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英飛凌進軍車規(guī)級GaN,適用48V系統(tǒng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ?近日,英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列,并已經(jīng)開始提供符合AEC-Q101...
新型功率半導(dǎo)體決勝關(guān)鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出
化合物半導(dǎo)體(Compound Semiconductor,SiC/GaN)憑借優(yōu)越節(jié)能效果,已成為未來功率半導(dǎo)體發(fā)展焦點,預(yù)期今后幾年年復(fù)合成長率(C...
2025-10-26 標簽:封裝GaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢
自從氮化鎵(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢,GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標簽:氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 2.8k 0
SiC+GaN成核心!一文匯總英偉達800V HVDC認證廠商解決方案
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)AI芯片的功率在算力需求迭代的基礎(chǔ)上,不斷提高,短短幾年間,英偉達的GPU從A100單個TDP 為300W(40GB)和4...
Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書,深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu);新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V S...
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱:納芯微)、聯(lián)合汽車電子有限公司(以下簡稱:聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱:英諾賽科)...
近日,亞洲電力電子領(lǐng)域年度盛會 ——PCIM Asia Shanghai 2025,在上海新國際博覽中心盛大啟幕。
用專為硅 MOSFET 設(shè)計的控制器來驅(qū)動 GaN FET
作者: Pete Bartolik 工具 在電力應(yīng)用中,氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢。氮化鎵器件能夠滿足...
基于物理引導(dǎo)粒子群算法的Si基GaN功率器件特性精準擬合
? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)肖特基勢壘二極管(SBD)因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢展現(xiàn)出巨大潛力。然而,Si與GaN材...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在智能化時代,電機應(yīng)用需求走向高效率、高功率密度、快動態(tài)響應(yīng)。而GaN功率芯片具備低開關(guān)損耗、高頻等特性,在電機應(yīng)用中,低...
第三代700V GaN上市!英諾賽科上半年營收大增43.4%,機器人和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用破局
8月28日,英諾賽科發(fā)布2025年半年報,英諾賽科營收達到5.53億元,比去年同期增長43.4%;毛利達到3780萬元,從上年的同期虧損轉(zhuǎn)為盈利;毛利率...
2025-09-14 標簽:機器人數(shù)據(jù)中心GaN 9.5k 0
芯導(dǎo)科技亮相2025半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展
9月4日,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展在無錫太湖國際博覽中心隆重開幕。本次展會以“半導(dǎo)體嘉年華”為主題,匯聚了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè),共...
毛利轉(zhuǎn)正、模組成最大業(yè)務(wù),英諾賽科GaN產(chǎn)業(yè)化迎來拐點?
2025年上半年,英諾賽科實現(xiàn)營收5.53億元,同比增長43.4%。 這是英諾賽科自上市以來保持的又一次高速增長,背后是GaN應(yīng)用從消費電子延展到數(shù)據(jù)中...
芯干線亮相2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇
8月14日,由行家說主辦的“2025新型功率半導(dǎo)體與新能源應(yīng)用高峰論壇”在深圳圓滿舉行。
2025-08-15 標簽:新能源GaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0
MOCVD技術(shù)丨實現(xiàn)6英寸藍寶石基板GaN基LED關(guān)鍵突破
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)憑借其卓越性能,長期占據(jù)研究焦點位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英...
英飛凌預(yù)測:2025 GaN將為電機行業(yè)帶來哪些革新?
近日,英飛凌發(fā)布了《2025年 GaN 功率半導(dǎo)體預(yù)測報告》,詳細分析了 GaN(氮化鎵)技術(shù)在未來幾年內(nèi)對多個行業(yè)的深遠影響。 其中,電機行業(yè)在能源效...
PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,...
納微半導(dǎo)體聯(lián)合兆易創(chuàng)新推出高性能500W單級微逆方案
在全球能源轉(zhuǎn)型與 “雙碳” 目標的共同驅(qū)動下,微型逆變器市場正以年均超25%的增速成為清潔能源領(lǐng)域的核心力量。作為對傳統(tǒng)光伏逆變器“去中心化”的全面革新...
2025-08-11 標簽:GaN光伏逆變器納微半導(dǎo)體 5.3k 0
Si、SiC與GaN,誰更適合上場?| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng),素材來源:TMC現(xiàn)場記錄、Ho...
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