一、什么是RC吸收？

RC吸收是指在電路設計中，尤其是在開關電源、功率電子設備以及電力電子系統中，使用電阻與電容串聯組成的電路結構，用于吸收和衰減電路中由于開關元件（如MOSFET、IGBT等）的快速切換所產生的過電壓和過電流現象。

反激變換器在 MOS 關斷的瞬間，由變壓器漏感 LLK與 MOS 管的輸出電容造成的諧振尖峰加在 MOS 管的漏極，如果不加以限制，MOS 管的壽命將會大打折扣。 因此需要采取措施，把這個尖峰吸收掉。

吸收是針對電壓尖峰而言，電壓尖峰從何而來？電壓尖峰的本質是什么？

電壓尖峰的本質是一個對結電容的dv/dt充放電過程，而dv/dt是由電感電流的瞬變（di/dt）引起的，所以，降低di/dt或者dv/dt的任何措施都可以降低電壓尖峰，這就是吸收。

二、RC吸收的作用是什么？

1、降低尖峰電壓。

2、緩沖尖峰電流。

3、降低di/dt和dv/dt，即改善EMI品質。

4、減低開關損耗，即實現某種程度的軟開關。

5、提高效率。提高效率是相對而言的，若取值不合理不但不能提高效率，弄不好還可能降低效率。

三、RC吸收的特點

1、雙向吸收。一個典型的被吸收電壓波形中包括上升沿、上升沿過沖、下降沿這三部分，RC吸收回路在這三個過程中都會產生吸收功率。通常情況下我們只希望對上升沿過沖實施吸收。因此這意味著RC吸收效率不高。

2、不能完全吸收。這并不是說RC吸收不能完全吸收掉上升沿過沖，只是說這樣做付出的代價太大。RC吸收最好定一個合適的吸收指標，不要指望它能夠把尖峰完全吸收掉。

3、RC吸收是能量的單向轉移，就地將吸收的能量轉變為熱能。盡管如此，這并不能說損耗增加了，在很多情況下，吸收電阻的發熱增加了，與電路中另外某個器件的發熱減少是相對應的，總效率不一定下降。設計得當的RC吸收，在降低電壓尖峰的同時也有可能提高效率。

四、吸收的誤區

1、Buck續流二極管反壓尖峰超標，就拼命的在二極管兩端加RC吸收。 這個方法卻是錯誤的。為什么？因為這個反壓尖峰并不是二極管引起的，盡管表現是在這里。這時只要加強MOS管的吸收或者采取其他適當的措施，這個尖峰就會消失或者削弱。

2、副邊二極管反壓尖峰超標，就在這個二極管上拼命吸收。 這種方法也是錯誤的，原因很清楚，副邊二極管反壓尖峰超標都是漏感惹的禍，正確的方法是處理漏感能量。

3、反激MOS反壓超標，就在MOS上拼命吸收。這種方法也是錯誤的。如果是漏感尖峰，或許吸收能夠解決問題。如果是反射電壓引起的，吸收不但不能能夠解決問題的，效率還會低得一塌糊涂，因為你改變了拓撲。

五、吸收的改善

書上網絡上都有關于吸收回路的計算方法的介紹，但由于寄生參數的影響，這些公式幾乎沒有實際意義，實際上大部分的RC參數是靠實驗來調整的，但RC的組合理論上有無窮多，怎么來初選這個值是很關鍵的，下面來介紹一些實用的理論和方法：

1、先不加RC，用容抗比較低的電壓探頭測出原始的震蕩頻率（注意用低電容的探頭，因為探頭的電容會引起震鈴頻率的改變，使設計結果不準），此震蕩是由LC 形成的，LC主要是變壓器次級漏感和布線的電感和輸出電容，C主要是二極管結電容和變壓器次級的雜散電容。

測量二極管D兩端原始振蕩頻率。此設計中為33.3MHz（未加RC吸收前）：

2、測出原始震蕩頻率后，可以試著在二極管上面加電容（與二極管并聯方式），直到震蕩頻率變為原來的1/2（一半），如圖增加的電容為470pF，下圖的震蕩頻率變為16.7MHz（只加了C9后）：

則原來震蕩的C（雜散電容）為所加電容的1/3（意思是470pF=3*C），震蕩的主體由原來的C變為了我們所加的電容C9；

3、知道了吸收電容C9的值就可以算R值了：

則振蕩是阻尼的，此電路中選擇R=33R，可以看到振蕩已基本完全消除（加了RC后）；

一般把R加到吸收C上時，震蕩就可以大大衰減。這時再適當調整C值的大小，直到震蕩基本被抑制。

六、吸收電路測試經驗總結

1、吸收電容C的影響

1、并非吸收越多損耗越大，適當的吸收有一個效率最高點。

2、吸收電容C的大小與吸收功率（R的損耗）呈正比關系。即：吸收功率基本上由吸收電容決定。

2、吸收電阻R的影響

1、吸收電阻的阻值對吸收效果干系重大，影響明顯。

2、吸收電阻的阻值對吸收功率影響不大，即：吸收功率主要由吸收電容決定。

3、當吸收電容確定后，一個適中的吸收電阻才能達到最好的吸收效果。

4、當吸收電容確定后，最好的吸收效果發生在發生最大吸收功率處。換言之，哪個電阻發熱最厲害就最合適。

5、當吸收電容確定后，吸收程度對效率的影響可以忽略。