Texas Instruments TPS7H3302EVM評估模塊設計 用于評估TPS7H3302-SEP 抗輻射3A DDR 終端穩壓器的性能。TPS7H3302EVM評估模塊的工作輸出電流高達3A，支持測試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評估模塊配有方便的測試點和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲器終端穩壓器。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPS7H3302EVM評估模塊數據手冊.pdf

特性

• 支持測試DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4
• 內置瞬態負載測試電路
• 輸入內核電壓VDD 支持2.5V電源軌和3.3V電源軌
• VLDOIN和VDDQ電壓范圍：0.9V至3.5V
• 動態性能評估特性：
  • 灌電流和拉電流集成負載開關，用于瞬態負載步進仿真
  • 可通過板載電阻器實現可配置的負載步進和轉換率控制
• 跳線J14（引腳1和2），用于器件使能（無需安裝J14即啟用）
• 方便的測試點，用于探測PGOOD、CLK_IN和環路響應測試
• 不使用獨立VDDQSNS源時，用于VDDQSNS至VLDOIN濾波器的可選預留位置
• 高達3A輸出電流
• 方便的測試點和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子

模塊俯視圖

示意圖

TPS7H3302EVM評估模塊技術解析

一、產品概述

TPS7H3302EVM是德州儀器(TI)推出的DDR終端穩壓器評估模塊，用于評估TPS7H3302-SEP的性能特性。該器件是一款3A吸/源DDR終端LDO穩壓器，專為空間級DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4內存終端應用設計。

核心特性

• ?輻射耐受設計?：滿足空間應用嚴苛環境要求
• ?寬工作范圍?：支持0.9V至3.5V輸入電壓
• ?高精度輸出?：VTT輸出電壓精度達VDDQSNS的1/2
• ?快速瞬態響應?：優化DDR讀寫操作穩定性
• ?集成保護功能?：包含使能控制(EN)和電源良好指示(PGOOD)

二、關鍵電路設計

1. 電源架構

模塊采用多電源輸入設計：

• ?VIN? (2.375-3.5V)：核心電源，電流<100mA
• ?VLDOIN? (0.9-3.5V)：主功率輸入，支持3A持續電流
• ?VDDQSNS? (1.2-3.5V)：參考電壓輸入

?獨特設計?：通過J5跳線可選VLDOIN與VDDQSNS連接方案，平衡功耗與性能需求。

2. 瞬態測試電路

評估板集成創新瞬態負載開關：

• 可配置負載階躍(通過R6-R9,R17-R20電阻調整)
• 支持±1.875A(DDR3)瞬態測試
• 獨立源/沉負載選擇跳線(J14/J15)

三、性能參數

電氣規格

典型應用表現

• ?相位裕度?：>60°(負載500mA-3A全范圍)
• ?建立時間?：<1μs(1.875A負載階躍)
• ?跟蹤誤差?：<20mV(VTT與VTTREF偏差)

四、評估指南

1. 基礎測試配置

1. 連接VIN(3V)、VLDOIN(1.5V)
2. 設置VDDQSNS=1.5V(DDR3)
3. 通過J10監測VTT輸出電壓
4. 使用J11/J12接入負載

?注意事項?：

• 默認配置支持DDR3 ±1.875A測試
• 需調整R6-R9電阻值適配不同DDR標準

2. 波特圖測試

1. 使用Bode 100環路分析儀
2. 注入點：TP4(VTTSNS)
3. 檢測點：TP5(反饋節點)
4. 測試頻率范圍：100Hz-1MHz

?關鍵發現?：

• 負載電流增加時增益裕度保持>10dB
• 建議輸出配置4x4.7μF陶瓷電容優化穩定性

五、應用設計建議

PCB布局要點

1. 功率路徑：
   • 使用≥1mm線寬(1oz銅)
   • VIN/VLDOIN去耦電容貼近引腳(<3mm)
2. 熱管理：
   • HTSSOP封裝RθJA=45.1°C/W(2層板)
   • 建議4層板設計提升散熱能力

系統集成

• ?使能時序?：通過EN引腳控制VTT放電
• ?故障監測?：PGOOD開漏輸出支持多器件并聯監測
• ?VTTREF濾波?：可選R4/C3組成RC濾波器(C3=1μF)

六、典型應用場景

1. ?空間電子系統?
   • 星載計算機內存電源
   • 航天器數據記錄裝置
2. ?高可靠計算?
   • 加固型服務器內存模塊
   • 軍工級處理平臺