摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設計者在嚴苛的工作環境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:163920 摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:382488 
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區域，同時以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:272151 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統。
2022-04-11 16:41:191960 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結構
2022-05-05 14:00:502014 
氮化硅在銅芯片中作為金屬沉積前的電介質層（PMD）、金屬層間電介質層（IMD）和鈍化保護電介質層（PD）的應用情況。
2022-10-17 09:29:5914081 原理是在高溫真空環境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發生化學反應，生成可被液態釬料潤濕的穩定反應層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統的DBC（直接鍵合銅）技術，AMB工藝通過化學鍵合而非物理共晶實現連接，結
2025-12-01 06:12:004598 基板的設備還能進一步縮小體積，4、具有極高的耐化學腐蝕性和良好的耐磨性能。5、斯利通氮化硅陶瓷基板還提供高端的定制化服務。終上所述，對于車用IGBT，氮化硅是再適合不過的。氮化硅陶瓷電路板可以適應高溫
2021-01-27 11:30:38
設備載荷，但同時對散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進，更匹配，更環保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。為什么說氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車的PCB板呢？氮化硅在高溫下具有高強度和斷裂韌性。可以
2021-01-21 11:45:54
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過這樣做，我們開發了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過在 H 中蝕刻形成具有對應于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態等結構參數的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
6吋的 Si基板上。然而，由于硅和氮化鎵的晶體常數不同，所以其缺陷密度較高，無法形成能夠承受高壓、大電流的縱型 FET，以及高性能的橫向 HEMT。第二個問題是，氮化鎵晶片是一種結塊狀（Bulk)，其
2023-02-23 15:46:22
應用的企圖心。到2020年時，氮化鎵組件將進軍600～900伏特市場，與碳化硅組件的競爭關系升溫。問題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢。可以通過加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監控手段
2021-04-01 23:50:33
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產率，便采用
2018-03-16 11:53:10
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
表面硅MEMS加工技術是在集成電路平面工藝基礎上發展起來的一種MEMS工藝技術，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。什么是表面硅MEMS加工技術？表面硅MEMS加工技術先在
2018-11-05 15:42:42
論述了一種測試混合信號集成電路襯底噪聲波形的方法采用電壓比較器利用襯底電壓對比
較器狀態的影響對噪聲作出統計測試根據測試結果重建噪聲波形設計了一
2010-08-29 16:08:46
14 在混合信號集成電路中,襯底耦合噪聲是一個很大的問題。文章在現有噪聲有源抵消電路的基礎上,提出了一種新的多抵消點離散式有源噪聲抵消方法。它采用有源放大器,產生負
2010-08-29 16:09:4310 低熱量化學氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發出一種低溫化學氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:291232 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對襯底應力過大，容易出問題；
2020-06-02 08:00:000 瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）基礎科學學院的Tobias Kippenberg教授帶領的科學家團隊已經開發出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術，得到了創記錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:393272 據報道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實現所需的各項功能，因此出現了新的材料平臺。氮化硅（Si3N4）就是其中一種
2021-05-07 16:00:103882 
近日，瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術，得到了創紀錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。相關研究在《自然—通訊》上發表。
2021-05-24 10:43:386262 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導。仿真驗證了該結構的可行性。這種結構是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉移方法獲得氮化硅上鍺結構來實現的，該結構可擴展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:572046 
關鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術給我們的現代社會帶來了巨大的轉變。為了提高信息技術器件的存儲密度，我們華林科納使用淺溝槽隔離技術將半導體制造成無漏
2021-12-28 16:38:088493 
電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發展成為一種快
2021-12-30 10:36:172061 
光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷較低的優點，但尚未找到一種生產光滑的垂直側壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報道，在藍寶石基質上生長的氮化鎵的均方粒
2022-01-17 15:38:052087 
沉積裝置中分別進行10min和6h。機械微缺陷樣品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均勻性和粒徑(6h后低于2um)的結果優越，表明化學蝕刻（冷熱強酸、熔融堿或四氟化碳等離子體）對氮化硅上良好的CVD金剛石質量并不重要。 介紹 氮化硅基陶瓷被認為是金
2022-01-21 15:02:041353 
索引術語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:422181 
刻蝕電介質(二氧化硅、氮化硅)和晶體硅。論文的第二部分致力于蝕刻ⅲ-ⅴ族化合物半導體，其中基于氮化鎵材料的反應離子刻蝕結果，揭示了一種簡單實用的熱力學方法，解釋了選擇蝕刻特定材料的最佳化學物質的標準，并解釋了氮化鎵蝕刻
2022-02-07 14:39:362711 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在
2022-02-15 11:11:144830 
摘要 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優點。然而，在氮化硅去除過程中，不僅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:572730 
電感耦合等離子體反應離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發展成為一種快速評估材料的方法。
2022-02-23 16:20:243268 
量的稀釋氣體氙 (Xe) 結合，可在不發生蝕刻停止的情況下提高氮化物的選擇性。 發明領域 本發明一般涉及硅集成電路的蝕刻。特別地，本發明涉及在能夠大大降低對氮化硅15和其他非氧化物材料的蝕刻速率但仍然在氧化物中產生垂直輪廓的工藝
2022-02-24 13:42:293790 
本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
本發明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26856 
在本文中，結合了現有的經驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調查了濺射參數和蝕刻行為之間的關系，并提出了一種用于蝕刻的現象學結構區域模型
2022-05-09 14:27:58778 
在本研究中，通過對目標區域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發展了一種在石英表面產生三維納米結構的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種納米結構來展示，包括斜坡、分級階段和棋盤狀圖案。在不同溫度下測試掃描區域的蝕刻速率。為了制造更深層次的結構，人們嘗試在現有的納米結構上重新制作。
2022-05-13 13:51:35849 
評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰，該挑戰基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學顯微鏡
2022-06-23 14:26:57985 
，但尚未發現產生光滑垂直側壁的方法。還報道了GaN的解理面，生長在藍寶石襯底上的GaN的rms粗糙度在16 nm和11nm之間變化尖晶石襯底上生長的GaN為0.3納米。
2022-07-12 17:19:244607 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發， 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:597112 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結構陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領域具有很強的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:002709 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導介質的氮化硅陶瓷基板的熱傳導性是主要問題。
