Texas Instruments LP5860T LED矩陣驅動器是一款大電流、高性能LED矩陣驅動器。該器件集成了18個恒定電流阱和N (N = 6/8/11)個開關MOSFET,以支持N × 18個LED點或N × 6個RGB LED。LP5860T集成了11個MOSFET,用于多達198個LED點或66個RGB LED。
數據手冊:*附件:Texas Instruments LP5860T LED矩陣驅動器數據手冊.pdf
LP5860T支持模擬調光和PWM調光方法。對于模擬調光,每個LED點均可進行256級調整。對于PWM調光,集成的8位或16位可配置PWM發生器可讓調光控制平順、無可聞噪聲。每個LED點也可任意映射到8位群組PWM中,從而實現調光控制。
LP5860T器件實現了完整的可尋址SRAM,從而最大程度地減少數據流量。集成了重影消除電路,可消除上下重影。Texas Instruments LP5860T還支持LED開路和短路檢測功能。1MHz(最大值)I^2^C和12-MHz(最大值)SPI均采用LP5860T封裝。
特性
- LED矩陣拓撲
- 六個恒定電流阱,帶七個掃描開關,用于42個LED點
- 可配置為1至7個掃描開關
- 工作電壓范圍
- V
CC/VLED范圍為2.7V至5.5V - 邏輯引腳兼容1.8 V、3.3 V和5 V
- V
- 靈活的調光選擇
- 18個高精度恒定電流阱
- 每個電流阱:100mA(V
CC≥ 3.3V時) - 器件間誤差:±5%
- 通道間誤差:±5%
- 相移,實現平衡瞬態功率
- 每個電流阱:100mA(V
- 超低功耗
- 關斷模式:I
CC≤ 1μA(EN =Low時) - 待機模式:I
CC≤ 10μA(EN =High和CHIP_EN = 0時)(保留數據) - 主動模式:通道電流 = 12.5mA時,I
CC= 5mA(典型值)
- 關斷模式:I
- 完全可尋址SRAM,可最大限度地減少數據流量
- 單個LED點開路/短路檢測
- 去重影和低亮度補償
- 接口選項
- IFS = Low時,1MHz(最大值)I^2^C接口
- IFS = High時,12MHz(最大值)SPI接口
簡化示意圖

LP5860T LED矩陣驅動器技術解析與應用指南
一、產品概述
LP5860T是德州儀器(TI)推出的11×18 LED矩陣驅動器,具有以下核心特性:
- ?198 LED驅動能力?:集成18個恒流源與11個掃描開關,支持198個LED點陣或66個RGB LED
- ?雙模調光方案?:支持8位模擬調光與8位/16位PWM調光
- ?寬電壓工作范圍?:VCC/VLED工作電壓2.7V-5.5V,邏輯引腳兼容1.8V/3.3V/5V
- ?超高精度輸出?:器件間誤差±5%,通道間誤差±5%
- ?超低功耗設計?:待機電流≤10μA,關斷電流≤1μA
- ?工業級可靠性?:工作溫度范圍-40°C至125°C(擴展型號支持-55°C至125°C)
二、關鍵電氣參數
1. 絕對最大額定值
| 參數 | 范圍 | 單位 |
|---|---|---|
| 電源電壓(VCC/VLED/VIO) | -0.5V至7V | V |
| 輸出電壓 | -0.5V至VCC+0.5V | V |
| 持續輸出電流 | ±25mA | mA |
| 結溫范圍 | -55°C至150°C | °C |
2. 典型性能
- ?輸出精度?:
- 器件間誤差±5%
- 通道間誤差±5%
- ?輸出飽和電壓?:
- 100mA負載時0.7V(典型)
- 50mA負載時0.6V(典型)
- ?PWM特性?:
- 頻率:62.5kHz/125kHz可選
- 分辨率:8位/16位可配置
三、功能架構
1. 矩陣拓撲結構
采用11×18矩陣架構,通過時間復用技術驅動198個LED點:
- ? 18個恒流源(CS0-CS17) ?:獨立電流控制
- ? 11個高邊PMOS開關(SW0-SW10) ?:掃描線控制
- ?支持6-11線掃描配置?:通過Max_Line_Num寄存器設置
2. 調光控制
模擬調光
- ? 3位全局最大電流(MC) ?:7檔輸出(7.5mA-100mA)
- ? 3組7位顏色電流(CC) ?:獨立RGB調節
- ? 8位點校正(DC) ?:每個LED點256級調節
PWM調光
- ?8位/16位獨立PWM?:每個LED點可配置
- ?3組8位PWM?:支持LED分組控制
- ?全局8位PWM?:統一亮度調節
- ?相位偏移技術?:125ns相移降低電流紋波
3. 保護功能
- ?LED開路檢測?:閾值0.25V(典型值)
- ?LED短路檢測?:閾值VLED-1V(典型值)
- ?熱關斷保護?:160°C觸發,145°C恢復
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:2.5V(上升)/1.9V(下降)
四、設計注意事項
1. 電源設計
- ?去耦電容布局?:
- VCC/VLED:1μF陶瓷電容(靠近引腳)
- VCAP:1μF(必須<1mm距離)
- VIO:1nF(靠近引腳)
- ?布線要求?:
- 電源線寬≥15mil(1A電流)
- 高頻路徑避免使用過孔
2. 熱管理
- ?PCB散熱設計?:
- 裸露焊盤必須良好接地
- 建議使用4層板設計
- 增加散熱過孔陣列
- ?電流降額建議?:
- 高溫環境(>85°C)時降額使用
- 多通道同時滿負荷需計算TJ
五、應用場景推薦
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該LP5860T是一款大電流、高性能的LED矩陣驅動器。該器件集成了 18 個恒流灌電流和 N 個 (N = 6/8/11) 開關 MOSFET,以支持 .該
LP5860T LED矩陣驅動器技術解析與應用指南
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