電子發燒友網綜合報道，據業內可靠消息稱，近日美光Micron中國區進行了業務調整。但并非網傳的“波及上海、深圳等地，以及嵌入式研發骨干、測試工程師及FAE/AE等關鍵技術部門”。不過，業界認為，此次業務調整或為美光在華業務持續收縮的重要信號。

針對“美光近日中國區業務調整”一事，美光正式回應表示：

鑒于移動NAND產品在市場持續疲軟的財務表現，以及相較于其他 NAND 機會增長放緩，我們將在全球范圍內停止未來移動NAND產品的開發，包括終止UFS5的開發。

此項決策僅影響全球移動NAND產品的開發工作，美光將繼續開發并支持其他 NAND 解決方案，如SSD和面向汽車及其他終端市場的NAND解決方案。美光還將繼續在全球范圍內開發和支持移動 DRAM 市場，并提供業界領先的 DRAM 產品組合。

移動端業務表現

美光公布的FY2025Q3財季(2025年3 - 5月)業績顯示，該季營收93億美元，環比增長15%，同比增長37%；Non-GAAP下，營業利潤24.9億美元，營業利潤率由上季度的24.9%回升至26.8%；凈利潤21.81億美元，環比增長22.3%，同比增長210.7%。

FY2025Q3財季(2025年3 - 5月)美光營收創歷史新高，這得益于DRAM業務營收創歷史新高，其中HBM 營收環比增長近 50%；數據中心營收同比增長逾一倍，創季度新高；面向消費者的終端市場也實現了強勁的環比增長。美光表示，2025財年有望實現創紀錄的營收。

DRAM收入70.71億美元，占總收入的76%，環比增長15.5%。DRAM Bit出貨量環比增長超20%，DRAM ASP環比下降低個位數百分比（1%-3%）。NAND收入21.55億美元，占總收入的23%，環比增長16.2%。NAND Bit出貨量環比增長約25%，NAND ASP環比下降高個位數百分比（7%-9%）。

美光Mobile（MBU）營收15.51億美元，環比增長45%；源于客戶庫存水平下降以及DRAM單機容量提升帶來的強勁需求。

美光預計2025年，智能手機出貨量將保持低個位數增長。人工智能的普及仍然是智能手機DRAM容量增長的關鍵驅動力，預計將有更多智能手機搭載12GB或更大的容量，而目前普通智能手機的容量僅為8GB。

美光專注于為高端智能手機市場提供解決方案，在LPDDR5X DRAM產品中采用領先的1-beta和1-gamma技術節點，以及利用G8和G9技術節點生產的UFS4 NAND產品。美光贏得了關鍵客戶的設計訂單，并實現了基于G9的UFS4產品的量產。

從財務數據來看，美光2024財年在中國大陸（不含香港）的收入占比已降至12.1%。此前，美光表示，“中國是美光全球業務的重要組成部分。我們深知，中國不僅是全球最大的市場之一，更是創新和技術發展的重要引擎。在投資中國的20多年，美光從研發、設計、制造和技術支持方面全鏈條服務中國，助力中國建設半導體生態系統。”

美光用于移動端推出UFS4.1

美光在今年宣布推出全球首款用于行動裝置的基于G9 NAND的UFS 4.1 和 UFS 3.1。作為 NAND 技術的最新創新，G9 節點旨在為所有儲存解決方案帶來峰值效能和容量優勢。



美光G9 NAND行動 UFS 4.1 解決方案具有領先的效能和創新性，可為旗艦智能型手機帶來更快、反應更靈敏的體驗。 其循序讀取和寫入速度超過 4100MBps。G9 UFS 4.1 與其前代產品 G8 UFS 4.0 相比，性能提升顯著。



由大型語言模型（LLM）驅動的AI應用，例如虛擬助理理解用戶意思、實時圖片編輯、語言翻譯等，最終都需要強大的多模態AI來實現。那么智能型手機需要快速存取大型資料集，實現更低的延遲、更快的反應時間，以及更流暢的終端使用者整體體驗。

美光G9工藝 UFS4.1/3.1 存儲芯片已經開始出貨，專為智能手機設計，支持 AI 功能并提供256GB-1TB的容量。

眼下UFS4.0、4.1逐漸應用于智能手機，三星電子、鎧俠也紛紛發力。其中，三星于早前發布的UFS 4.0產品，速度高達每通道 23.2 千兆比特每秒 (Gbps)，相當于上一代UFS 解決方案 (UFS 3.1) 的兩倍。UFS 4.0 可輕松支持需要執行大量數據處理（例如，高分辨率圖像和大容量移動游戲）的5G智能手機，以及車載和 AR/VR 應用。

三星UFS 4.0 采用三星第 7 代 V-NAND 和專有控制器，將實現 4,200 兆字節每秒 (MB/s) 的順序讀取速度和 2,800 MB/s 的順序寫入速度，分別是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍左右。三星UFS 4.0 每毫安 (mA) 電力可提供高達 6.0 MB/s 的順序讀取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同電池容量下讓智能手機獲得更長續航時間。

三星在 2023 年推出了其首個 QLC UFS 產品，通過加入全新的寫入加速技術(TW)和 HID 技術并且從縱向發力，不斷優化主機系統，提升用戶應用水平使 QLC 產品在實際工作中表現穩定，給用戶帶來優異的性能。



三星也在研發一款新產品，使用 UFS 4.0 技術，但將通道數量從目前的 2 路提升到 4 路。同時，積極參與 UFS 5.0 標準的討論。與移動客戶、AP 公司共同促進 UFS 4.0 4 通道和 UFS 5.0 的合作。計劃在2025 年量產一款UFS 4通道產品，將兩個UFS 控制器封裝在一起。



三星表示，我們將通過概念驗證共同界定相關用例、開發新技術、以及實施三方協作模式，將盡早完成 UFS 5.0 標準的制定工作。




鎧俠表示，UFS4.0/4.1為下一代智能手機和移動應用提供閃電般快速的存儲傳輸速度，使它們能夠充分利用5G移動網絡的高速率及AI。UFS4.0/4.1采用MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5和UniPro2.0技術，支持每條通道高達23.2Gbps或每個設備高達46.4Gbps的理論接口速度。UFS4.0/4.1能夠兼容UFS 3.1，這意味著現有平臺可以使用UFS4.0/4.1的最新一代閃存存儲技術，同時還能保留UFS 3.1的所有功能。與UFS 3.1相比，UFS 4.0/4.1具有更快的接口、更高的讀寫性能。





相較于上一代產品，UFS 4.0/4.1產品的順序讀寫性能分別提高了約100%和135/150%。為提高下載速度、高清視頻錄制存儲速度以及移動游戲的運行速度，UFS產品采用了WriteBooster技術來提升順序寫入速度。

此外，為了更好地滿足不斷變化的需求，鎧俠計劃明年發布下一代 UFS5.0 產品。

小結：

受益于HBM的強勁增長和份額提升，以及美光行業領先的高容量DIMM和低功耗服務器DRAM產品組合的強勁表現，美光第三財季數據中心DRAM收入連續第四個季度創下新高。美光預計，2025年行業DRAM bit需求增長率將約達17-19%，而行業NAND bit需求增長率約達11-13%。美光非HBM DRAM和NAND bit供應增長率將低于行業bit需求增長率。

隨著此次業務調整，美光在移動NAND產品的開發，包括終止UFS5的開發，專注于其他 NAND 解決方案，對后續行業競爭格局帶來哪些影響，我們將持續關注。