1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問世至今,從首發(fā)的T7,到成為擁有S7,H7,T7,E7,P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間,究竟有何區(qū)別?它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里?今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號(hào)上
2026-01-05 17:14:21
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Ω,精度為±1%,功率為1/16W,符合車規(guī)級(jí)AEC-Q200認(rèn)證要求。 二、RC0603系列 特點(diǎn) :尺寸適中,性能
2026-01-04 14:28:20
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RC吸收是指在電路設(shè)計(jì)中,尤其是在開關(guān)電源、功率電子設(shè)備以及電力電子系統(tǒng)中,使用電阻與電容串聯(lián)組成的電路結(jié)構(gòu),用于吸收和衰減電路中由于開關(guān)元件(如MOSFET、IGBT等)的快速切換所產(chǎn)生的過電壓和過電流現(xiàn)象。
2025-12-28 12:53:02
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探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06
517 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
225 ? TLE4960x磁性開關(guān).pdf 一、產(chǎn)品概述 TLE4960x磁開關(guān)是英飛凌推出的一系列高性能磁傳感器,主要用于測(cè)量垂
2025-12-18 15:40:09
184 在電力電子領(lǐng)域,IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-09 09:37:55
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在功率電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是至關(guān)重要的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于太陽能、UPS(不間斷電源)和ESS(儲(chǔ)能系統(tǒng))等領(lǐng)域。今天我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司推出
2025-12-03 14:31:27
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在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16
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在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,被廣泛應(yīng)用于各種高功率場(chǎng)景。而IGBT門極驅(qū)動(dòng)器的性能,直接影響著IGBT的開關(guān)特性和系統(tǒng)的整體性能。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的NCx5710y系列高電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:24:47
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~ ) 額定值為650V,采用D^2^PAK7封裝。其集電極-發(fā)射極飽和電壓 (V ~CE(SAT)~ ) 額定值為1.54V,集電極電流 (I ~C~ ) 額定值為70A。安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC性能表現(xiàn)優(yōu)異,兼具低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗,可在各類應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率。
2025-11-21 15:34:38
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【2025年11月10日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出全新集成開發(fā)環(huán)境(IDE)——AURIX
2025-11-12 16:14:29
66348 仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-11 09:18:36
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ADP7000系列示波器精準(zhǔn)捕捉每一瞬態(tài)在能源革命與半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天,IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)作為新一代功率半導(dǎo)體器件,已廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、軌道交通、特高壓輸電、氫能制等
2025-11-06 09:04:11
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-05 16:01:03
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仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12
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仁懋電子(MOT)推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開關(guān)特性,適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、工業(yè)大電流負(fù)載開關(guān)
2025-11-03 16:41:24
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仁懋電子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性,廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23
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仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:31:08
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仁懋電子(MOT)推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 15:37:22
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仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 14:53:11
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仁懋電子(MOT)推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力,廣泛適用于適配器、充電器的功率開關(guān)電路等領(lǐng)域
2025-10-30 14:47:55
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HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測(cè)試儀一:IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率
2025-10-29 10:39:24
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仁懋電子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-10-28 17:44:21
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仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00
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【2025年10月27日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出的英飛凌功率仿真平臺(tái)(IPOSIM)被廣泛用于計(jì)算功率模塊、分立器件及盤式器件的損耗
2025-10-27 17:03:45
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隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:30
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STGSH50M120D安裝在非常緊湊、堅(jiān)固耐用、易于表面貼裝的封裝中。 該器件針對(duì)硬開關(guān)換向的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化,其中短路耐受性是其基本特性。每個(gè)開關(guān)均包含一個(gè)正向壓降低的續(xù)流二極管。因此,該產(chǎn)品專為最大限度地提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的效率和功率密度而設(shè)計(jì)。
2025-10-16 17:15:07
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STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進(jìn)、專有的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向?qū)ê?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗上得到了性能優(yōu)化。包含一個(gè)低正向
2025-10-15 17:06:05
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9 月 28 日消息,兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議,雙方
2025-09-29 18:24:36
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全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)宣布,與英飛凌科技股份公司(總部位于德國諾伊比貝格,以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽能
