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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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在開始討論技術和開發目標前,先看一下圖1的電動汽車概念的簡單示意圖。在這種情況下,功率轉換系統和牽引電機所用的電子元器件是本項目的研究方向。
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅動電路設計中的特點分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。
功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前,功率半導體材料正迎來材料更新換代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二...
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有優異的物理、化學和電學性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環境下具有很高的穩定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基...
氮化鎵提供更低的開關損耗、更快的開關速度、更高的功率密度、更好的熱預算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。
在PWM逆變器驅動時的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%,總體損耗顯著降低。...
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽...
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說,室溫下其電流等級約為 20~4...
2023-02-03 標簽:SiCSiC MOSFET 5.3k 0
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