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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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帶保護環的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關注。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相...
我們都知道,IGBT發生短路時,需要在10us或者更短的時間內關閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數來進行調節,如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域...
由于襯底和外延和芯片的技術發展相關性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術發展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能,氮化鎵...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區別 1
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優勢,如低損耗、高速開關、高溫...
在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統成本等優勢。
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。
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