該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構；新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢

美國加利福尼亞州圣何塞，2025年10月13日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優勢。這份白皮書發布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向800VDC供電和兆瓦級機架的轉型。

新白皮書?闡釋了Power Integrations業界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優勢，展示了其經過實際應用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，該白皮書還表明，與堆疊式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，單個1250V PowiGaN開關可提供更高的功率密度和效率。

該白皮書還重點介紹了Power Integrations的InnoMux?2-EP IC，它是適用于800VDC數據中心輔助電源的獨特解決方案。InnoMux-2器件內集成的1700V PowiGaN開關支持1000VDC輸入電壓，其SR ZVS工作模式在液冷無風扇的800VDC架構中可為12V系統提供超過90.3%的效率。

Power Integrations產品開發副總裁Roland Saint-Pierre表示：“隨著人工智能對電力需求的不斷增長，采用800VDC輸入方案可簡化機架設計、提高空間利用效率并減少銅材用量。隨著機架電力需求的不斷攀升，我們認為1250V和1700V PowiGaN器件是主電源和輔助電源的理想選擇，它們能夠滿足800VDC數據中心所需的效率、可靠性和功率密度要求。”

Power Integrations作為已實現量產1250V和1700V高壓GaN開關的重點供應商，于2018年推出首款GaN IC，目前已有超過1.75億個GaN開關應用于各類終端產品，涵蓋快速充電器、數據中心及電動汽車等領域。

如需詳細了解有關Power Integrations面向AI數據中心的PowiGaN技術，并獲取題為《1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數據中心架構中的應用》的白皮書，請訪問https://www.power.com/ai-data-center。