2022-10-13 16:29:581356 如今高導熱氮化硅陶瓷基板因其優異的機械性能和高導熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復雜和極端環境中的應用。在這里，我們概述了制備高導熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:333477 2022年9月，威海圓環先進陶瓷股份有限公司生產的行業標準規格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經達到量產規模，高導熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標到了國際上行業領軍的質量水平，突破了西方先進國家在高導熱氮化硅陶瓷基板的技術保護和應用產品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:576783 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述
2022-12-06 09:42:401770 綜合上述研究可發現，雖然燒結方式不一樣，但都可以制備出性能優異的氮化硅陶瓷。在實現氮化硅陶瓷大規模生產時，需要考慮成本、操作難易程度和生產周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結工藝是關鍵。
2022-12-06 10:30:395496 優點，廣泛應用于電子器件封裝。 由于具有優異的硬度、機械強度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優勢。以下就是區別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導熱
2022-12-09 17:18:242741 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:337265 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:342741 
硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:082354 現今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產量、汽車級CMOS生產線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學之后，該材料平臺已經成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應用提供了新的機會。
2023-02-15 16:37:091407 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于紫外發光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長氮化鋁(AlGaN)結構，針對278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:552353 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:491539 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:402778 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結助劑，經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:463457 新能源電動汽車爆發式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:452666 
一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延，下游應用于5G通訊、國防等射頻領域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。
2023-06-03 10:28:352405 
的要求，傳統的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導率和較差的力學性能等，嚴重阻礙了其發展。相比于傳統陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:123349 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:064579 
氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:232822 氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:438296 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:315815 PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:497024 
據麥姆斯咨詢報道，經過兩年、十余次的設計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產平臺，實現了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:543703 由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:581043 
京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:061243 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:094879 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416131 一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶態絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優于二氧化硅，具有對可移動離子較強的阻擋能力、結構致密、針孔密度小、化學穩定性好
2024-11-24 09:33:392761 
氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質材料，在集成電路制造領域具有廣泛的應用前景。作為非晶態絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優于傳統的二氧化硅，還具備對可移動離子的強阻擋能力、結構致密、針孔密度
2024-11-29 10:44:513427 
的加工過程中，TTV控制是至關重要的一環。
二、硅棒安裝機構的設計原理
為了有效控制碳化硅襯底的TTV，我們設計了一種新型的硅棒安裝機構。該機構通過精確控制硅棒的定
2024-12-26 09:51:54465 
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應
2025-02-07 09:44:141234 
本文介紹了單晶圓系統：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域，單晶圓系統展現出獨特的工藝優勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠實現臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
不同材料的刻蝕速率比，達到?>5:1?甚至更高的選擇比標準?。 一、核心價值與定義 l?精準材料去除? 高選擇性蝕刻通過調整反應條件，使目標材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實現
2025-03-12 17:02:49809 在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據著極為重要的地位，絕大多數芯片的生產都離不開它的參與。從其構成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合，卻蘊含著諸多獨特的性質，在芯片制造流程里發揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:332492 
很多行業的人都在好奇一個問題，就是spm清洗會把氮化硅去除嗎？為此，我們根據實踐與理論，給大家找到一個結果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40866 本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應力膜 氮化硅膜在MEMS中應用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07:121113 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231750 
氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能組合，已成為現代射頻功率器件載體的關鍵材料。其優異的導熱性、絕緣性、機械強度及熱穩定性，為高功率、高頻率電子設備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
2025-07-12 10:17:2014193 
氮化硅陶瓷導熱基片憑借其優異的綜合性能，在電子行業，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領域，正扮演著越來越重要的角色。
2025-07-25 17:58:54826 氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
2025-07-25 17:59:551451 在新能源汽車快速發展的今天，電力電子系統的性能提升已成為行業競爭的關鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，氮化硅(Si?N?)憑借其獨特的性能
2025-08-02 18:31:094290 氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環境（H2, CO）中的應用分析 在新能源汽車、光伏發電等領域的功率模塊應用中，逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰，有時還需耐受如氫氣（H2）、一氧化碳（CO
2025-08-03 11:37:341290 問題，為現代高性能電子設備的穩定運行提供了堅實的材料基礎。 ? 氮化硅陶瓷封裝基片 一、 氮化硅陶瓷基片的物理化學性能核心分析 氮化硅陶瓷基片的優異電學性能源于其固有的材料結構和成分控制： 極高的體積電阻率： 在室溫下通
2025-08-05 07:24:00857 對比其他工業陶瓷材料的優缺點，接著介紹制品的生產制造過程及適用工業應用，以展示其在現代科技中的重要性。 氮化硅陶瓷搬運臂 氮化硅陶瓷的物理化學性能突出，主要體現在高強度、高硬度和優異的耐環境性上。在物理性能方面，氮化硅
2025-11-23 10:25:252122 
半導體封裝作為集成電路制造的關鍵環節，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應力及精密操作環境中。熱壓燒結氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨特的物理化學性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發
2025-12-21 08:46:471581 
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