完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
文章:3312個(gè) 瀏覽:69458次 帖子:124個(gè)
本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用,核心內(nèi)容包括三大板塊,闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說(shuō)明 SiC JFET 如何推動(dòng)電路保護(hù)...
什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 6k 0
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效
作者:Bill Schweber 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等,人們不遺余力...
2023-10-03 標(biāo)簽:電源MOSFET電源設(shè)計(jì) 6k 0
SiC MOSFET分立器件和功率模塊在車(chē)載充電器應(yīng)用中的性能分析
本文圍繞基于SiC分立器件和功率模塊的功率因數(shù)校正器(PFC)級(jí),分析并比較了二者在車(chē)載充電器(OBC)應(yīng)用中的性能。
2025-10-18 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體SiC 5.9k 0
碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝
碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...
SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與Si相比具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開(kāi)關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點(diǎn),適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái),在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
物理氣相傳輸法生長(zhǎng)SiC晶圓中的缺陷和測(cè)試
和Si晶體拉晶工藝類(lèi)似,PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過(guò)程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括:表面缺陷;引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷;位錯(cuò);堆垛層錯(cuò);以及...
高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動(dòng)汽車(chē)量產(chǎn)車(chē)型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)...
控制、驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換
了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過(guò)部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級(jí)控制拓?fù)鋪?lái)解決面臨的挑戰(zhàn)。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時(shí)代,隨著電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對(duì)具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動(dòng)汽車(chē)充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
2021-03-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET整流器 5.8k 0
碳化硅(SiC),又稱(chēng)碳硅石,是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì),在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的...
基于安森美產(chǎn)品的氫電解器系統(tǒng)解決方案
氫電解器旨在利用多種能源(電網(wǎng)、太陽(yáng)能、風(fēng)能或電池儲(chǔ)能系統(tǒng))通過(guò)水電解生產(chǎn)氫氣。當(dāng)以可再生能源為動(dòng)力時(shí),這些系統(tǒng)旨在以環(huán)保方式生產(chǎn)氫氣,減少對(duì)化石燃料的...
在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來(lái)越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時(shí)間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開(kāi)始大放異彩
新能源汽車(chē)的發(fā)展蒸蒸日上,對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì),...
一種適用于自舉供電的SiC MOSFET可靠驅(qū)動(dòng)方案
碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)憑借高速開(kāi)關(guān)特性,大幅降低開(kāi)關(guān)損耗,目前已在各行業(yè)應(yīng)用中加速滲透。然而,其器件特性所伴隨的高 dV/dt(電壓...
換一批
編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |