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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導體芯片和器件研發、技術方案服務及銷售一體的技術公司

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國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅動芯片

型號： NSG2153D

--- 產品參數 ---

  • 最高工作電壓為 +600V
  • VCC鉗位電壓 15.6V
  • 正/負欠壓閾值 11V/9V
  • 死區時間DT 1.1μs
  • 輸出級拉電流 1.2A
  • 灌電流能力 1.5A
  • dV/dt耐受能力 ±50V/nsec
  • 寬溫度范圍 -40°C~125°C
  • 封裝 SOP8封裝

--- 產品詳情 ---

國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅動芯片

一、概述

NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅動芯片。NSG2153D其浮動通道可用于驅動高低側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達600V。NSG2153D內置 1.1μs死區電路，可以有效防止高低側功率管直通。NSG2153D內置自舉電路，可以簡化芯片外圍電路。NSG2153D采用SOP8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

二、產品特性

最高工作電壓為+600V
CT，RT可編程振蕩器
微功率啟動
CT引腳上的非鎖定關斷特性（1/6th VCC）
VCC鉗位電壓為15.6V
集成VCC欠壓鎖定電路
 --正/負欠壓閾值：11V/9V
集成VBS欠壓鎖定電路
 --正/負欠壓閾值：9V/8V
死區時間DT=1.1μs
輸出級拉電流/灌電流能力1.2A/1.5A
dV/dt耐受能力可達±50V/nsec
集成自舉
寬溫度范圍-40°C~125°C
符合RoSH標準
SOP8封裝

 

三、應用 

電源管理
電子照明
逆變器
電機驅動 

 

四、封裝信息

 

 

 

 

 

五、簡化示意圖

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