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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

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2025-10-31 17:36:09228

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2025-10-31 17:31:08179

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2025-10-30 15:37:22324

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2025-10-28 17:44:21762

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功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

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。有的時(shí)候屏蔽罩也被設(shè)計(jì)用來防止電磁干擾。   目前,像TE品牌推出D-Subminiature 連接器產(chǎn)品組合適合多種應(yīng)用,帶有專用附件,能夠?yàn)槿魏慰蛻籼峁┻m合任意復(fù)雜應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型 D
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2025-07-08 17:31:041891

MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192435

電源功率器件篇:線路寄生電感對(duì)開關(guān)器件的影響

、降低線路寄生電感影響的方案 1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì) ▍縮短功率回路路徑 ? 將功率開關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少功率回路的面積。 ? 采用雙面布線的方式,在 PCB 正反兩面同時(shí)
2025-07-02 11:22:49

美國造車新勢(shì)力Rivian,下一代車型將使用英飛凌功率模塊

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近期英飛凌宣布,將為Rivian的R2平臺(tái)提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺(tái)將使用英飛凌HybridPACK Drive G2產(chǎn)品系列的碳化硅(SiC)和硅(Si)模塊
2025-06-22 00:02:002999

浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析

在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電流應(yīng)用中都有一些限制。因此,我們轉(zhuǎn)向了另一種
2025-06-17 10:10:142845

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸
2025-06-03 15:43:331152

揚(yáng)杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進(jìn)口,重構(gòu)國產(chǎn)化功率器件新生態(tài)

國產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國產(chǎn)替代浪潮中,揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝矩陣精準(zhǔn)對(duì)標(biāo)國際品牌,實(shí)現(xiàn)“零改設(shè)計(jì)、性能超越
2025-05-30 11:50:12627

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài): ? 結(jié)構(gòu)特性 ?:融合
2025-05-26 14:37:052284

英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列

近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì),降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804

IGBT模塊吸收回路分析模型

盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
2025-05-21 09:45:301051

什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?

、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復(fù)二極管,用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位; ? 晶體管 ?:含雙極結(jié)型晶體管(BJT)、MOSFET、IGBT等,兼具開關(guān)
2025-05-19 09:43:181297

IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 14:55:081426

功率器件開關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測(cè)試

功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測(cè)試,Vds peak電壓測(cè)試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試
2025-05-14 09:03:011260

風(fēng)華電阻RC系列特征解析:以RC-01W510JT為例

RC-01W510JT這款電阻為例,深入探討風(fēng)華電阻RC系列的特征。 一、RC-01W510JT的基本參數(shù) RC-01W510JT是風(fēng)華電阻RC系列中的一款經(jīng)典產(chǎn)品,其基本參數(shù)如下: 阻值:51Ω 精度:±5% 功率:50mW 最大工作電壓:25V 溫度系數(shù):±200ppm/℃ 工作溫度范圍:-55℃~+155℃ 封裝:0
2025-05-13 14:45:58664

芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:181050

英飛凌2EP EiceDRIVER? Power系列全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品全員到齊,收藏這篇就夠了!

英飛凌憑借其高性能功率開關(guān)器件和EiceDRIVER列的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器而聞名,每個(gè)功率開關(guān)都需要驅(qū)動(dòng)器,對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的選擇,英飛凌共有441個(gè)不同的型號(hào)(截止2025年1月16日),分別屬于非隔離型
2025-05-06 17:04:28796

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

英飛凌發(fā)布了新一代的IGBTRC-IGBT裸芯片,特別針對(duì)400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng),相
2025-05-06 14:08:48714

同軸分流器SC-CS10在功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試,可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12761

龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471042

全球首款!英飛凌推出集成SBD的GaN FET產(chǎn)品

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:003055

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564

IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)憑借其高效性和可靠性,成為中高功率
2025-04-27 15:45:02693

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡(jiǎn)稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量熱設(shè)計(jì)以保證IGBTIGBT變流器的溫升在
2025-04-22 10:30:151796

Microchip推出BR235和BR235D系列功率繼電器

MIL-PRF-83536規(guī)范和ISO-9001認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的BR235和BR235D系列25A QPL氣密封裝機(jī)電功率繼電器。該系列新型功率繼電器專為任務(wù)關(guān)鍵型商用航空、防務(wù)和航天應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些設(shè)備提供可靠的供貨和全球技術(shù)支持,為航空航天和防務(wù)客戶提供其執(zhí)行任務(wù)所需的可靠性和長期保障。
2025-04-21 14:48:451247

科士達(dá)與英飛凌深入合作,全棧創(chuàng)新方案引領(lǐng)高頻大功率UPS市場(chǎng)新趨勢(shì)

?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達(dá)已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26826

功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?

