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英飛凌IGBT7系列芯片大解析

IGBT7從2019年問世至今，從首發的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區別？它們各自的適用領域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。

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IGBT的電流是如何定義的

英飛凌IGBT模塊型號上是標稱電流，是基于一定的殼溫計算得到的集電極直流電流，與實際IGBT開關輸出電流并不是一個概念。

系統設計原則一：IGBT的最高工作結溫不允許超過Tvjmax。

系統設計原則二：IGBT最大電流取決于脈沖電流能力和反偏安全工作區，也就是IGBT關斷電流能力，一般是兩倍的標稱電流，設計中關斷電流不能超過反偏安全工作區，那么系統設計是安全可靠的。

圖：TRENCHSTOP IGBT4 IGC142T120T8RM數據手冊截圖

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經典導讀：IGBT驅動電流行為綜述

文章剖析了IGBT驅動電流的基本概念，通過實測案例和理論分析，揭示了在不同柵極電壓下，寄生電感如何影響IGBT的開關速度和損耗；探討了驅動設計時如何選取合適的驅動電流，以確保既滿足驅動能力要求，又避免引起開通振蕩。對于從事IGBT應用及相關領域研究的工程師和技術人員來說，無疑具有重要的參考價值！

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經典導讀：IGBT損耗計算

文章通過對比理想的開通波形和實際開通波形，詳細推導了開通損耗的計算公式，并提出了分段近似計算的方法來處理實際波形中的非線性部分。對于導通損耗，文章指出了Vce與Ic的關聯性，并給出了利用實際測試波形和規格書中的Vce-Ic曲線進行計算的步驟。

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碳化硅何以英飛凌？——

溝槽柵技術可靠性真相

全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背后其實是電氣化。在新型電氣能源架構中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉換次數增多。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉化效率至關重要。

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碳化硅何以英飛凌？——

SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。

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柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的

重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。

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驅動電路基礎知識和設計實戰寶典

驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細講解如何正確理解和應用這些驅動器的功能。

圖 1ED332xMC12N系列電隔離單通道驅動IC的輸入側框圖

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功率器件熱設計基礎文集

功率半導體器件熱設計系列文章上線！本專欄匯集了14篇由英飛凌資深專業人士撰寫的功率半導體器件熱設計系列文章，約3萬字，涵蓋熱阻、結溫、熱容等多方面知識，從熱阻基礎到瞬態熱測量，從結溫獲取到PCB設計，為你的熱設計難題提供專業、權威且實用的技術參考。

IGBT模塊的風冷散熱

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三相四線變換器拓撲與原理簡介

三相四線制配電具有穩定性高、適用范圍廣等優點，多應用于工商業、民用等低壓配電場景，在傳統的APF、UPS等應用里，三相四線變換器已被大量采用，近年來，工商業側儲能正以其經濟性、電網友好性等特點蓬勃發展，其中離網應用場景下，不平衡負載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。SiC MOSFET結合三相四橋臂變換器在此應用場景具有明顯的應用優勢。

圖. 變壓器式三相四線拓撲