很多人可能覺得PCB信號速率越高，如25Gbps，56G/112G-PAM4信號等調試上發現的問題會越多，其實不然。我們收到最多的調試問題還是DDR3、DDR4等，不是跑不到額度速率，就是識別不到
2026-01-05 15:46:16
探索HMC450QS16G / 450QS16GE：高效GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器 在當今的無線通信領域，功率放大器的性能直接影響著整個系統的表現。今天我們就來詳細探討一下
2025-12-31 17:05:04
1194 RZ/A3MHMIMPU對于高質量圖形顯示的應用要求，用戶通常采用功能強大及搭載DDR高速接口的MPU來實現更多功能和更流暢的畫面。但在開發過程會遇到DDR高速總線設計的難題，同時Linux系統
2025-12-24 12:06:10299 
;51、AVR、PIC、STM等8位或者32位單片機的串口與單片機智能顯示卡相連驅動3.5寸~55寸的TFT-LCD/VGA顯示器或者電視機進行單選按鈕控件的控制與
2025-12-19 15:23:31
、PIC、STM等8位或者32位單片機的串口與單片機智能顯示卡相連驅動3.5寸~55寸的TFT-LCD/VGA顯示器或者電視機進行單選按鈕控件的控制與顯示。單選按
2025-12-18 17:31:50
;51、AVR、PIC、STM等8位或者32位單片機的串口與單片機智能顯示卡相連驅動3.5寸~55寸的TFT-LCD/VGA顯示器或者電視機進行多個畫和子窗口的控
2025-12-18 14:32:50
Xtium3PCIeGen4近日，TeledyneDALSA宣布推出新一代圖像采集卡Xtium3PCIeGen4系列，旨在為高性能工業應用提供高持續吞吐量和即用型圖像數據
2025-12-05 17:04:40479 
2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產品采用華邦自有先進 16nm 制程技術，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
目錄一、實驗目的二、實驗設備三、實驗步驟3.1新建工程3.2新建畫面3.3添加控件3.4模擬工程3.5硬件驗證一、實驗目的51、AVR、PIC、STM等8位或者32位單片機的串口與單片機智能顯示卡
2025-12-02 16:29:34279 
20000
H56G42AS2DX014NGDDR6 16Gb 227K
H56C8H24AIR-S2C GDDR6 8Gb 800K
A3T1GF40CBF-GM21+ DDR3 1Gb 1KK
2025-11-27 15:58:19
本章的實驗任務是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試，讀寫的內存大小是 4K 字節。
2025-11-24 09:19:423467 
目錄1、實驗目的2、實驗設備3、實驗步驟3.1新建工程3.2新建畫面3.3添加控件3.4模擬工程3.5硬件驗證1、實驗目的單片機或PLC的串口與智能顯示卡相連驅動大尺寸VGA顯示器或電視機進行
2025-11-20 15:04:281172 
下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應的應該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發燒友網站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 10 月 30 日，韓國首爾 COEX 舉辦特別盛會，慶祝 GeForce 25 年創新歷程，致敬韓國玩家及合作伙伴。活動以英文與韓文進行全球直播。
2025-11-03 15:00:25541 由于FPGA內部存儲資源有限，很多時候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統進行存儲擴展。由于DDR3內部控制十分復雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進行控制
2025-10-29 07:16:34
文件夾內，打開文件夾。閱讀readme說明文檔，我們能夠知道，原作者采用了vivado MIG IP來控制開發板上的DDR3，由于芯來科技的E203平臺系統片內總線是icb總線，所以我們需要做跨時鐘域
2025-10-28 07:25:32
SD卡和OV5640的數據搬運進DDR中。
Setting
Value
Memory Type
DDR3 SDRAM
Max. clock period
3000ps
Clock ratio
4
2025-10-28 07:24:01
“ ?本文將詳細介紹 DDR5、LPDDR5 的技術細節以及 Layout 的規范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167359 
前言：2025年，存儲市場持續“高燒”——-國際大廠停產DDR3/4，減產LPDDR4/4X，漲價50%只是起步-國產料號月更、周更，同一料號不同Die，顆粒參數“開盲盒”-更大的坑是：對于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統頂層時鐘hfextclk、mig產生的用戶時鐘ui_clk，以此來實現跨時鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
模塊是在 DDR3 和傳感器都初始化完成之后才開始輸出數據的，避免了在 DDR3 初始化過程中向里面寫入數據。
為了避免當前讀取的圖像與上一次存入的圖像存在交錯這一情況，我們在 DDR 的其它
2025-10-24 06:53:17
] correct : %drn”,i,rd_data);
ddr_offset += 0x00000004;
}
（2）測試效果，讀數正確
vivado綜合：
注意：(1)綜合不需要例化ddr3模型，將
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大，使用片內存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大，使用片內存儲資源難以實現大量圖像數據
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大，使用片內存儲資源難以實現大量圖像數據
2025-10-21 08:43:39
DDR是硬件設計的重要一環，作為一名硬件工程師除了對DDR基礎和原理要有了解外，最重要的也就是對DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進行描述，學習DDR的關鍵設計要注意和了解的部分。
2025-10-10 09:15:242073 
回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現金高價回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3301-SP VTT 穩壓器的快速瞬態響應允許在讀/寫條件下提供非常穩定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。
2025-09-09 14:28:07713 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩壓器的快速瞬態響應允許在讀/寫條件下提供非常穩定的電源
2025-09-09 13:53:22687 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩壓器的快速瞬態響應允許在讀/寫條件下提供非常穩定的電源
2025-09-09 13:48:37754 
使用 FatFs 顯示 SD 卡中的 JPEG 文件
2025-09-04 06:20:32
3A，支持測試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評估模塊配有方便的測試點和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲器終端穩壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規級存儲產品。在產品覆蓋、技術支持和供應保障等方面的綜合優勢，使貞光科技成為車載電子領域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
DDR3 作為第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器，在內存發展歷程中具有重要地位。它采用了8n預取架構，即每個時鐘周期能夠傳輸8倍于數據位寬的數據量，這使得數據傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數據線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數據線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 ? 本原創文章由深圳市小眼睛科技有限公司創作，版權歸本公司所有，如需轉載，需授權并注明出處（www.meyesemi.com)
1.實驗簡介
實驗目的：
完成 DDR3 的讀寫測試。
實驗環境
2025-07-10 10:46:48
的RGB格式的圖像數據流。
階段三：DDR3幀緩存 (Frame Buffering)
視頻數據流的速度和顯示刷新的速度往往不匹配，或者后續處理需要訪問整幀圖像，因此需要一個大容量的DDR3內存作為幀
2025-07-06 15:18:53
艾為推出SIM卡電平轉換產品AW39103，其憑借優異的性能，成功通過高通平臺認證，并獲得高通最高推薦等級(GOLD)。圖1高通平臺認證隨著手機平臺處理器工藝向4nm/3nm演進，其I/O電平已降至
2025-07-04 18:06:291030 
近日，大眾“GT”持續高光：在2025 ID.Festival上，上汽大眾ID.3 GTX套件款正式上市，將GT文化帶入電動時代；令人期待的是，大眾另一輛全新“GT”車型——上汽大眾新凌渡L GTS也已蓄勢待發，將在不久后面世。
2025-06-28 16:11:28808 電子發燒友網綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現“價格倒掛”現象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 DDR內存占據主導地位。全球DDR內存市場正經歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉向DDR5和HBM（高帶寬內存）生產，DDR3和DDR4市場呈現供不應求、供需失衡、漲勢延續的局面。未來，DDR5滲透率將呈現快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術應用打造
2025-06-25 09:13:14
近日，為貫徹落實國家金融科技發展戰略，郵儲銀行北京分行與國金認證聯合發布“金鴻實驗室”，并攜手產業伙伴重磅發布了系列“基于RISC-V的金融IC卡產品”。其中，搭載全球首款開放式軟硬件架構安全芯片E450R的銀行卡試點首發，中國金融基礎設施的全面國產化進程取得里程碑式突破。
2025-06-20 10:13:201288 電子發燒友網為你提供()450-470 MHz 發射/接收前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有450-470 MHz 發射/接收前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，450
2025-06-16 18:31:18
實現將SC130GS采集的黑白圖像數據緩存進DDR3，并以1024*600@60的視頻時序輸出到LVDS 屏幕顯示。其中，DDR3工作頻率為600MHz，SC130GS輸入的圖像數據大小為1280
2025-06-16 18:03:573961 
隨著計算密集型任務的日益增長，DDR4內存的性能瓶頸已逐步顯現。DDR5的出現雖解燃眉之急，但真正推動內存發揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
電子發燒友網為你提供()450 MHz 發射/接收前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有450 MHz 發射/接收前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，450 MHz 發射/接收前端模塊真值表，450 MHz 發射/接收前端模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-06-10 18:32:57
隨著汽車產業向智能化、網聯化加速轉型，高級駕駛輔助系統（ADAS）和智能駕駛技術已成為現代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內領先的存儲器芯片制造商，其車規級DDR3存儲產品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
對于高質量圖形顯示的應用要求，用戶通常采用功能強大及搭載DDR高速接口的MPU來實現更多功能和更流暢的畫面。但在開發過程會遇到DDR高速總線設計的難題，同時Linux系統難以實現類似MCU的快速啟動性能。瑞薩新推出的RZ/A3M HMI MPU幫助客戶解決這些問題。
2025-05-27 16:14:30894 
、威剛TF卡，索尼TF卡、創見TF卡.......長期大量回收內存SD卡，回收全新內存卡，收購原裝內存卡，回收DDR，收購DDR。
本公司長期回收高存儲容量，最常用的容量：8GB、16GB、32GB
2025-05-21 17:48:25
楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 下面是調用的DDR3模塊的，模塊的倒數第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產生的系統時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標準 DDR-SDRAM 終止規范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設計不規范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統頻繁死機。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內存提供完整的電源 系統。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它集成了同步降壓穩壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態響應，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內存系統。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現內存系統。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
在全球科技競爭加劇、國產替代加速推進的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內存芯片領域的技術積累，不斷實現突破，推動國產存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應用而設計。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內存
2025-04-09 15:31:25657 
我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存器編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設備使用的是 MT41K128M16JT-107，即 DDR3-1866，這意味著它的時鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35
燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設計，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環境
2025-03-17 09:59:21
：NT5CC256M16EP-EKI DDR3(L) 4Gb SDRAM CL-TRCD-TRP｛13-13-13｝
手冊要求 933MHz Clock但是STM32MP13x 最高給 DDRC 頻率
2025-03-11 07:11:03
-GTS Techlabs與Peacom在2025年世界移動通信大會上宣布建立戰略合作伙伴關系，共同推動企業即時通訊改革 西班牙巴塞羅那2025年3月6日?/美通社/ -- Globe
2025-03-06 14:42:08785 
DDR內存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設計的架構來優化內存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達到32KHz，在目前的EVM上可以實現嗎？
2. 如果第1個問題回答是否定的，那么如何設計才能達到高刷新率？
3.EVM上的內存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
2025年2月20日 /美通社/ -- 技嘉科技（GIGABYTE）宣布搭載 NVIDIA? Blackwell 架構的 GeForce RTX? 50 系列顯卡正式上市，包含RTX? 5090 D
2025-02-21 09:53:331463 特點DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM。請參閱DDR3（1.5 V）SDRAM磨合時（模具版本：E）數據表規格1.5V兼容模式。特征?VDD=VDDQ=1.35V
2025-02-19 16:19:23
據報道，業內人士透露，全球三大DRAM內存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內正式停產已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內存。 隨著技術的不斷進步和消費級平臺的更新換代
2025-02-19 11:11:513460 英倫科技在裸眼3D顯示領域推出了多款創新產品，涵蓋了從便攜式設備到大型室內顯示屏的廣泛應用場景。
2025-02-12 09:45:2718 
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內存模塊，專為滿足現代計算需求而設計。該產品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應用于個人電腦、服務器和嵌入式系統中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
旗艦散熱方案,釋放顯卡強勁性能 ?日前— 技嘉科技-主板、顯卡和硬件解決方案制造商,隆重推出搭載 NVIDIA? 革命性 Blackwell 架構的 GeForce RTX 5090 D 和 RTX
2025-01-28 10:31:002026 
創見（Transcend）近日宣布面向消費領域推出DDR5 6400 CUDIMM內存條，為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內容創作者、計算機DIY
2025-01-24 11:16:181754 Thunderbolt 3 4 SDI 1080P 60FPS 視頻采集卡，適用于 Windows > Thunderbolt 3 40Gbps 視頻采集卡 > 4 通道 SDI
2025-01-16 14:10:34
，英偉達將推出適用于Apple Vision Pro、Meta Quest 3/3S以及Pico等設備的原生GeForce Now云游戲應用。這
2025-01-08 14:47:06893 NVIDIA 宣布為游戲玩家、創作者和開發者推出最先進的消費級 GPU——GeForce RTX 50 系列臺式機和筆記本電腦 GPU。
2025-01-08 11:05:091471 NVIDIA GeForce RTX? 50 系列顯示芯片設計的散熱系統,可大幅提升高負載需求的游戲表現。以 "Evolution of Ten" 為設計概念,技嘉新系列顯卡提升高達 10% 散熱效率,并減少 10% 整體體積,提供高游戲性能及更輕松上手的 PC 組裝體驗。
2025-01-07 17:57:11829 NVIDIA 和 GeForce RTX GPU 專為 AI 時代打造。
2025-01-06 10:45:191367
電子發燒友App
工商網監
評論