2025-09-29 10:46:22
303 風(fēng)力發(fā)電實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP? 2 1700 V IGBT5功率模塊,提升金風(fēng)科技GW 155-4.5 MW構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)的能源效率。英飛凌的功率模塊憑借其高功率密度、高可靠性和高穩(wěn)定性優(yōu)勢(shì),確保風(fēng)能系統(tǒng)長久運(yùn)行。通過優(yōu)化能源效率,這些模塊有助于
2025-09-18 16:42:53
858 
,持續(xù)迭代升級(jí)IGBT和MOSFET技術(shù)平臺(tái),通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化的制造工藝和先進(jìn)的封裝方案,打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛
2025-09-16 14:56:05
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前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個(gè)極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,是現(xiàn)代工業(yè)社會(huì)從“用電”邁向
2025-09-10 18:04:01
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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新
2025-08-19 14:45:00
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在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)憑借其高效性和可靠性,成為中高功率
2025-08-12 14:42:49
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【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:09
1506 
在半導(dǎo)體功率器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中,精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測(cè)量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,意法半導(dǎo)體
推出了一款面向大
功率家電應(yīng)用的第二代IH
系列1600V
IGBT STGWA30IH160DF2,該
器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟
開關(guān)拓?fù)?/div>
2025-07-28 07:29:00
3529 。有的時(shí)候屏蔽罩也被設(shè)計(jì)用來防止電磁干擾。
目前,像TE品牌推出的 D-Subminiature 連接器產(chǎn)品組合適合多種應(yīng)用,帶有專用附件,能夠?yàn)槿魏慰蛻籼峁┻m合任意復(fù)雜應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型 D
2025-07-15 17:55:27
HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測(cè)試儀 一:IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn) 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試
2025-07-08 17:31:04
1891 在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:19
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、降低線路寄生電感影響的方案
1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì)
▍縮短功率回路路徑
? 將功率開關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少功率回路的面積。
? 采用雙面布線的方式,在 PCB 正反兩面同時(shí)
2025-07-02 11:22:49
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近期英飛凌宣布,將為Rivian的R2平臺(tái)提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺(tái)將使用英飛凌HybridPACK Drive G2產(chǎn)品系列的碳化硅(SiC)和硅(Si)模塊
2025-06-22 00:02:00
2999 在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電流應(yīng)用中都有一些限制。因此,我們轉(zhuǎn)向了另一種
2025-06-17 10:10:14
2845 
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸
2025-06-03 15:43:33
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國產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國產(chǎn)替代浪潮中,揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝矩陣精準(zhǔn)對(duì)標(biāo)國際品牌,實(shí)現(xiàn)“零改設(shè)計(jì)、性能超越
2025-05-30 11:50:12
627 IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài): ? 結(jié)構(gòu)特性 ?:融合
2025-05-26 14:37:05
2284 近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:42
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英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì),降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44
804 盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
2025-05-21 09:45:30
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、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復(fù)二極管,用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位; ? 晶體管 ?:含雙極結(jié)型晶體管(BJT)、MOSFET、IGBT等,兼具開關(guān)與
2025-05-19 09:43:18
1297 IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 14:55:08
1426 功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測(cè)試,Vds peak電壓測(cè)試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試
2025-05-14 09:03:01
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RC-01W510JT這款電阻為例,深入探討風(fēng)華電阻RC系列的特征。 一、RC-01W510JT的基本參數(shù) RC-01W510JT是風(fēng)華電阻RC系列中的一款經(jīng)典產(chǎn)品,其基本參數(shù)如下: 阻值:51Ω 精度:±5% 功率:50mW 最大工作電壓:25V 溫度系數(shù):±200ppm/℃ 工作溫度范圍:-55℃~+155℃ 封裝:0
2025-05-13 14:45:58
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在功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:18
1050 英飛凌憑借其高性能功率開關(guān)器件和EiceDRIVER列的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器而聞名,每個(gè)功率開關(guān)都需要驅(qū)動(dòng)器,對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的選擇,英飛凌共有441個(gè)不同的型號(hào)(截止2025年1月16日),分別屬于非隔離型
2025-05-06 17:04:28
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。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對(duì)400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng),相
2025-05-06 14:08:48
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1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試,可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12
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在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:47
1042 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:00
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中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50
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在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)憑借其高效性和可靠性,成為中高功率
2025-04-27 15:45:02
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0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡(jiǎn)稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量熱設(shè)計(jì)以保證IGBT及IGBT變流器的溫升在
2025-04-22 10:30:15
