■方案介紹及產(chǎn)品特色

氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。

特色如下：

● 集成 700V E-GaN

● 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

● 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

● 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

● 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

● 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

● 集成 Boost 供電電路

● 集成完備的保護(hù)功能

● VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

● 輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)

● 輸入欠壓保護(hù) (BOP)

● 片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

● 逐周期電流限制 (OCP)

● 異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

● 短路保護(hù) (SCP)

● 過(guò)載保護(hù) (OLP)

● 過(guò)流保護(hù) (SOCP)

● 前沿消隱 (LEB)

● CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

● 封裝類(lèi)型 ESOP-7

同步整流芯片U7612B內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。

特色如下：

● 內(nèi)置 60V MOSFET

● 支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

● 集成高壓供電電路，無(wú)需 VDD 輔助繞組供電

● 支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域

● 支持 High Side 和 Low Side 配置

● <30ns 開(kāi)通和關(guān)斷延時(shí)

● 智能開(kāi)通檢測(cè)功能防止誤開(kāi)通

● 智能過(guò)零檢測(cè)功能

● 啟動(dòng)前 Gate 智能鉗位

● 封裝類(lèi)型 SOP-8

同步整流芯片U7612B的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。