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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實(shí)現(xiàn)

內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對(duì)動(dòng)力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，以支持高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動(dòng)車窗、車門(mén)和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...

2019-08-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC Ev 7.8k 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFET emc 電磁干擾 7.8k 1

碳化硅跟石墨怎樣分辨？哪個(gè)比較好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 電阻爐碳化硅 7.7k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 7.6k 1

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢(shì)，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達(dá)...

2025-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 7.6k 0

基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測(cè)量方法

閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極...

2025-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 7.5k 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求，如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片

柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。

2023-07-14 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng) 7.5k 0

SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進(jìn)展概述

隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 7.4k 0

使用安森美SiC JFET優(yōu)化固態(tài)斷路器設(shè)計(jì)

斷路器是一種用于保護(hù)電路免受過(guò)電流、過(guò)載及短路損壞的器件。機(jī)電式斷路器 (EMB) 作為業(yè)界公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)器件，包含兩個(gè)獨(dú)立觸發(fā)裝置：一個(gè)是雙金屬片，響應(yīng)速...

2025-11-14 標(biāo)簽：安森美 JFET 斷路器 7.3k 0

SiC-MOS與IGBT抗短路能力對(duì)比

在IGBT為主流的時(shí)代，提到抗短路能力，就是有或者沒(méi)有。如果器件具備抗短路能力，那就是比較能抗，一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺(jué)就是不那...

2025-11-06 標(biāo)簽：逆變器 IGBT SiC 7.2k 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：充電器 SiC 氮化鎵 7k 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一個(gè)生長(zhǎng)3C-SiC的液相TSSG長(zhǎng)晶設(shè)備，其生長(zhǎng)過(guò)程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對(duì)流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 7k 0

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

在現(xiàn)實(shí)世界中，沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快...

2018-10-30 標(biāo)簽：天線 DC-DC轉(zhuǎn)換器 SiC 7k 0

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 7k 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 7k 0

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇蠊β蕬?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行，需要考慮模塊自...

2018-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 6.9k 0

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路，以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出，出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。

2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET 監(jiān)控電路 SiC 6.9k 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來(lái)完成定量分析的。如圖 7（a）所示，大六邊形沒(méi)有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 6.9k 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性。可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET IGBT 6.9k 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會(huì)涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 6.9k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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