該TPS7H3302是一款具有內(nèi)置VTTREF緩沖器的耐輻射雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)3-A終端穩(wěn)壓器。該穩(wěn)壓器專門設(shè)計用于為單板計算機、固態(tài)記錄儀和有效載荷處理等空間 DDR 終端應(yīng)用提供完整、緊湊、低噪聲的解決方案。
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。該TPS7H3302還包括一個內(nèi)置的 VTTREF 電源,可跟蹤 VTT 以進一步減小解決方案尺寸。為了實現(xiàn)簡單的電源排序,使能輸入和電源良好輸出 (PGOOD) 都集成到TPS7H3302中。使能信號還可用于在掛起至 RAM (S3) 掉電模式下對 VTT 進行放電。
*附件:tps7h3302-sp.pdf
特性
- 提供 QMLP TPS7H3302-SP 標(biāo)準(zhǔn)微電路圖 (SMD),5962R14228
- 提供空間增強塑料供應(yīng)商項目圖紙,VID V62/22615
- 表征的總電離劑量 (TID)
- 輻射硬度保證 (RHA) 合格,總電離劑量 (TID) 100 krad(Si) 或 50 krad(Si)
- 單事件效應(yīng) (SEE) 表征
- 單事件閂鎖 (SEL)、單事件柵極破裂 (SEGR)、單事件燒毀 (SEB) 免疫高達 LET = 70 MeV-cm2 /mg
- 單事件瞬態(tài) (SET)、單事件功能中斷 (SEFI) 和單事件擾動 (SEU),表征高達 70 MeVcm2 /mg
- 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應(yīng)用
- 輸入電壓:支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
- 低至 0.9 V 的獨立低壓輸入 (VLDOIN) 可提高電源效率
- 3-A 灌電流和源端接穩(wěn)壓器
- 為電源排序啟用輸入和電源良好輸出
- VTT端接穩(wěn)壓器
- 輸出電壓范圍:0.5 至 1.75 V
- 3A 灌電流和源電流
- 帶檢測輸入的集成精密分壓器網(wǎng)絡(luò)
- 遙感 (VTTSNS)
- VTTREF 緩沖引用
- VDDQSNS 精度為 49% 至 51% (±3 mA)
- ±10 mA 灌電流和源電流
- 集成欠壓鎖定 (UVLO) 和過流限制 (OCL) 功能
- 塑料包裝
參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
- ?型號?:TPS7H3302-SP(QMLP級)和TPS7H3302-SEP(航天增強塑料級),支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4終端應(yīng)用。
- ?核心功能?:3A雙向(灌/拉電流)終端穩(wěn)壓器,集成VTTREF緩沖器,專為航天DDR終端設(shè)計(如衛(wèi)星電源系統(tǒng)、載荷處理等)。
?2. 關(guān)鍵特性?
- ?輻射耐受性?:
- 總電離劑量(TID)達100 krad(Si)(SP)或50 krad(Si)(SEP)。
- 抗單粒子效應(yīng)(SEE),包括閂鎖(SEL)、燒毀(SEB)等,LET閾值達70 MeV-cm2/mg。
- ?電氣性能?:
- 輸入電壓:支持2.5V/3.3V軌,VLDOIN最低0.9V以提高能效。
- 輸出電壓范圍:0.5V至1.75V(VTT),精度±1%(VTTREF跟蹤VDDQSNS的49%-51%)。
- 集成使能(EN)和電源良好(PGOOD)信號,支持電源時序控制。
?3. 應(yīng)用場景?
- 衛(wèi)星電力系統(tǒng)(EPS)、光學(xué)/雷達成像載荷、單板計算機等航天電子設(shè)備。
?4. 封裝與型號選項?
- ?封裝?:32引腳HTSSOP DAP(6.1mm×11mm,0.184g)。
- ?型號差異?:
- TPS7H3302-SP:QMLP-RHA認證,100 krad(Si) TID。
- TPS7H3302-SEP:航天級塑料封裝,50 krad(Si) TID。
?5. 設(shè)計要點?
- ?布局建議?:
- 輸入/輸出電容需低ESR,VTT遠端感應(yīng)(VTTSNS)需獨立走線以減少壓降。
- 熱焊盤需通過多過孔連接至地平面以優(yōu)化散熱。
- ?電源管理?:支持S3(掛起到RAM)和偽S5模式,通過EN引腳控制VTT放電。
?6. 性能參數(shù)?
- ?負載調(diào)整率?:±30mV(VTT相對VTTREF,-3A至3A負載)。
- ?保護功能?:欠壓鎖定(UVLO)、過流限制(OCL)及熱關(guān)斷(非標(biāo)稱工作條件)。
?7. 文檔支持?
- 包含輻射測試報告(SLVK132)、評估板指南(SLVUCK2)及JEDEC兼容性說明。
-
電源
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穩(wěn)壓器
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DDR
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輸出電壓
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終端
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TPS7H3301-SP TPS7H3X01 灌/拉 DDR 終端穩(wěn)壓器
用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
ISL 700005SEH ISL 730005SEH:用于DDR VDDQ和的輻射硬化雙輸出3A同步降壓和±1A LDO穩(wěn)壓器VTT
1.5V 至 7V 輸入、3A、耐輻射LDO穩(wěn)壓器TPS7H1101A-SP數(shù)據(jù)表
內(nèi)置VREF的灌電流/拉電流抗輻射加固型3A DDR終端穩(wěn)壓器TPS7H3301-SP數(shù)據(jù)表
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TPS7H3302-SP 和 TPS7H3302-SEP 3A DDR 耐輻射終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
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1.5V至7V輸入3A耐輻射 、超低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器TPS7H1101-SP數(shù)據(jù)表
?TPS7H3302-SP/TPS7H3302-SEP 輻射硬化DDR終端穩(wěn)壓器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS7H3302-SP 3A DDR輻射硬化終端穩(wěn)壓器技術(shù)文檔總結(jié)
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