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MIL-PRF-83536規(guī)范和ISO-9001認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的BR235和BR235D系列25A QPL氣密封裝機(jī)電功率繼電器。該系列新型功率繼電器專為任務(wù)關(guān)鍵型商用航空、防務(wù)和航天應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些設(shè)備提供可靠的供貨和全球技術(shù)支持,為航空航天和防務(wù)客戶提供其執(zhí)行任務(wù)所需的可靠性和長期保障。
2025-04-21 14:48:45
1247 ?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達(dá)已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26
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IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:43
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結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復(fù)合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導(dǎo)通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率變換應(yīng)用中成為主要的功率半導(dǎo)體器件。在電機(jī)控制器中,IGBT的主要作用是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動(dòng)
2025-04-15 18:27:45
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”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),仍保持開關(guān)速度快的特點(diǎn),是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。
IGBT剛出現(xiàn)時(shí),電壓、電流額定值
2025-04-09 15:02:01
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:41
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【2025年3月26日, 德國慕尼黑訊】 繼推出業(yè)界首款PFC和混合反激(HFB)組合IC后,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼
2025-03-28 16:42:13
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做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過30%的IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn),其背后的邏輯不僅是市場(chǎng)份額爭(zhēng)奪的“回光返照
2025-03-21 13:18:12
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進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應(yīng)對(duì)
2025-03-21 07:00:50
933 英飛凌iSSI系列固態(tài)隔離器通過電氣隔離屏障提供強(qiáng)大的能量傳輸能力,采用無磁芯變壓器技術(shù),體積小巧,無需隔離電源就能驅(qū)動(dòng)非高頻調(diào)制工況的MOS型功率晶體管,IGBT或MOSFET,適用于固態(tài)開關(guān)
2025-03-17 16:06:23
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SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37
767 我們正在研究人形機(jī)器人,想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問題:
? 功率器件分布不明確 :不清楚哪些關(guān)鍵部位必須使用高功率
2025-03-12 14:05:28
英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53
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DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板
2025-03-09 09:31:37
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用戶更好地了解這一系列產(chǎn)品。 一、國巨RC系列電阻的精度范圍 國巨RC系列電阻提供了多種精度等級(jí)供用戶選擇,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。具體而言,該系列電阻的精度等級(jí)包括: B級(jí) :±0.1% D級(jí) :±0.5% F級(jí) :±1.0% J級(jí) :±5.0% 這些精
2025-03-07 14:29:13
791 看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:00
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英飛凌車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于EDT2技術(shù),封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:39
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英飛凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具和軟件的支持下,這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
2025-02-20 09:22:20
1192 中微愛芯推出四款CBTLVD系列模擬開關(guān)。
2025-02-12 14:21:30
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模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾佳
2025-02-10 09:41:15
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全球功率系統(tǒng)及物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司,近期推出了基于Arm?Cortex?-M33的高性能微控制器(MCU)系列——PSOC? Control。這款MCU系列專為電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換
2025-02-06 11:16:38
1238 功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面,對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:00
1354 納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(jí)(滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn))和工規(guī)等級(jí),可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-24 15:44:06
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納芯微今日宣布推出可用于汽車音頻系統(tǒng)的數(shù)字輸入車規(guī)級(jí)D類(Class D)音頻功率放大器NSDA6934-Q1,可實(shí)現(xiàn)四個(gè)通道音頻輸出,每通道可輸出最大75W功率,支持低延遲模式和最高192kHz的采樣率,具備靈活的開關(guān)頻率、調(diào)制方式和多種保護(hù)功能,可適配不同的汽車音頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-01-24 09:10:47
2425 英飛凌科技股份公司近期推出了專為有刷直流電機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的全新全橋/H橋集成電路(IC)產(chǎn)品系列——MOTIX? Bridge BTM90xx。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的問世,不僅進(jìn)一步豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容,還完善了其從驅(qū)動(dòng)器IC到高度集成化系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的MOTIX?低壓電機(jī)控制IC產(chǎn)品組合。
2025-01-22 17:07:06
1019 大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:57
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-20 17:33:50
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上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今
2025-01-15 18:05:21
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:11
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IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2025-01-11 06:32:43
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精密視覺檢測(cè)技術(shù)有效提升了半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)效率和質(zhì)量保障。友思特自研推出基于深度學(xué)習(xí)平臺(tái)和視覺掃描系統(tǒng)的2D和3D視覺檢測(cè)方案,通過9種深度學(xué)習(xí)模型、60+點(diǎn)云處理功能,實(shí)現(xiàn)PCB元器件、IGBT質(zhì)量檢測(cè)等生產(chǎn)過程中的精密測(cè)量。
2025-01-10 13:54:19
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設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng),
2025-01-06 17:05:48
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評(píng)論