LP2998 線性穩壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接,帶 VDDQ分鐘 的 1.35 V。該器件包含一個高速運算放大器,可提供出色的響應 負載瞬變。輸出級可防止擊穿,同時提供 1.5 A 連續電流 以及 DDR-SDRAM 端接所需的應用中高達 3 A 的瞬態峰值。LP2998 系列 還集成了 VSENSE 引腳,以提供出色的負載調節和 V裁判輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。
LP2998 的另一個功能是低電平有效關斷 (SD) 引腳,提供 Suspend To RAM (STR) 功能。當 SD 被拉低時,VTToutput 將三態 提供高阻抗輸出,但是,V裁判將保持活動狀態。一 在此模式下,可以通過較低的靜態電流獲得 SAVINGS ADVANTAGE。
*附件:lp2998-q1.pdf
特性
- AEC-Q100 測試指南,結果如下(SO PowerPAD-8):
- 器件 HBM ESD 分類等級 H1C
- 結溫范圍 –40°C 至 125°C
- 1.35 V 最小 V
DDQ - 拉電流和吸收電流
- 低輸出電壓偏移
- 無需外部電阻器
- 線性拓撲
- 掛起到 RAM (STR) 功能
- 外部元件數量少
- 熱關斷
參數
方框圖
1. 概述
LP2998-Q1 是一款線性穩壓器,專為滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準而設計,用于 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存的終止。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線終止,并具有低輸出電壓偏移、快速瞬態響應和高電源抑制比等特點。
2. 主要特點
- ?AEC-Q100 認證?:適用于汽車應用
- ?DDR 終止?:支持 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存
- ?低 V_DDQ?:最小值為 1.35V
- ?高速運算放大器?:提供優秀的負載瞬態響應
- ?輸出階段?:可防止穿透,同時提供 1.5A 連續電流和高達 3A 的瞬態峰值電流
- ?V_SENSE 引腳?:提供卓越的負載調節
- ?V_REF 輸出?:作為芯片組和 DIMMs 的參考電壓
- ?低外部組件計數?:無需外部電阻
- ?熱關斷保護?:防止過熱損壞
- ?掛起至 RAM (STR) 功能?:通過 SD 引腳實現低功耗模式
3. 應用場景
- ?汽車信息娛樂系統?
- ?工業/醫療設備?
- ?FPGA 供電?
4. 引腳配置與功能
LP2998-Q1 采用 SO PowerPAD-8 封裝,主要引腳包括:
- ?GND?:接地
- ?SD?:關斷引腳,低電平有效
- ?V_SENSE?:反饋引腳,用于調節 V_TT
- ?V_REF?:緩沖內部參考電壓輸出
- ?AVIN?:模擬輸入引腳
- ?PVIN?:電源輸入引腳,專用于輸出級
- ?VTT?:輸出電壓,用于連接終止電阻
- ?EP?:外露焊盤,熱連接,接地
5. 功能描述
- ?線性穩壓器?:輸出 V_TT 能夠精確調節至 V_DDQ/2,同時支持源電流和灌電流。
- ?高速運算放大器?:提供快速負載瞬態響應。
- ?分離電源軌?:模擬電路和功率輸出級采用不同的電源軌,降低內部功耗。
- ?STR 功能?:SD 引腳拉低時,V_TT 輸出三態,但 V_REF 保持激活。
6. 電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:AVIN 為 2.2V 至 5.5V,PVIN 為 0V 至 AVIN
- ?輸出電壓?:V_TT 根據 V_DDQ 調節,例如 V_DDQ = 2.5V 時,V_TT = 1.25V
- ?負載調節?:通過 V_SENSE 引腳實現遠程負載調節
- ?靜態電流?:典型值為 500μA
- ?熱關斷溫度?:約 165°C
7. 典型應用電路
數據手冊中提供了多個典型應用電路,包括 DDR-III、DDR-II、SSTL-2 和 HSTL 應用,以及如何通過反饋電阻進行電平移位。
8. 布局與熱設計指南
- ?輸入電容?:應靠近 PVIN 引腳放置,推薦值為 50μF 電解電容或 10μF 陶瓷電容。
- ?V_SENSE 引腳?:應連接到 V_TT 終止總線的中心位置,以提供最佳的負載調節。
- ?熱設計?:通過多層板設計、過孔和銅皮來優化熱性能。
9. 封裝與訂購信息
LP2998-Q1 提供 SO PowerPAD-8 封裝選項,具有 RoHS 環保認證。數據手冊中提供了詳細的封裝尺寸、引腳分配和訂購信息。
10. 注意事項
- 在使用期間,應遵守數據手冊中提供的絕對最大額定值和推薦操作條件。
- 注意靜電放電保護,避免損壞器件。
- 數據手冊中的信息僅供參考,實際設計時應進行充分的驗證和測試。
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