L98GD8汽車MOSFET預(yù)驅(qū)動器可配置為低側(cè)、高側(cè)、峰值和保持以及H橋負(fù)載控制。這款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)驅(qū)動器設(shè)計符合配備12V和48V電池系統(tǒng)
2025-10-15 11:17:14450 
DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓，而 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20524 
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45889 
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動電壓。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454 
DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動器。這些器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓，并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07528 
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓
2025-10-11 14:38:251089 
DRV8001-Q1 器件集成了多種門控制特定功能：驅(qū)動和診斷電機(jī)（電感）、電阻和容性負(fù)載、驅(qū)動燈或 LED、驅(qū)動特殊負(fù)載（如加熱元件或電致變色元件）的 MOSFET。這些驅(qū)動器包括用于離線和主動
2025-10-11 11:10:04661 
型柵極驅(qū)動器（BTD系列）和配套的電源管理芯片（BTP系列），明確圍繞第三代半導(dǎo)體——碳化硅（SiC）MOSFET驅(qū)動的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進(jìn)行構(gòu)建 。這些產(chǎn)品在設(shè)計上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開關(guān)速度和高 ?dV/dt等特性帶來的挑戰(zhàn)。 該公司的策
2025-09-30 17:53:142833 
安世半導(dǎo)體近期推出了12/16/24通道、每通道100mA驅(qū)動能力的線性LED驅(qū)動系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品集成芯片級ASIL-B功能安全，滿足車燈系統(tǒng)針對功能安全日漸增加的高要求，非常適用于車外照明中的轉(zhuǎn)向燈、剎車燈、貫穿式尾燈，以及日間行車燈等信號燈和裝飾燈。
2025-09-26 17:35:001741 
Texas Instruments UCD7100低側(cè)MOSFET驅(qū)動器是一款數(shù)字控制兼容型驅(qū)動器，適用于使用數(shù)字控制技術(shù)、需要快速提供本地峰值電流限制保護(hù)的應(yīng)用。UCD7100是一款低側(cè)±4A
2025-09-23 15:12:59527 
Texas Instruments LP5866 6x18 LED矩陣驅(qū)動器集成了6個MOSFET，用于多達(dá)108點(diǎn)LED點(diǎn)陣或36個RGB LED。驅(qū)動器LP5866支持模擬調(diào)光和PWM調(diào)光方法
2025-09-19 11:14:30640 
Texas Instruments LP5862 2×18 LED矩陣驅(qū)動器設(shè)計用于改善動畫和指示的用戶體驗(yàn)，采用小尺寸解決方案的LED矩陣。LP5861驅(qū)動器集成了18個具有N（N = 1/2/4
2025-09-19 11:02:18627 
Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動器的典型峰值驅(qū)動
2025-09-18 14:47:59757 
Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1單通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器系列，可驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動器的典型峰值驅(qū)動
2025-09-18 10:48:38715 
傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路設(shè)計深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
2025-09-14 22:59:12920 
Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅(qū)動器設(shè)有三個半橋柵極驅(qū)動器，電壓為100V，每個均可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23811 
LM2756 是一款高度集成的開關(guān)電容器多顯示 LED 驅(qū)動器，可并聯(lián)驅(qū)動多達(dá) 8 個 LED，總輸出電流為 180mA。穩(wěn)壓內(nèi)部電流源為所有 LED 提供出色的電流和亮度匹配。
LED
2025-09-04 18:05:32913 
Texas Instruments TLC6984 48x16矩陣LED顯示驅(qū)動器是一款高度集成的共陰極矩陣LED顯示驅(qū)動器，具有48個恒流源和16個掃描FET。除了像TLC6983那樣驅(qū)動16
2025-09-04 10:23:06505 
的輸入電壓 并以 ±3% 的精度提供高達(dá) 1A 的平均 LED 電流。集成的低側(cè) N 溝道 功率MOSFET和電流傳感元件實(shí)現(xiàn)簡單、低元件數(shù)的電路，無需 需要自舉電容器和外部電流檢測電阻器。外部 小信號電阻接地提供非常精細(xì)的 LED 電流調(diào)節(jié)、模擬調(diào)光和 熱折疊功能。
