意法半導體（ST）發佈碳化硅產品創新成果，協助系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。
2012-09-19 15:59:40
1649 2023 年 10 月 30 日，中國 – 意法半導體發布了ACEPACK[1] DMT-32系列車規碳化硅(SiC)功率模塊，新系列產品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標應用是車載
2023-10-31 15:37:592457 
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管?！ ∑鋬烖c是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導體廠商通常都通過參考設計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
至半導體內部導致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質可能遷移到晶片內部導致失效?！ TRB試驗可以使這些失效加速呈現，排查出異常器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
上，對介電常數要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應汽車需求而特別開發的產品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管?！ ‘?b class="flag-6" style="color: red">T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
個關鍵技術方向對現有碳化硅功率器件的封裝進行梳理和總結，并分析和展望所面臨的挑戰和機遇。1、低雜散電感封裝技術目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統 Si器件的封裝方式，如圖 1 所示。該方式
2023-02-22 16:06:08
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
近日Cree科銳宣布，其與意法半導體簽署了一份多年供貨協議，為意法半導體生產和供應其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。
2019-01-11 16:21:505022 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584705 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284909 科銳與意法半導體宣布擴大并延伸現有多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協議至5億多美元。意法半導體是全球領先的半導體供應商，橫跨多重電子應用領域。
2019-11-25 09:34:224302 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體被雷諾 － 日產 － 三菱聯盟指定為高能效碳化硅（SiC）技術合作伙伴，為聯盟即將推出的新一代電動汽車的先進車載充電器（OBC）提供功率電子器件。
2019-12-18 08:46:041219 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協議。
2020-01-17 09:07:481766 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體被雷諾 － 日產 － 三菱聯盟指定為高能效碳化硅（SiC）技術合作伙伴，為聯盟即將推出的新一代電動汽車的先進車載充電器（OBC）提供功率電子器件。
2020-05-13 14:13:121299 ，基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
新加坡科學技術研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和意法半導體(簡稱ST) 共同宣布，雙方將在汽車和工業市場電力電子設備用碳化硅 (SiC) 領域展開研發 (R&D) 合作。此次
2021-12-17 17:39:432752 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2022-01-17 14:13:294628 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，為世界排名前列的電源模塊系統廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅（SiC）技術。
2022-05-26 09:45:372790 碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業中的廣泛采用。 汽車和工業市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:012981 
意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:032489 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 企業法國 Soitec 半導體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段，意法半導體將在未來 18 個月內對
2022-12-05 14:09:42929 
雙方同意對Soitec技術進行產前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關鍵半導體賦能技術，支持汽車電動化和工業系統能效提升等轉型目標 意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創新半導體材料設計制造
2022-12-08 12:22:481145 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:442373 
技術方面，意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術合作達成協議。意法半導體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產可以采用Soitec的Smart碳化硅技術。
2023-02-06 16:25:171392 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482002 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:565771 意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274 具有競爭力的碳化硅來源。天科合達將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額?！?英飛凌是國際著名的半導體公司，其前身是西門子集團的半導體部門，英飛凌技術實力雄厚，在功
2023-05-04 14:21:061194 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 ? ? ?? 本報訊 6月7日，中國領先的化合物半導體公司三安光電與全球排名前列的半導體公司意法半導體聯合宣布：雙方已簽署協議，擬在中國重慶合資共同建立一個新的碳化硅器件制造工廠。同時，三安光電將在
2023-06-08 19:05:021041 
6月7日，中國領先的化合物半導體制造平臺三安光電與全球排名前列的半導體公司意法半導體聯合宣布：雙方已簽署協議，擬在中國重慶合資建立一個新的8英寸碳化硅器件制造工廠。同時，三安光電將在當地獨資建立一個
2023-06-09 08:37:421013 
? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ? ? 意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規模量產 ? ? 該合資廠將有助于滿足
2023-06-09 09:30:01992 三安光電近日宣布，將與國際功率半導體巨頭意法半導體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:03381 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:095189 
