LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%），以及低開關節點振鈴（可降低 EMI）。這些優勢實現了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。

*附件：具有過流保護功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成 GaN Fet 功率級數據表 .pdf

LMG341xR050 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可實現 100 V/ns 開關，Vds 振鈴接近于零，電流限制響應小于 100 ns，可防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱失控，系統接口信號提供自我監控功能。

特性

• TI GaN FET 的可靠性符合應用內硬開關加速應力曲線的要求
• 支持高密度電源轉換設計
  • 優于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統性能
  • 低電感 8 mm x 8 mm QFN 封裝，易于設計和布局
  • 可調節的驅動強度，用于開關性能和 EMI 控制
  • 數字故障狀態輸出信號
  • 僅需 +12 V 非穩壓電源
• 集成柵極驅動器
  • 零共源電感
  • MHz作時傳播延遲為 20 ns
  • 用于補償閾值變化的微調柵極偏置電壓可確保可靠的開關
  • 25 至 100V/ns 用戶可調轉換速率
• 強大的保護
  • 無需外部保護元件
  • 過流保護，響應小于 100 ns
  • 大于 150 V/ns 的轉換速率抗擾度
  • 瞬態過壓抗擾度
  • 過熱保護
  • 所有電源軌上的欠壓鎖定 （UVLO） 保護
• 強大的保護
  • LMG3410R050 ：鎖存過流保護
  • LMG3411R050 ：逐周期過流保護

參數

方框圖

1. 概述

LMG341xR050 是一款集成 GaN FET 功率級，具有過流保護功能，適用于高電壓應用。它提供了高功率密度和轉換效率，同時具有多種保護機制，確保系統的穩定性和可靠性。

2. 主要特性

• ?GaN FET 技術?：超低輸入和輸出電容，零反向恢復電荷，減少開關損失和 EMI。
• ?集成驅動器?：內置柵極驅動器，支持高達 100V/ns 的開關速度，具有可調驅動強度。
• ?過流保護?：具有快速的過流響應（<100ns），LMG3410R050 采用鎖存式過流保護，LMG3411R050 采用逐周期過流保護。
• ?多種保護機制?：包括過溫保護、欠壓鎖定（UVLO）保護等，無需外部保護組件。
• ?應用廣泛?：適用于高密度工業和消費類電源、多級轉換器、太陽能逆變器、工業電機驅動等。

3. 電氣特性

• ?電源電壓?：VDD 范圍為 9.5V 至 18V。
• ?最大漏源電壓?：VDS 最大為 600V，瞬態電壓可達 800V。
• ?連續漏極電流?：@Tj = 25°C 時為 34A，@Tj = 100°C 時為 27A。
• ?熱特性?：結到環境的熱阻（RθJA）為 24.4°C/W。

4. 功能描述

• ?直接驅動 GaN 架構?：通過集成柵極驅動器直接控制 GaN FET，提高開關性能。
• ?內部 Buck-Boost DC-DC 轉換器?：生成負電壓，用于 GaN 器件的關斷電源。
• ?內部輔助 LDO?：提供 5V 輸出，用于外部數字隔離器等負載。
• ?故障檢測?：包括過流保護（OCP）、過溫保護（OTP）和欠壓鎖定（UVLO），具有故障狀態輸出信號。

5. 應用和實施

• ?典型應用?：適用于半橋配置，如硬開關和全橋諧振 DC-DC 轉換器。
• ?設計要求?：包括選擇合適的柵極驅動電阻以調整開關速度和 EMI 控制。
• ?布局指南?：建議使用四層或更多層 PCB，最小化功率環路電感，確保信號完整性。

6. 熱管理

• ?散熱?：推薦使用散熱器連接 PCB 背面以提取額外熱量，使用多個熱過孔將熱量分散到 PCB 的另一側。

7. 包裝和訂購信息

• ?封裝類型?：QFN 32 引腳封裝，尺寸為 8mm x 8mm。
• ?訂購狀態?：ACTIVE，推薦用于新設計。

8. 注意事項

• ?使用前必讀?：全面理解數據表，包括應用筆記和布局建議。
• ?避免事項?：不要使用單層或雙層 PCB，不要降低旁路電容器的值，不要讓器件承受超過 600V 的漏極瞬態電壓。