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1700V EconoDUAL? 3 IGBT7助力690V變頻器擴容提頻

英飛凌工業半導體 ? 2025-07-30 17:30 ? 次閱讀
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隨著國家“雙碳”政策的推進,大力推廣節能減排技術已經在各行業逐步深化。在高能耗的工業應用中,通過變頻器控制電機調速可以節能大約15-40%,有著巨大的經濟效益, 因此一直是節能減排的重要措施。作為通用變頻器重要的細分產品,690V變頻器主要應用于冶金、石油、造紙、港口大型起重設備和船舶等領域。英飛凌上一代的1700V EconoDUAL 3 IGBT4模塊已經在690V變頻器中得到了廣泛應用。隨著芯片技術的發展和變頻器系統功率密度的提升,英飛凌基于最新的1700V IGBT7芯片和EC7二極管芯片推出了新一代的EconoDUAL 3 IGBT7模塊。


產品概述


由于芯片電流密度的提升,IGBT7模塊有6個電流等級和8種產品,如下表所示。


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更高電流等級:除了與IGBT4的4個電流等級兼容,IGBT7還提供750A和900A兩款更高電流等級的產品,可以進一步提升系統的功率密度。

加強反并聯二極管:此外,FF750R17ME7D_B11配置了1200A的反并聯二極管芯片,更適合零功率因數和負功率因數應用工況,比如SVG,使用IGBT模塊的AFE整流單元。

直接水冷設計:FF900R17ME7W_B11的銅基板采用了直接水冷設計,可以進一步提升模塊的散熱效率和系統的功率密度。


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EconoDUAL 3

封裝外形圖

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FF900R17ME7W_B11

直接水冷模塊的銅基板



性能優勢


1700V EconoDUAL 3 IGBT7除了有更豐富的產品系列和更高的電流等級,還有哪些獨特之處可以助力提升690V變頻器的系統價值?且聽我一一分析。


1

IGBT7的VCE sat更低


以FF600R17ME4_B11和 FF600R17ME7_B11為例,當Ic為600A,結溫為150℃時,兩種器件的IGBT飽和壓降為分別為2.45V 和1.95V。FF600R17ME7_B11比FF600R17ME4_B11低0.5V,大約20.4%。


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2

IGBT7的動態特性更優


由于EC7二極管芯片的特性更軟,IGBT7芯片的開通dv/dt可以更高,開通損耗也更低。在相同的測試平臺,IGBT7模塊FF900R17ME7_B11的開通dv/dt最高為9.4kV/us,而IGBT4模塊FF600R17ME4_B11僅為3.4kV/us(綠色實線對應的dv/dt最大值),如下圖a所示。主要的原因是在圖b中,FF600R17ME4_B11的二極管EC4在3.4kV/us已經出現了比較明顯的關斷電壓震蕩,從而限制了IGBT開通速度的增加。在相同的關斷電阻,FF900R17ME7_B11的dv/dt比FF600R17ME4_B11大,有利于降低關斷損耗。


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a

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b


3

IGBT7的工作結溫更高


在下圖a中,IGBT7允許的最高工作結溫為175℃,持續時間t1最大為60秒,占空比Dmax最高為20%。當溫度周期T為300秒時,t1最大正好是60秒。此時,IGBT7的結溫時間曲線和變頻器典型的重過載電流時間曲線重合,如下圖c所示,從而可以根據IGBT7的150℃長期結溫和175℃過載結溫評估變頻器的重過載工況。與下圖b中IGBT4的最高工作結溫150℃相比,IGBT7額外的25℃過載結溫可以進一步提升系統的功率密度。


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a – IGBT7允許的工作結溫和時間曲線;

b – IGBT4允許的工作結溫和時間曲線;

c – 變頻器典型的重過載電流和時間曲線


4

IGBT7的EconoDUAL 3的

功率端子散熱更強


隨著系統功率密度的提升,EconoDUAL 3封裝交直流功率端子的溫升可能會成為系統設計的瓶頸。為此,新一代的EconoDUAL 3封裝優化了內部結構,增加了DCB和功率端子之間的銅綁定線數量,以提高散熱效率,如下圖所示。


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a – FF600R17ME4_B11

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b – FF600R17ME7_B11

EconoDUAL 3模塊功率端子與DCB連接的銅綁定線


5

IGBT7的EconoDUAL 3的

內部等效電阻更低


此外,如下表所示,IGBT7模塊內部連接的歐姆電阻RCC’+EE’,也稱引線電阻,在常溫下為0.8毫歐,比IGBT4模塊的1.1毫歐降低了27.3%,可以降低引線電阻的損耗。