2025-09-01 13:45:29742 
LM3549 是一款輸出電流高達(dá) 700mA 的高功率 LED 驅(qū)動器。它具有三個恒流 LED 驅(qū)動器和一個降壓升壓 SMPS，用于高效驅(qū)動 RGB LED。LED 驅(qū)動器專為順序驅(qū)動而設(shè)計，因此
2025-09-01 11:31:57787 
TPS61183器件為筆記本電腦LCD背光提供高度集成的白光LED （WLED）驅(qū)動器解決方案。該器件具有內(nèi)置高效升壓穩(wěn)壓器，集成了 2A、40V 功率 MOSFET。六個電流灌穩(wěn)壓器提供高精度電流
2025-09-01 11:11:502543 
LM3492/-Q1 集成了一個升壓轉(zhuǎn)換器和一個雙通道電流調(diào)節(jié)器，以實(shí)現(xiàn)高效且經(jīng)濟(jì)高效的 LED 驅(qū)動器，用于驅(qū)動兩個可單獨(dú)調(diào)光的 LED串，最大功率為 15 W，輸出電壓高達(dá) 65 V。升壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-01 10:26:342395 
LM3492/-Q1 集成了一個升壓轉(zhuǎn)換器和一個雙通道電流調(diào)節(jié)器，以實(shí)現(xiàn)高效且經(jīng)濟(jì)高效的 LED 驅(qū)動器，用于驅(qū)動兩個可單獨(dú)調(diào)光的 LED串，最大功率為 15 W，輸出電壓高達(dá) 65 V。升壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-01 10:21:462318 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22740 
能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源
2025-08-25 15:30:17664 
TLC6983是一款高度集成的共陰極矩陣LED顯示驅(qū)動器，具有48個恒流源和16個掃描FET。單個TLC6983能夠驅(qū)動 16 × 16 個 RGB LED 像素，而堆疊兩個 TLC6983 可以
2025-08-22 13:53:31839 
LP5890 是一款高度集成的共陰極矩陣 LED 顯示驅(qū)動器，具有 48 個恒流源和 16 個掃描 FET。單個 LP5890 能夠驅(qū)動 16 × 16 個 RGB LED 像素，而堆疊兩個
2025-08-22 10:48:22966 
LP586x 器件是高性能 LED 矩陣驅(qū)動器系列。該器件集成了 18 個恒流灌電流和 N 個 （N = 1/2/4/6/8/11） 開關(guān) MOSFET，以支持 N 個 × 18 個 LED 點(diǎn)或
2025-08-22 10:26:56939 
LP586x 器件是高性能 LED 矩陣驅(qū)動器系列。該器件集成了 18 個恒流灌電流和 N 個 （N = 1/2/4/6/8/11） 開關(guān) MOSFET，以支持 N 個 × 18 個 LED 點(diǎn)或
2025-08-22 10:21:52740 
LP586x 器件是高性能 LED 矩陣驅(qū)動器系列。該器件集成了 18 個恒流灌電流和 N 個 （N = 1/2/4/6/8/11） 開關(guān) MOSFET，以支持 N 個 × 18 個 LED 點(diǎn)或
2025-08-22 10:12:17926 
電子設(shè)備變得越來越智能，需要使用更多的 LED 來進(jìn)行動畫和指示，并且需要高性能 LED 矩陣驅(qū)動器以小尺寸的解決方案來改善用戶體驗(yàn)。
LP5867 是一款高性能 LED 矩陣驅(qū)動器。這些器件
2025-08-20 11:24:521030 
Texas Instruments LP5860T LED矩陣驅(qū)動器是一款大電流、高性能LED矩陣驅(qū)動器。該器件集成了18個恒定電流阱和N (N = 6/8/11)個開關(guān)MOSFET，以支持N
2025-08-15 14:16:20825 
Texas Instruments LP5861T大電流LED驅(qū)動器集成了18個恒定電流阱和N (N = 6/8/11) 個開關(guān)MOSFET，以支持N × 18個LED點(diǎn)或N × 6個RGB LED。LP5861T是支持18個LED點(diǎn)或6個RGB LED的直接驅(qū)動版本。
2025-08-15 14:04:27781 
Texas Instruments LP5866T大電流LED驅(qū)動器集成了18個恒定電流吸收器和N (N = 6/8/11) 個開關(guān)MOSFET，以支持N × 18個LED點(diǎn)或N × 6個RGB LED。LP5866T集成了六個MOSFET，用于多達(dá)108個LED點(diǎn)或36個RGB LED。
2025-08-15 13:41:11813 
Texas Instruments LP5868T大電流LED驅(qū)動器集成了18個恒定電流阱和N (N = 6/8/11) 個開關(guān)MOSFET，支持N × 18個LED點(diǎn)或N × 6個RGB LED。LP5868T集成了八個MOSFET，用于多達(dá)144個LED點(diǎn)或48個RGB LED。
2025-08-15 11:52:05864 
意法半導(dǎo)體EVLSERVO1伺服驅(qū)動器參考設(shè)計提供了一款高度緊湊的解決方案，專為大功率電機(jī)控制應(yīng)用而設(shè)計，為開發(fā)者打造了無需妥協(xié)的完整交鑰匙平臺，助力探索、開發(fā)和原型驗(yàn)證。
2025-08-01 09:40:50756 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.8 至 3.0 GHz 50 W 緊湊型高功率 SPDT 開關(guān)，帶集成驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有1.8 至 3.0 GHz 50 W 緊湊型高功率 SPDT 開關(guān)
