該TPS7H3302是一款具有內置VTTREF緩沖器的耐輻射雙倍數據速率（DDR）3-A終端穩壓器。該穩壓器專門設計用于為單板計算機、固態記錄儀和有效載荷處理等空間 DDR 終端應用提供完整、緊湊、低噪聲的解決方案。

該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩壓器的快速瞬態響應允許在讀/寫條件下提供非常穩定的電源。該TPS7H3302還包括一個內置的 VTTREF 電源，可跟蹤 VTT 以進一步減小解決方案尺寸。為了實現簡單的電源排序，使能輸入和電源良好輸出 （PGOOD） 都集成到TPS7H3302中。使能信號還可用于在掛起至 RAM （S3） 掉電模式下對 VTT 進行放電。
*附件：tps7h3302-sep.pdf

特性

• 提供 QMLP TPS7H3302-SP 標準微電路圖 （SMD），5962R14228
• 提供空間增強塑料供應商項目圖紙，VID V62/22615
• 表征的總電離劑量 （TID）
  • 輻射硬度保證 （RHA） 合格，總電離劑量 （TID） 100 krad（Si） 或 50 krad（Si）
• 單事件效應 （SEE） 表征
  • 單事件閂鎖 （SEL）、單事件柵極破裂 （SEGR）、單事件燒毀 （SEB） 免疫高達 LET = 70 MeV-cm2 /mg
  • 單事件瞬態 （SET）、單事件功能中斷 （SEFI） 和單事件擾動 （SEU），表征高達 70 MeVcm2 /mg
• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應用
• 輸入電壓：支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
• 低至 0.9 V 的獨立低壓輸入 （VLDOIN） 可提高電源效率
• 3-A 灌電流和源端接穩壓器
• 為電源排序啟用輸入和電源良好輸出
• VTT端接穩壓器
  • 輸出電壓范圍：0.5 至 1.75 V
  • 3A 灌電流和源電流
• 帶檢測輸入的集成精密分壓器網絡
• 遙感 （VTTSNS）
• VTTREF 緩沖引用
  • VDDQSNS 精度為 49% 至 51% （±3 mA）
  • ±10 mA 灌電流和源電流
• 集成欠壓鎖定 （UVLO） 和過流限制 （OCL） 功能
• 塑料包裝

參數

方框圖

?1. 核心特性?

• ?輻射防護?
  • 總電離劑量（TID）耐受：100 krad(Si)（SP版）/50 krad(Si)（SEP版）
  • 單粒子效應（SEE）免疫：包括閂鎖（SEL）、柵極擊穿（SEGR）、燒毀（SEB）等，LET閾值達70 MeV·cm2/mg。
• ?電氣性能?
  • 支持DDR1至DDR4終端應用，輸入電壓范圍2.5V/3.3V，VLDOIN低至0.9V以提升能效。
  • 3A源/吸電流能力，集成精密分壓網絡與遠程感應（VTTSNS）。
  • 內置VTTREF緩沖參考電壓（精度±1%），支持快速瞬態響應。

?2. 關鍵功能模塊?

• ?VTT穩壓器?
  • 輸出電壓范圍0.5V~1.75V，通過VTTSNS引腳實現遠程負載點調節。
  • 集成使能（EN）和電源良好（PGOOD）信號，支持電源時序控制。
• ?VTTREF參考輸出?
  • 跟蹤VDDQSNS的50%，提供±10mA驅動能力，需外接0.1μF陶瓷電容。
• ?保護機制?
  • 欠壓鎖定（UVLO）、過流限制（OCL）及熱關斷（210°C觸發）。

?3. 應用場景?

• ?航天電子系統?
  • 衛星電源（EPS）、指令數據處理（C&DH）、光學/雷達成像載荷。
• ?DDR終端設計?
  • 適用于單板計算機、固態記錄器及空間DDR內存終端（如DDR3L/DDR4）。

?4. 設計要點?

• ?布局建議?
  • 輸入/輸出電容需貼近引腳以降低ESR/ESL影響，VTTSNS需獨立走線至負載端。
  • 熱焊盤需通過多通孔連接至內部地平面以優化散熱。
• ?電源配置?
  • 推薦VLDOIN與VDDQ隔離，或使用RC濾波減少瞬態干擾。
  • 最小輸出電容470μF（組合鉭電容與MLCC），確保穩定性。

?5. 封裝與型號?

• ?封裝?：32引腳HTSSOP帶散熱焊盤（6.1mm×11mm，0.184g）。
• ?型號選項?
  • ?TPS7H3302-SP?：QMLP-RHA認證，100 krad(Si)耐受。
  • ?TPS7H3302-SEP?：航天增強塑料封裝，50 krad(Si)耐受。