EconoDUAL 3 IGBT4和IGBT7

模塊內部的引線電阻阻值

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仿真案例


PLECS仿真工況:既然IGBT7比IGBT4有這么多的優勢,那它在690V變頻器的產品層面表現如何?莫急,下面主要以450A電流等級的IGBT7和IGBT4為例,通過電力電子仿真軟件PLECS和基于規格書的器件熱模型對兩種IGBT模塊進行詳細的仿真分析。下表是690V逆變器的典型工作參數。

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PLECS仿真結果,輸出電流和結溫:下圖是四種IGBT模塊的輸出電流和IGBT芯片結溫的仿真曲線。IGBT4的最高工作結溫是150℃,FF450R17ME4_B11對應的輸出電流為275A。IGBT7的最高工作結溫是175℃,FF450R17ME7_B11對應的輸出電流343A, 比IGBT4高24.7%。同理,FF600R17ME4_B11的輸出電流為302A,FF600R17ME7_B11的輸出電流380A,比IGBT4 高25.8%。相同輸出電流時,IGBT7的結溫明顯低于IGBT4,且隨著輸出電流的增加,兩者的溫差越來越大。

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IGBT7結溫低的原因是損耗低。假定一個IGBT模塊的輸出電流為271A,下圖是半個IGBT模塊的損耗對比, FF450R17ME4_B11的損耗是325.9W,FF450R17ME7_B11的損耗是246.2W,比FF450R17ME4_B11低24.4%,因此IGBT7模塊可以降低系統損耗和提升系統效率。


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PLECS仿真結果,結溫,殼溫和散熱器溫度:下圖是IGBT的結溫、殼溫和散熱器溫度對比,FF450R17ME4_B11的結溫、殼溫和散熱器溫度分別為115.3℃、98.4℃和91.2℃,FF450R17ME7_B11分別為105℃、86.6℃和79.5℃。IGBT7的結溫、殼溫和散熱器溫度比IGBT4低10.3℃、11.8℃和11.7℃,可以提高系統的可靠性。

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PLECS仿真結果,提升輸出電流和開關頻率:IGBT7損耗低和溫升低的優勢有利于提升IGBT的輸出電流或者開關頻率(載頻)。在1250Hz,217A輸出時,FF450R17ME4_B11的結溫為115.3℃,FF450R17ME7_B11的結溫為105℃。如下圖所示,如果保持與FF450R17ME4_B11相同的開關頻率和結溫,FF450R17ME7_B11的輸出電流可以增加到240A,增加了23A,10.6%。如果保持與FF450R17ME4_B11相同的輸出電流和結溫,FF450R17ME7_B11的開關頻率可以增加到1750Hz,增加了500Hz,40%。

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IGBT開關頻率[Hz]

IGBT7助力690變頻器功率跳檔的PLECS仿真:IGBT7允許的最高工作結溫是175℃,IGBT4是150℃。參考下表690V 200kW和250kW變頻器的額定電流、輕過載電流和重過載電流,通過器件的規格書熱模型和PLECS仿真評估FF450R17ME7_B11是否能實現變頻器的功率跳檔。仿真雖然和真實的變頻器系統有差距,但是它能幫助我們快速評估器件性能的表現趨勢。

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下表是IGBT4和IGBT7的仿真結溫對比,在不同工況下有如下區別:


在額定電流工況下,FF450R17ME4_B11的結溫是115.3℃,距離最高結溫有34.7℃的裕量。FF450R17ME7_B11的結溫是129.6℃,距離IGBT7允許的最高連續運行結溫150℃有21.4℃的裕量。

在110%輕過載工況,FF450R17ME4_B11的結溫是122.8℃,距離最高結溫有27.2℃的裕量。FF450R17ME7_B11的結溫是135.1℃,距離最高結溫有39.9℃的裕量

在150%重過載工況,FF450R17ME4_B11的結溫是118.7℃,距離最高結溫有31.3℃的裕量。FF450R17ME7_B11的結溫是137.2℃,距離最高結溫有37.8℃的裕量。


基于仿真評估結果,從結溫裕量的角度來說,FF450R17ME7_B11滿足250kW變頻器的工況,與FF450R17ME4_B11相比,它可以助力變頻器功率從200kW擴展到250kW,實現功率跳檔。


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總結


本文首先介紹了1700V EconoDUAL 3 IGBT7的產品系列和性能特點,然后以1700V 450A IGBT4和IGBT7為例,通過PLECS仿真詳細研究了IGBT7在損耗、溫升和高載頻等方面的優勢。由于IGBT7的最高工作結溫是175℃,仿真結果表明IGBT7可以實現變頻器的功率跳檔。為了便于大家理解,下圖總結了IGBT7的產品優勢和對690V變頻器的應用價值。


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