DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產生正確的柵極驅動電壓。GVDD 用于為低側 MOSFET 產生柵極驅動電壓。柵極驅動架構支持高達 750mA 的峰值源電流和 1.5A 灌電流。
*附件：drv8351-sep.pdf

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負電壓瞬變;而高側柵極驅動器電源 BSTx 和 GHx 可以支持更高的正電壓瞬變 （57.5V） abs 最大電壓，從而提高系統的魯棒性。小傳播延遲和延遲匹配規格最大限度地減少了死區時間要求，從而進一步提高了效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側和高側提供欠壓保護。

特性

• 40V 三相半橋柵極驅動器
  • 驅動 N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅動器電源 （GVDD）：5-15V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達 40V 的電壓
• 輻射性能
  • 耐 SEL、SEB 和 SET 高達 LET = 43 MeV-cm2 /mg
  • SET 和 SEFI 表征高達 LET = 43 MeV-cm2 /mg
  • 每批硅片提供 TID 保證，最高可達 30 krad（Si）
  • TID 表征高達 30 krad（Si）
  • 在 SEE 和 SEB 期間觀察到交叉傳導事件。有關更多詳細信息，請參閱 SEE 報告。
• 空間增強塑料（太空 EP）：
  • 受控基線
  • 一個裝配/測試站點
  • 一個制造現場
  • 延長產品生命周期
  • 產品可追溯性
• 集成自舉二極管
• 支持反相和同相 INLx 輸入
• Bootstrap 柵極驅動架構
  • 750mA 源電流
  • 1.5- 灌電流
• SHx引腳上的低漏電流（<55μA）
• 絕對最大 BSTx 電壓高達 57.5V
• 在SHx上支持高達-22V的負瞬變
• 固定死區時間插入 200nS
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大絕對值為 20V
• 4nS典型傳播延遲匹配
• 緊湊的 TSSOP 封裝
• 使用電源塊進行高效的系統設計
• 集成保護功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數

方框圖

?一、核心產品概述?

• ?型號?：DRV8351-SEP（AEC-Q100認證，符合汽車及航天應用標準）
• ?功能?：集成自舉二極管的三相半橋柵極驅動器，專為驅動N溝道MOSFET設計
• ?關鍵特性?：
  • ?寬電壓支持?：GVDD供電5-15V，MOSFET電源（SHx）支持40V
  • ?高驅動能力?：750mA源電流/1.5A灌電流峰值輸出
  • ?抗輻射設計?：LET=43 MeV-cm2/mg下抗單粒子效應，30krad(Si)總劑量耐受
  • ?保護功能?：BST/GVDD欠壓鎖定、-22V負瞬態耐受（SHx引腳）
  • ?低延遲?：4ns典型傳播延遲匹配，固定200ns死區時間
  • ?封裝?：20引腳TSSOP（6.5×4.4mm）

?二、關鍵技術創新?

1. ?雙輸入模式?
   • 支持INLx引腳可配置為同相/反相輸入（通過不同型號實現）
2. ?抗輻射架構?
   • 采用Space-EP工藝，單晶圓廠/單測試站點全流程管控
3. ?動態保護機制?
   • 獨立比較器監測每相BST電壓，欠壓時自動關閉對應GHx輸出
   • 負瞬態耐受能力（SHx引腳支持-22V/2μs瞬態）

?三、典型應用場景?

• ?航天/國防?：推進器萬向節、天線指向機構
• ?工業?：無刷電機控制、反應輪驅動
• ?醫療設備?：精密運動控制系統

?四、電氣特性與設計要點?

?設計建議?：

1. ?電容選型?
   • 自舉電容≥100nF（建議X7R材質）
   • GVDD去耦電容≥1μF（與100nF高頻電容并聯）
2. ?布局要點?
   • 柵極電阻盡量靠近MOSFET放置
   • 功率回路面積最小化以降低寄生電感

?五、輻射性能數據?

• ?單粒子效應?：LET=43 MeV-cm2/mg下未發生閂鎖（但存在交叉導通現象，需外置保護電路）
• ?總劑量測試?：30krad(Si)下參數漂移<10%
• ?SEE報告?：需參考獨立測試文檔獲取詳細輻射事件數據