LPCVD氮化硅薄膜生長的機理
文章來源：Tom聊芯片智造
原文作者：Tom
本文解釋了LPCVD生長的氮化硅薄膜更致密
氮化硅薄膜生長的機理
LPCVD生長的方程式：
PECVD生長的方程式：
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應溫度低，氫原子可以作為反應的副產物保留在薄膜中，占據了N原子與Si原子的位置，使薄膜中的氫含量較高，導致生成的薄膜不致密。
為什么PECVD常用NH3來提供氮源?
NH3分子包含是N-H單鍵，而N2分子包含的是N≡N三鍵，N≡N更穩定，鍵能更高，即發生反應需要更高的溫度。NH?的低N-H鍵能使其成為低溫PECVD過程中氮源的首選。
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原文標題：為什么LPCVD生長的氮化硅薄膜更致密？
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