Texas Instruments LP5861T大電流LED驅動器集成了18個恒定電流阱和N (N = 6/8/11) 個開關MOSFET,以支持N × 18個LED點或N × 6個RGB LED。LP5861T是支持18個LED點或6個RGB LED的直接驅動版本。
數據手冊:*附件:Texas Instruments LP5861T大電流LED驅動器數據手冊.pdf
LP5861T支持模擬調光和PWM調光方法。對于模擬調光,每個LED點均可進行256級調整。對于PWM調光,集成的8位或16位可配置PWM發生器可讓調光控制平順、無可聞噪聲。每個LED點也可任意映射到8位群組PWM中,從而實現調光控制。
LP5861T器件實現了完整的可尋址SRAM,從而最大程度地減少數據流量。集成了重影消除電路,可消除上下重影。Texas Instruments LP5861T還支持LED開路和短路檢測功能。1MHz(最大值)I^2^C和12MHz(最大值)SPI均采用LP5861T封裝。
特性
- 工作電壓范圍
- V
CC/VLED范圍:2.7V至5.5V - 邏輯引腳兼容1.8 V、3.3 V和5 V
- V
- 靈活的調光選擇
- 18個大電流和精密恒定電流阱
- 每個電流阱:125mA(V
CC≥ 3.3V時) - 器件間誤差:±5%
- 通道間誤差:±5%
- 相移,實現平衡瞬態功率
- 每個電流阱:125mA(V
- 超低功耗
- 關斷模式:I
CC≤ 2 μA(EN =Low時) - 待機模式:I
CC≤ 10μA(EN =High和CHIP_EN = 0時)(保留數據) - 主動模式:通道電流 = 12.5mA時,I
CC= 5mA(典型值)
- 關斷模式:I
- 完全可尋址SRAM,可最大限度地減少數據流量
- 單個LED點開路和短路檢測
- 去光和低亮度補償
- 接口選項
- IFS = Low時,1MHz(最大值)I^2^C接口
- IFS = High時,12MHz(最大值)SPI接口
簡化示意圖

LP5861T大電流LED驅動器技術解析與應用指南
一、產品概述
LP5861T是德州儀器(TI)推出的18通道高電流LED驅動器,具有以下核心特性:
- ?18個高精度恒流源?:每通道支持125mA輸出電流(VCC≥3.3V)
- ?寬電壓工作范圍?:VCC/VLED工作電壓2.7V-5.5V,邏輯引腳兼容1.8V/3.3V/5V
- ?雙模調光控制?:
- 8位模擬調光(256級電流調節)
- 8位/16位PWM調光(最高125kHz頻率)
- ?超低功耗設計?:待機電流≤10μA,關斷電流≤2μA
- ?多重保護機制?:LED開路/短路檢測、熱關斷(160°C)、欠壓鎖定(UVLO)
- ?工業級可靠性?:工作溫度范圍-40°C至125°C(擴展型號支持-55°C至125°C)
二、關鍵電氣參數
1. 絕對最大額定值
| 參數 | 范圍 | 單位 |
|---|---|---|
| 電源電壓(VCC/VLED/VIO) | -0.5V至7V | V |
| 輸出電壓 | -0.5V至VCC+0.5V | V |
| 持續輸出電流 | ±25mA | mA |
| 結溫范圍 | -55°C至150°C | °C |
2. 典型性能
- ?輸出精度?:
- 器件間誤差±5%
- 通道間誤差±5%
- ?輸出飽和電壓?:
- 100mA負載時0.7V(典型)
- 50mA負載時0.6V(典型)
- ?PWM特性?:
- 頻率:62.5kHz/125kHz可選
- 分辨率:8位/16位可配置
- ?接口速率?:
- I2C:最高1MHz
- SPI:最高12MHz
三、設計注意事項
1. 電源設計
- ?去耦電容布局?:
- VCC/VLED:1μF陶瓷電容(靠近引腳)
- VCAP:1μF(必須<1mm距離)
- VIO:1nF(靠近引腳)
- ?布線要求?:
- 電源線寬≥15mil(1A電流)
- 高頻路徑避免使用過孔
2. 熱管理
- ?PCB散熱設計?:
- 裸露焊盤必須良好接地
- 增加散熱過孔陣列
- ?電流降額?:
- 高溫環境(>85°C)時建議降額使用
3. 寄存器配置流程
- 初始化電源(VCC/VLED/VIO)
- 設置Dev_initial寄存器:
- Data_Ref_Mode=2(幀同步模式)
- PWM_Fre=1(125kHz)
- 配置模擬調光參數:
- MC=6(100mA)
- CC=64(50%亮度)
- 寫入PWM數據
- 發送VSYNC同步信號
四、應用領域
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