LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%），以及低開關節點振鈴（可降低 EMI）。這些優勢實現了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。

*附件：具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 數據表.pdf

LMG341xR070 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可實現 100V/ns 開關，Vds 振鈴接近于零，<100 ns 電流限制可防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱失控，系統接口信號提供自我監控功能。

特性

• TI GaN 工藝通過加速可靠性應用內硬開關任務配置文件認證
• 支持高密度電源轉換設計
  • 優于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統性能
  • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝，易于設計和布局
  • 可調節驅動強度，以實現開關性能和 EMI 控制
  • 數字故障狀態輸出信號
  • 僅需 +12 V 非穩壓電源
• 集成柵極驅動器
  • 零共源電感
  • 20 ns 傳播延遲（MHz 工作）
  • 工藝調諧的柵極偏置電壓，確保可靠性
  • 25 至 100V/ns 用戶可調轉換速率
• 強大的保護
  • 無需外部保護元件
  • 具有 <100ns 響應的過流保護
  • 150V/ns 轉換速率抗擾度
  • 瞬態過壓抗擾度
  • 過熱保護
  • 所有電源軌上的 UVLO 保護
• 設備選項：
  • LMG3410R070 ：鎖存過流保護
  • LMG3411R070 ：逐周期過流保護

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?產品名稱?：LMG341xR070
• ?類型?：600V GaN功率晶體管，集成驅動器和保護功能
• ?封裝?：QFN 32引腳，8mm x 8mm
• ?應用?：高密度工業和消費者電源供應、多級轉換器、太陽能逆變器、工業電機驅動、不間斷電源、高壓電池充電器

2. 主要特性

• ?超低輸入和輸出電容?：減少開關損耗和EMI
• ?零反向恢復?：降低開關損耗高達80%
• ?集成驅動器?：
  • 20ns傳播延遲
  • 可調斜率控制（25V/ns至100V/ns）
  • 內置低電壓鎖定（UVLO）保護
• ?保護功能?：
  • 過流保護（OCP），響應時間<100ns
  • 過溫保護（OTP）
  • 瞬態過壓免疫

3. 功能描述

• ?直接驅動架構?：利用集成的驅動器直接控制GaN FET，無需額外的驅動電路
• ?內部降壓-升壓轉換器?：生成負電壓用于GaN FET的關斷
• ?內部LDO?：提供5V輸出，用于外部數字隔離器
• ?故障檢測?：
  • OCP：支持鎖存或逐周期過流保護
  • OTP和UVLO：保護驅動器免受過熱和欠壓條件影響

4. 電氣特性

• ? 最大漏源電壓（VDS） ?：600V
• ? 最大連續漏源電流（IDS） ?：
  • Tj = 25°C時：40A
  • Tj = 100°C時：30A
• ? 導通電阻（RDS,ON） ?：
  • Tj = 25°C時：70mΩ
  • Tj = 125°C時：110mΩ
• ?LDO輸出電壓?：4.7V至5.3V
• ?UVLO閾值?：
  • 開啟閾值（VDD,(ON)）：9.1V
  • 關閉閾值（VDD,(OFF)）：8.5V

5. 應用指南

• ?典型應用?：硬開關和軟開關應用，如功率因數校正（PFC）電路
• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化功率環路電感，保持開關節點電容最小化
• ?驅動強度調整?：通過連接RDRV引腳和地之間的電阻來調整斜率控制，以優化穩定性和EMI性能

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：QFN 32引腳
• ?尺寸?：8.00mm x 8.00mm

7. 文檔支持

• 提供詳細的數據表、應用曲線、布局指南、設計支持文檔和相關鏈接

8. 注意事項

• 確保在所有操作條件下不超過絕對最大額定值
• 在設計高密度電源系統時，需特別注意熱設計和電磁兼容性（EMC）
• 使用推薦的外部元件和布局指南以獲得最佳性能