證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:031177 
來源：安森美 博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模塊中，用于主驅逆變器解決方案，以提高電動汽車的性能 Viper 800V碳化硅逆變器 近日
2023-07-20 18:01:241342 
?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅(SiC)器件大規模量產?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業電力和能源等應用對意法半導體SiC器件日益增長的需求?該合資廠將采用ST
2023-07-31 17:19:201331 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 汽車領域中得到了廣泛的應用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優勢及應用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導體器件，它的工作原理與傳統的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:423465 據報道，博格華納將使用第三代750v sic mosfet芯片作為現在和未來沃爾沃bev型號的牽引變頻。在此之前，博格華納已經與安森美簽訂了10億美元的sic配件合同。stpower mosfet的大量生產在新加坡和意大利的工廠進行，并在摩洛哥和中國的后端工廠進行包裝和測試。
2023-09-05 11:50:131143 ? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ?? 意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現
2023-09-07 08:10:011443 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16577 
目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。 隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動車因其能效更高、續航里
2023-12-22 08:20:011199 
12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:241211 意法半導體（簡稱ST），作為全球領先的半導體公司，服務于多重電子應用領域，近日與新能源汽車領域的佼佼者理想汽車達成了一項重要合作。根據這份長期供貨協議，意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，以支持理想汽車在高壓純電動車市場的戰略布局。
2024-01-04 14:36:041447 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:161639 
近日，國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:431103 羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，
2024-04-23 10:17:57957 ，SiCrystal公司將對意法半導體加大德國紐倫堡產的碳化硅襯底晶圓供應力度，預計協議總價不低于2.3億美元。 意法半導體
2024-04-26 11:30:001058 
羅姆集團與全球知名的半導體巨頭意法半導體（簡稱ST）近日共同宣布，雙方將深化合作關系，進一步擴展在碳化硅（SiC）襯底晶圓領域的合作。此次合作基于雙方現有的針對150mm（6英寸）碳化硅襯底晶圓的多年長期供貨協議，意法半導體將獲得羅姆集團旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應。
2024-05-07 10:16:491123 來源：國芯網，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 6月2日消息，意法半導體宣布將在意大利卡塔尼亞建設世界首個全流程垂直集成的碳化硅工廠。 在該園區中，意法半導體將整合碳化硅產業鏈從襯底開發到外延生長
2024-06-04 09:34:281496 近日，汽車電子領域的佼佼者意法半導體（簡稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布了一項重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長期供應協議，標志著雙方在原有合作基礎上，對碳化硅器件的聯合研發與應用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471234 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件
2024-06-04 14:36:531453 近日，半導體行業的佼佼者意法半導體（STMicroelectronics）與領先的汽車制造商吉利汽車集團宣布簽署了一份長期碳化硅（SiC）供應協議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領域的現有合作，更標志著雙方合作關系的進一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 全球半導體行業的領軍企業意法半導體（簡稱ST）近日宣布，將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地，專注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊的制造、封裝、測試等全流程生產。這一重要舉措不僅體現了意法半導體在碳化硅技術領域的深厚實力，也標志著公司向全面垂直整合碳化硅產業鏈邁出了堅實的一步。
2024-06-07 18:07:053036 近日，全球半導體行業的領軍企業意法半導體（簡稱ST）與國內汽車及新能源汽車制造巨頭吉利汽車集團宣布簽署了一項重要協議，雙方將在碳化硅（SiC）器件領域展開長期合作。
2024-06-07 18:12:213081 近日，重慶三安意法8英寸碳化硅（SiC）襯底廠正式投產，標志著這一高科技項目比預期提前兩個月進入生產階段，為中國電動汽車產業供應鏈注入了強勁動力。該項目由全球領先的半導體制造商意法半導體
2024-09-04 18:07:241531 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 ????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
2024-12-05 10:41:211095 碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237 
三安光電和意法半導體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導體有限公司，簡稱安意法)，全面落成后預計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預計將在2025年四季度投產，屆時將成為國內首條8英寸車規級碳化硅功率芯片規模化量產線。
2025-02-27 18:12:341590 近日，三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓工廠正式通線，預計2025年四季度批量生產，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應，結合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發展歷程，不難看出國產碳化硅功率半導體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016 日前，服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（ST）與重慶郵電大學在重慶安意法半導體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產業發展論壇”上正式簽署產學研戰略合作協議。
2025-03-21 09:39:241357 隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應用現狀。
2025-04-21 17:55:031082
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