650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉換器評估板

云鎵半導體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應用1.MBDS器件介紹云鎵半導體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...

2026-02-05 標簽：轉換器GaN評估板 251 0

主要氮化鎵封裝技術介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優異特性，已在5G通信基站、數據中心電源及消費電子快充等領域實現規模化應...

2026-01-14 標簽：封裝技術氮化鎵GaN 3.4k 0

芯導科技GaN器件的發展與演進

在文章"提升開關頻率（一） 芯導科技MOSFET工藝結構的發展與演進"中，我們介紹了芯導科技MOSFET產品針對高頻需求的工藝發展路線。

2026-01-14 標簽：氮化鎵GaN芯導科技 2k 0

橢偏儀在半導體的應用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結構與光學性質

Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發光器件的關鍵材料。傳統c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應，降低發光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效...

2025-12-31 標簽：半導體薄膜GaN 3.8k 0

氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比：300W快充應用選型避坑手冊

在消費電子快充領域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業設備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...

2025-12-24 標簽：驅動ICGaNSiC MOSFET 980 0

借助 TOLL GaN 突破太陽能系統的界限

太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...

2025-12-11 標簽：GaN光伏逆變器太陽能系統 4.5k 0

解析GaN與SiC在太陽能逆變器中的應用方案

光伏發電（PV）是一種將陽光轉化為電能的技術，這個過程涉及使用太陽能電池來捕獲太陽能并將其轉化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽能電池產生的電力從直流...

2025-12-10 標簽：太陽能逆變器SiC 4.9k 0

超越防護：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導體封裝中扮演更關鍵角色？

隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統的離子防護理念亟待升級。本文將探討在此背景...

2025-12-08 標簽：SiCIC封裝GaN 668 0

絕緣與散熱：立山科學TWT系列在高壓高功率環境下的表現

作為日本立山科學株式會社的官方代理，深圳市智美行科技深知高壓、高功率密度應用對溫度傳感器提出了雙重挑戰：可靠的電氣隔離與高效的熱傳導。本文將深入探討TW...

2025-12-04 標簽：NTCSiCGaN 465 0

安森美垂直GaN技術賦能功率器件應用未來

在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在...

2025-12-04 標簽：安森美功率器件GaN 1.9k 0

LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產品型號：LMG3410R070RWHR產品品牌：TI/德州儀器產品封裝：VQFN32產品功能：高性能...

2025-11-29 標簽：功率器件GaN 310 0

意法半導體GaN晶體管推動下一代電機逆變器的發展

滿足日益增長的高能效和高功率性能需求，同時不斷降低成本和尺寸是當今功率電子行業面臨的主要挑戰。

2025-11-24 標簽：MOSFET電機控制意法半導體 6.8k 0

云鎵大功率 GaN 產品 | 技術參數解讀 鈦金服務器電源 DEMO

云鎵半導體云鎵工業級GaN產品器件參數解讀&3kW服務器電源DEMO1.前言云鎵半導體在工業級GaN產品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及...

2025-11-11 標簽：服務器電源GaNdemo板 462 0

應用指導 | CGAN003: GaN switching behavior analysis

云鎵半導體應用指導CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可比擬的性能優勢，如...

2025-11-11 標簽：半導體功率器件GaN 315 0

應用指導 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)

云鎵半導體應用指導CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可...

2025-11-11 標簽：FET功率器件GaN 301 0

應用指導 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

云鎵半導體應用指導CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可比擬...

2025-11-11 標簽：FETSPICEGaN 425 0

應用指導 | CGAN002: How to read GaN datasheet

云鎵半導體應用指導CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規則以CG65030TAD產品為例，"C"為公司...

2025-11-11 標簽：MOSGaN寄生電感 590 0

德州儀器集成驅動器的GaN功率級產品介紹

今天，在功率電子領域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應用場景中的主角。

2025-10-31 標簽：半導體氮化鎵GaN 1.2萬 0

納微GaN與SiC技術革新數據中心電力架構

隨著云端大規模人工智能（AI）的迅速發展與部署，包括OpenAI開發的ChatGPT在內，越來越多高性能的、為特定目標設計的AI處理器正被集成至數據中心...

2025-10-30 標簽：數據中心AIGaN 4.3k 0

基于MASTERGAN4的LED調光驅動方案：ST EVLMG4-500WIBCK評估板技術解析

STMicroelectronics EVLMG4-500WIBCK評估板為具有基于GaN（氮化鎵）的同步整流反向降壓拓撲的可調光LED驅動器電路提供參...

2025-10-29 標簽：led驅動器GaN評估板 601 0