深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations發布了一份新的技術白皮書，新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢；詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優勢。這份白皮書發布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。

AI計算的需求正在推動數據中心電源架構向更高的效率和功率密度發展。Power Integrations (PI)在一份新白皮書中闡述了1250V和1700V PowiaN氮化鎵(GaN)技術在下一代供電架構中的應用能力。這份白皮書發布于2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，會上英偉達（NVIDIA）分享了關于過渡到800VDC數據中心電源架構以支持兆瓦級機架的見解。

PI技術白皮書免費下載：

*附件：1250V_1700V_PowiGaN_800VDC_AI_Data_Center-CN-101125.pdf

白皮書?闡釋了Power Integrations業界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優勢，展示了其經過實際應用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，該白皮書還表明，與堆疊式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，單個1250V PowiGaN開關可提供更高的功率密度和效率。

該白皮書還重點介紹了Power Integrations的InnoMux?2-EP IC，它是適用于800VDC數據中心輔助電源的獨特解決方案。InnoMux-2器件內集成的1700V PowiGaN開關支持1000VDC輸入電壓，其SR ZVS工作模式在液冷無風扇的800VDC架構中可為12V系統提供超過90.3%的效率。

Power Integrations的1250V/1700V GaN HEMT共源共柵開關

1250V/1700V GaN HEMT是一款基于Power Integrations的專有PowiGaN技術制造的常開、耗盡型器件。它與低壓硅 MOSFET串聯，形成共源共柵結構，以實現有效的常關操作，這對于電力電子系統的安全運行至關重要。耗盡型GaN 器件被認為具有極高的可靠性，因為它們無需p型GaN柵極層。因此，它們避免了閾值電壓漂移及相關的不穩定性問題，確保了長期穩定性。圖1所示為高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET構成的共源共柵開關的電路原理圖。圖2所示為 一款60mΩ（25°C下最大值）、1250V GaN共源共柵開關的顯微照片，其中低壓硅MOSFET堆疊在GaN HEMT頂部。

圖3和圖4顯示了典型的1250V和1700V PowiGaN共源共柵開關的關斷狀態特性，其漏電特性在遠超額定電壓時仍保 持穩定，確保了出色的瞬態過壓承受能力。這表明與同等耐壓規格的硅或SiC器件相比具有顯著的安全裕量。