Texas Instruments LP5866T大電流LED驅動器集成了18個恒定電流吸收器和N (N = 6/8/11) 個開關MOSFET,以支持N × 18個LED點或N × 6個RGB LED。LP5866T集成了六個MOSFET,用于多達108個LED點或36個RGB LED。
數據手冊:*附件:Texas Instruments LP5866T大電流LED驅動器數據手冊.pdf
LP5866T支持模擬調光和PWM調光方法。對于模擬調光,每個LED點均可進行256級調整。對于PWM調光,集成的8位或16位可配置PWM發生器可讓調光控制平順、無可聞噪聲。每個LED點也可任意映射到8位群組PWM中,從而實現調光控制。
LP5866T器件實現了完整的可尋址SRAM,從而最大程度地減少數據流量。集成了重影消除電路,可消除上下重影。Texas Instruments LP5866T還支持LED開路和短路檢測功能。1MHz(最大值)I^2^C和12MHz(最大值)SPI均采用LP5866T封裝。
特性
- LED矩陣拓撲
- 六個恒定電流阱,帶七個掃描開關,用于42個LED點
- 可配置為1至7個掃描開關
- 工作電壓范圍
- V
CC/VLED范圍:2.7V至5.5V - 邏輯引腳兼容1.8 V、3.3 V和5 V
- V
- 18個高精度恒定電流阱
- 每個電流阱:100mA(V
CC≥ 3.3V時) - 器件間誤差:±5%
- 通道間誤差:±5%
- 相移,實現平衡瞬態功率
- 每個電流阱:100mA(V
- 超低功耗
- 關斷模式:I
CC≤ 1μA(EN =Low時) - 待機模式:I
CC≤ 10μA(EN =High和CHIP_EN = 0時)(保留數據) - 主動模式:通道電流 = 12.5mA時,I
CC= 5mA(典型值)
- 關斷模式:I
- 完全可尋址SRAM,可最大限度地減少數據流量
- 單個LED點開路/短路檢測
- 靈活的調光選擇
- 去重影和低亮度補償
- 接口選項
- IFS = Low時,1MHz(最大值)I^2^C接口
- IFS = High時,12MHz(最大值)SPI接口
簡化示意圖

LP5866T大電流LED矩陣驅動器技術解析與應用指南
一、產品概述
LP5866T是德州儀器(TI)推出的高性能6×18 LED矩陣驅動器集成電路,具有以下核心特性:
- ?矩陣拓撲結構?:集成18個恒流源與6個掃描開關,可驅動108個LED點或36個RGB LED
- ?寬電壓工作?:VCC/VLED工作范圍2.7V-5.5V,邏輯引腳兼容1.8V/3.3V/5V
- ?超高精度輸出?:器件間誤差±5%,通道間誤差±5%
- ?靈活調光方案?:支持8位模擬調光和8位/16位PWM調光
- ?超低功耗設計?:關斷模式電流≤1μA,待機模式≤10μA
- ?工業級可靠性?:工作溫度范圍-40°C至125°C(擴展型號支持-55°C至125°C)
二、關鍵性能參數
1. 電氣特性
- 恒流源輸出能力:100mA/通道(VCC≥3.3V)
- 輸出飽和電壓(VSAT):
- 100mA負載時0.7V(典型值)
- 50mA負載時0.6V(典型值)
- 高邊開關導通電阻:310mΩ(典型值,VLED=5V)
- 電源電壓UVLO閾值:2.5V(上升)/1.9V(下降)
2. 調光性能
- ?模擬調光?:
- 全局3位最大電流(MC):7檔(7.5mA-100mA)
- 3組7位顏色電流(CC):獨立RGB調節
- 單點8位點校正(DC):每個LED點256級調節
- ?PWM調光?:
- 支持8位/16位獨立PWM
- 可配置125kHz/62.5kHz PWM頻率
- 無噪聲頻率>20kHz
三、設計注意事項
1. 電源設計
- ?去耦電容布局?:
- VCC/VLED:1μF陶瓷電容(靠近引腳)
- VCAP:1μF(必須<1mm距離)
- VIO:1nF(靠近引腳)
- ?布線要求?:
- 電源線寬≥15mil(1A電流)
- 高頻路徑避免使用過孔
2. 熱管理
- ?PCB散熱設計?:
- 裸露焊盤必須良好接地
- 建議使用4層板設計
- 增加散熱過孔陣列
- ?電流降額建議?:
- 高溫環境(>85°C)時降額使用
- 多通道同時滿負荷需計算結溫
四、應用場景
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發表于 04-01 10:22
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