2025-07-31 18:29:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()6 通道 LED 背光驅(qū)動器，集成升壓和高頻直接 PWM 調(diào)光相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有6 通道 LED 背光驅(qū)動器，集成升壓和高頻直接 PWM 調(diào)光的引腳圖、接線圖、封裝
2025-07-28 18:33:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()4 通道 LED 背光驅(qū)動器，具有集成升壓和高頻直接 PWM 調(diào)光相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有4 通道 LED 背光驅(qū)動器，具有集成升壓和高頻直接 PWM 調(diào)光的引腳圖
2025-07-25 18:31:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.5A 單閃 LED 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有1.5A 單閃 LED 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，1.5A 單閃 LED 驅(qū)動器真值表，1.5A 單閃 LED 驅(qū)動器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-25 18:29:57
Texas Instruments LP5867 7x6 LED是一款高性能LED矩陣驅(qū)動器。該器件集成了6個具有N (N = 7) 個開關(guān)MOSFET的恒流阱，用于支持N × 6個LED點(diǎn)或N
2025-07-25 11:55:01610 
三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動器的工作原理基于電子換向技術(shù)，通過實(shí)時檢測轉(zhuǎn)子位置并控制電流方向?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)驅(qū)動。驅(qū)動器內(nèi)部包含位置傳感器（如霍爾傳感器）和功率電子器件（如MOSFET或IGBT）。
2025-07-16 09:42:23505 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
高性能隔離型門極驅(qū)動器 BTD5350x：開啟高效功率控制新維度 在新能源與電力電子領(lǐng)域快速發(fā)展的今天，功率器件的高效驅(qū)動與可靠隔離成為系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的BTD5350x 單通道
2025-06-10 09:00:57628 
一個TEC控制器。開放式框架或集成式版本可選。 10引腳蝶形DFB版本 – 我們所有的驅(qū)動器都與這些10引腳外形尺寸兼容 1064nm半導(dǎo)體激光管可以在納秒脈沖模式中達(dá)到高輸出功率，最高可達(dá)2W。大多數(shù) “交鑰匙 “的激光管+驅(qū)動器解決方案均針對單發(fā)到CW性能進(jìn)行了優(yōu)
2025-06-04 09:41:38997 
在 LED 驅(qū)動領(lǐng)域，HTR3236 堪稱一款集高性能與高靈活性于一體的 36 路 LED PWM 驅(qū)動器，為各類 LED 應(yīng)用場景帶來全新解決方案。?
HTR3236 具備靈活的 PWM 頻率調(diào)節(jié)
2025-05-23 17:55:49
?STGAP4S具有高集成度、電隔離和診斷功能 ? 意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設(shè)置的安全保護(hù)和豐富的診斷
2025-05-23 10:42:511581 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.3 至 5.0 GHz、100 W 緊湊型高功率 SPDT 開關(guān)，帶集成驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.3 至 5.0 GHz、100 W 緊湊型高功率 SPDT
2025-05-19 18:31:52
步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器的核心需求是精準(zhǔn)的電流控制與高效的功率切換。飛虹半導(dǎo)體推出的FHP70N11V型號MOS管因其大電流能力、快速開關(guān)特性與低導(dǎo)通損耗，成為可替代IRF3710的選擇。
2025-05-13 13:49:49780 BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740 
在電力電子行業(yè)，隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率
2025-04-27 15:45:02693 
LED1202 是一款 12 通道低靜態(tài)電流 LED 驅(qū)動器;它保證 5 V 輸出驅(qū)動能力，每個通道能夠提供高達(dá) 20 mA 的電流，裕量電壓僅為 350 mV（典型值）。每個通道的輸出電流可通過 8 位模擬和 12 位數(shù)字調(diào)光控制單獨(dú)調(diào)節(jié)。
2025-04-15 17:31:571132 
，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能。MOSFET功率半導(dǎo)體是電壓型驅(qū)動，驅(qū)動的本質(zhì)是對柵極端口的電容充電，驅(qū)動峰值電流是受功率器件驅(qū)動電阻和驅(qū)動器內(nèi)
2025-04-14 17:04:231014 
LED6001 器件是一款 LED 驅(qū)動器，結(jié)合了一個升壓控制器和一個高端電流感應(yīng)電路，專為驅(qū)動一串高亮度 LED 而優(yōu)化。該器件與多種拓?fù)浼嫒?，如升壓、SEPIC 和浮動負(fù)載降壓-升壓。LED
2025-04-09 17:37:39993 
本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445 
