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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術,有些感悟分享給大家。
在半導體科學技術的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 標簽:半導體SiC電源系統(tǒng) 4.5k 0
在新能源汽車領域,低壓的繼電器和保險已逐步被電力電子器件取代,機械電子化成為發(fā)展趨勢。因為電子器件取代機械繼電器,不僅大大提高了壽命,沒有開關噪音,同時...
2023-11-16 標簽:新能源汽車固態(tài)繼電器SiC 4.5k 0
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
碳化硅(SiC)材料被認為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優(yōu)勢。近年來,隨著新能源汽車企業(yè)...
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結構與特性
通過AlN柵介質層MIS-HEMT和Al2O3柵介質層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn),PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...
近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關注。
Force-I QSCV技術在SiC MOSFET界面陷阱測量中的應用
電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征,可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流...
EQC的銅排設計看上去很不合理,不過需要考慮從兩個分離的負極單獨取電,然后匯集到配電盒里面,對驅動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項工作的復雜度就比較...
SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉換過程中能量損耗
人們普遍認為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非常快的開關速度,有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制,在實際...
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
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