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標簽 > 集成驅動器
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onsemi NCP402045集成驅動器和MOSFET技術解析
安森美 NCP402045集成驅動器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅動器、高側MOSFET、 和低側MOSFET。該元件優化用于大電流直...
ADS9117 18位5MSPS SAR ADC,帶ADC驅動器和基準電壓源技術手冊
ADS911x是18位高速模數轉換器(ADC)系列,具有用于ADC輸入的集成驅動器。集成的ADC驅動器簡化了信號鏈,降低了精密應用的功耗,并支持超過1M...
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和溫度報告數據手冊
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電流檢測數據手冊
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 ...
LMG2656 650V、230mΩ GaN 半橋,集成驅動器、保護和電流檢測數據手冊
該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅動器、自舉...
技術資料#LMG3410R070 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3411R070 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3410R050 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3411R050 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術資料#LMG3411R150 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
技術資料#LMG3410R150 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
技術資料#LMG3422R030 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
具有集成驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
技術資料LMG3422R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 S...
技術資料#LMG3526R030 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
技術資料#LMG3526R050 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3...
技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...
技術文檔:LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
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