，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能?，F(xiàn)在市場上功率半導(dǎo)體器件IGBT，MOSFET，SiCMOSFET和GaN，大都是電壓柵控器件，驅(qū)動起來比電流型
2025-04-07 18:06:111108 的控制器驅(qū)動器提供雙通道 2A 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器 用于 4 個外部橋式 MOSFET 以及用于次級側(cè)同步的控制信號 整流器 MOSFET。外部電阻器對 主和同步整流器控制信號。同步整流器的智能啟動 即使在 prebias 負(fù)載條件下，也允許電源轉(zhuǎn)換器的單調(diào)導(dǎo)通。
2025-03-28 09:56:041299 
驅(qū)動器提供雙通道 2A 高電流和 用于四個外部橋式 MOSFET 的低側(cè)柵極驅(qū)動器，以及用于 次級側(cè)同步整流器 MOSFET。外部電阻器對死區(qū)時間進(jìn)行編程，使能 初級 FET 的零伏開關(guān)。同步整流器的智能啟動允許 即使在預(yù)偏置負(fù)載條件下，功率轉(zhuǎn)換器的單調(diào)導(dǎo)通也是如此。
2025-03-27 17:56:06907 
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器。浮動溝道驅(qū)動器可用于獨(dú)立驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達(dá)300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:02
0 芯片簡介
SS6200 是一款經(jīng)過優(yōu)化的單相 MOSFET 柵極驅(qū)動器，可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET的柵極。
集成的自舉二極管減少了外部元件數(shù)量。具有較寬的工作電壓范圍，可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)
2025-03-17 16:10:59
芯片簡介
SS6209 將半橋 MOSFET 驅(qū)動器（高邊+ 低邊）集成到 SOP8 的封裝中。與分立元件解 決方案相比，SS6209 集成解決方案大大減少 了分立方案的寄生效應(yīng)和板空間
2025-03-12 14:40:26
芯片簡介
SS6208 將半橋 MOSFET 驅(qū)動器（高邊+ 低邊）集成到 3mm*3mm 8-pins DFN 的封裝中。
與分立元件解決方案相比，SS6208 集成解決 方案大大減少了分立
2025-03-07 09:27:56
芯片簡介
SS6209 將半橋 MOSFET 驅(qū)動器（高邊+ 低邊）集成到 SOP8 的封裝中。與分立元件解 決方案相比，SS6209 集成解決方案大大減少 了分立方案的寄生效應(yīng)和板空間
2025-03-06 15:55:22
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
在智能照明快速普及的今天，LED驅(qū)動器的性能直接決定了燈具的可靠性、能效與調(diào)光體驗(yàn)。傳統(tǒng)降壓型LED驅(qū)動器雖能滿足基礎(chǔ)需求，但在工業(yè)級應(yīng)用中，往往面臨輸入電壓范圍受限、效率不足、保護(hù)功能單一等痛點(diǎn)
2025-02-28 09:31:56
如何正確理解和應(yīng)用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅(qū)動器的輸入側(cè)一個可靠的功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路設(shè)計要從輸入側(cè)開始，輸入端可能會受到干擾，控制
2025-02-17 17:07:081016 用于 GaN 功率開關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動器產(chǎn)品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 和應(yīng)用這些驅(qū)動器的功能。每一個功率開關(guān)都需要一個驅(qū)動器，功率開關(guān)在系統(tǒng)中會承受高壓大電流，如何使得功率半導(dǎo)體優(yōu)雅地開通和關(guān)斷，驅(qū)動電路功不可沒。另外，驅(qū)動電路還需要承
2025-02-10 17:05:361466 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān) LED 驅(qū)動控制器可驅(qū)動外部 MOSFET，支持
2025-01-23 13:53:231245 ????????意法半導(dǎo)體STSPIN32系列集成化電機(jī)驅(qū)動器新增八款產(chǎn)品，滿足電動工具、家用電器、工業(yè)自動化等應(yīng)用的低成本、高性能要求。
2025-01-23 10:13:21990 器件或傳感器。 ? 隨著終端市場需求變化，對電機(jī)驅(qū)動器的要求也日新月異，其中不變的需求是高性能和高性價比。為了更好地賦能電機(jī)應(yīng)用創(chuàng)新，日前意法半導(dǎo)體（ST）宣布STSPIN32系列集成化電機(jī)驅(qū)動器新增八款產(chǎn)品，包括四種低壓新產(chǎn)品
2025-01-23 00:07:005231 在2025年1月14日，意法半導(dǎo)體宣布擴(kuò)展其STSPIN32系列集成化電機(jī)驅(qū)動器產(chǎn)品線，新增八款產(chǎn)品，旨在滿足電動工具、家用電器以及工業(yè)自動化等領(lǐng)域的低成本、高性能需求。
2025-01-16 17:01:251987 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331278 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:02:310
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論