結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復(fù)合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導(dǎo)通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率變換應(yīng)用中成為主要的功率半導(dǎo)體器件。在電機(jī)控制器中,IGBT的主要作用是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動(dòng)
2025-04-15 18:27:451075

開關(guān)電源環(huán)路開關(guān)電源技術(shù)的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),仍保持開關(guān)速度快的特點(diǎn),是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件IGBT剛出現(xiàn)時(shí),電壓、電流額定值
2025-04-09 15:02:01

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415531

英飛凌推出用于超高功率密度設(shè)計(jì)的全新E型XDP混合反激控制器IC

【2025年3月26日, 德國慕尼黑訊】 繼推出業(yè)界首款PFC和混合反激(HFB)組合IC后,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼
2025-03-28 16:42:13758

MOSFET與IGBT的區(qū)別

做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過30%的IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn),其背后的邏輯不僅是市場(chǎng)份額爭(zhēng)奪的“回光返照
2025-03-21 13:18:121053

國產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)

進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應(yīng)對(duì)
2025-03-21 07:00:50933

英飛凌iSSI固態(tài)隔離器評(píng)估板免費(fèi)申領(lǐng)

英飛凌iSSI系列固態(tài)隔離器通過電氣隔離屏障提供強(qiáng)大的能量傳輸能力,采用無磁芯變壓器技術(shù),體積小巧,無需隔離電源就能驅(qū)動(dòng)非高頻調(diào)制工況的MOS型功率晶體管,IGBT或MOSFET,適用于固態(tài)開關(guān)
2025-03-17 16:06:23605

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

人形機(jī)器人設(shè)計(jì)中,哪些關(guān)鍵部位需要功率器件?典型電壓/電流參數(shù)如何設(shè)計(jì)?

我們正在研究人形機(jī)器人,想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問題: ? 功率器件分布不明確 :不清楚哪些關(guān)鍵部位必須使用高功率
2025-03-12 14:05:28

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案

DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板
2025-03-09 09:31:372315

國巨RC系列電阻的精度如何?

用戶更好地了解這一系列產(chǎn)品。 一、國巨RC系列電阻的精度范圍 國巨RC系列電阻提供了多種精度等級(jí)供用戶選擇,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。具體而言,該系列電阻的精度等級(jí)包括: B級(jí) :±0.1% D級(jí) :±0.5% F級(jí) :±1.0% J級(jí) :±5.0% 這些精
2025-03-07 14:29:13791

汽車48V、AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動(dòng),英飛凌OptiMOS 7系列器件解析

英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌 OptiMOS系列英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:002676

英飛凌車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A產(chǎn)品概述

英飛凌車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于EDT2技術(shù),封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:392919

英飛凌發(fā)布全新高性能PSOC Control微控制器系列

英飛凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具和軟件的支持下,這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
2025-02-20 09:22:201192

中微愛芯推出CBTLVD系列模擬開關(guān)

中微愛芯推出四款CBTLVD系列模擬開關(guān)
2025-02-12 14:21:301117

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾佳
2025-02-10 09:41:151007

英飛凌推出PSOC? Control MCU,提升電機(jī)控制與功率轉(zhuǎn)換效能

全球功率系統(tǒng)及物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司,近期推出了基于Arm?Cortex?-M33的高性能微控制器(MCU)系列——PSOC? Control。這款MCU系列專為電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換
2025-02-06 11:16:381238

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面,對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354

高壓護(hù)航,性能領(lǐng)先!納芯微推出智能隔離驅(qū)動(dòng)NSI67X0系列

納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(jí)(滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn))和工規(guī)等級(jí),可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-24 15:44:06867

納芯微推出車規(guī)級(jí)D類音頻功率放大器

納芯微今日宣布推出可用于汽車音頻系統(tǒng)的數(shù)字輸入車規(guī)級(jí)D類(Class D)音頻功率放大器NSDA6934-Q1,可實(shí)現(xiàn)四個(gè)通道音頻輸出,每通道可輸出最大75W功率,支持低延遲模式和最高192kHz的采樣率,具備靈活的開關(guān)頻率、調(diào)制方式和多種保護(hù)功能,可適配不同的汽車音頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-01-24 09:10:472425

英飛凌推出新型MOTIX BTM90xx系列全橋IC

英飛凌科技股份公司近期推出了專為有刷直流電機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的全新全橋/H橋集成電路(IC)產(chǎn)品系列——MOTIX? Bridge BTM90xx。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的問世,不僅進(jìn)一步豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容,還完善了其從驅(qū)動(dòng)器IC到高度集成化系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的MOTIX?低壓電機(jī)控制IC產(chǎn)品組合。
2025-01-22 17:07:061019

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-20 17:33:501975

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212260

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2025-01-11 06:32:432272

多維精密測(cè)量:半導(dǎo)體微型器件的2D&3D視覺方案

精密視覺檢測(cè)技術(shù)有效提升了半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)效率和質(zhì)量保障。友思特自研推出基于深度學(xué)習(xí)平臺(tái)和視覺掃描系統(tǒng)的2D和3D視覺檢測(cè)方案,通過9種深度學(xué)習(xí)模型、60+點(diǎn)云處理功能,實(shí)現(xiàn)PCB元器件IGBT質(zhì)量檢測(cè)等生產(chǎn)過程中的精密測(cè)量。
2025-01-10 13:54:191362

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng),
2025-01-06 17:05:481328

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