LMG342xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。

LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉換速率，可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3426R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當實現零電壓切換時，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。
*附件：LMG342xR050 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600 V 50 mΩ GaN FET 數據表.pdf

高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，從而簡化了器件負載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

• 符合 JEDEC JEP180 硬開關拓撲的要求
• 600V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅動器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 抑制
  • 3.6MHz 開關頻率
  • 20V/ns 至 150V/ns 轉換速率，用于優化開關性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
• 強大的保護
  • 逐周期過流和鎖存短路保護，具有 < 100ns 響應
  • 在硬開關時可承受 720V 浪涌
  • 針對內部過熱和 UVLO 監控進行自我保護
• 高級電源管理
  • 數字溫度 PWM 輸出
  • LMG3426R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，便于軟開關轉換器

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?型號?：LMG342xR050
• ?特性?：600V GaN-on-Si FET，集成驅動器、保護和溫度報告功能
• ?應用?：開關模式電源轉換器、商用網絡和服務器PSU、商用電信整流器、太陽能逆變器和工業電機驅動器等

2. 主要特性

• ?集成驅動器?：集成硅驅動器，支持高達150V/ns的開關速度
• ?保護功能?：循環過流保護、短路保護、過溫保護、欠壓鎖定（UVLO）監測
• ?溫度報告?：通過PWM輸出報告GaN FET的溫度
• ? 零電壓檢測（ZVD） ?：LMG3426R050型號特有，實現軟開關轉換器

3. 電氣規格

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?漏源電壓浪涌能力?：720V（硬開關條件下）
• ?最大漏源瞬態峰值電壓?：800V
• ? 最大漏極電流（RMS） ?：44A
• ?最大漏極脈沖電流?：96A（tp < 10μs）
• ?最大源極脈沖電流?：60A（tp < 1μs）
• ?工作溫度范圍?：-40°C至150°C（LMG3422R050）；-40°C至125°C（LMG3426R050）

4. 驅動器特性

• ?驅動電壓范圍?：7.5V至18V
• ?柵極驅動精度?：提高開關SOA性能
• ?可調柵極驅動強度?：通過RDRV引腳調整，控制開關速度和EMI

5. 保護功能

• ?過流保護?：循環過流保護，響應時間<100ns
• ?短路保護?：具有快速響應的短路保護
• ?過溫保護?：內部過溫和驅動器過溫保護
• ?UVLO保護?：欠壓鎖定保護，防止在低電壓條件下工作
• ?高阻抗RDRV引腳保護?：持續監測RDRV引腳，防止高阻抗導致的問題

6. 溫度報告

• ?溫度PWM輸出?：通過TEMP引腳輸出占空比可變的PWM信號，反映GaN FET的溫度

7. 應用指南

• ?推薦使用場景?：硬開關和軟開關應用，如圖騰柱PFC、LLC諧振轉換器和移相全橋配置
• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化功率環路電感，使用小型表面貼裝旁路電容和總線電容
• ?隔離電源或自舉電源?：為高側設備供電，推薦使用隔離電源以獲得最佳性能

8. 封裝信息

• ?封裝類型?：VQFN-54，尺寸為12.00mm × 12.00mm
• ?熱阻?：θJC(bot,avg) = 0.88°C/W