實(shí)驗(yàn)名稱：基于電場誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗(yàn)研究 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機(jī)構(gòu)化電極兩種電場誘導(dǎo)工藝進(jìn)行試驗(yàn)研究，在平面電極電場誘導(dǎo)
2021-02-02 17:43:45
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一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時(shí)以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:272151 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
通過高選擇性蝕刻，專用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料
2023-03-20 09:41:492966 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:533175 
選擇性焊接的流程包括哪些？選擇性焊接工藝有哪幾種？
2021-04-25 10:00:18
一種新型多協(xié)作中繼選擇協(xié)議研究
2012-08-06 13:35:31
【納米發(fā)電技術(shù)】納米發(fā)電機(jī)，是基于規(guī)則的氧化鋅納米線，在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能，是世界上最小的發(fā)電機(jī)。目前納米發(fā)電機(jī)可以分為三類：第一類是壓電納米發(fā)電機(jī)；第二類是摩擦納米發(fā)電機(jī)；第三類為熱釋
2021-06-30 07:24:20
什么是摩擦起電？摩擦起電現(xiàn)象是如何產(chǎn)生的？摩擦納米發(fā)電技術(shù)有哪些應(yīng)用？摩擦納米發(fā)電普及后的生活是啥樣的？
2021-06-17 07:08:31
新型非聯(lián)網(wǎng)2.4GHz技術(shù)為什么會(huì)是一種理想的選擇？
2021-05-28 06:15:05
斷開，沒有回路，而靜電場依然存在，可以在外接負(fù)載的情況下產(chǎn)生電流流過負(fù)載。有四種基本工作模式：1、垂直的摩擦-接觸（最基本，原理上面已經(jīng)講）2、水平滑動(dòng)兩個(gè)電極材料接觸的一面水平滑動(dòng)摩擦產(chǎn)生靜電，而兩個(gè)電極未接觸的一面將產(chǎn)生反向電...
2021-06-30 07:43:18
線和PVDF膜構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)） 2、柔性摩擦納米發(fā)電機(jī) 柔性摩擦納米發(fā)電機(jī)（TENG）使用兩種不同的聚合物/金屬薄膜，利用兩個(gè)薄膜接觸時(shí)摩擦產(chǎn)生的電荷發(fā)電。典型的柔性聚合物摩擦納米發(fā)電機(jī)可產(chǎn)生約3V
2020-08-25 10:59:35
選擇性打開前面板
2013-10-16 15:48:13
的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在
2009-04-07 17:17:49
典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在選擇性焊接中，助焊劑涂布工序起著重要的作用。焊接加熱與焊接結(jié)束時(shí)，助焊劑應(yīng)有足夠的活性防止橋接的產(chǎn)生并防止
2012-10-18 16:31:31
是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括
2013-09-13 10:25:12
的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。
2017-10-31 13:40:44
整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂
2012-10-17 15:58:37
焊接前也必須預(yù)先涂敷助焊劑。與波峰焊相比，助焊劑僅涂覆在PCB下部的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接
2012-10-18 16:26:06
部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。
2012-10-18 16:32:47
PCB下部的待焊接部位，而不是整個(gè)PCB。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接
2018-09-14 11:28:22
)→FQA→成品。 (2)要點(diǎn)僅對(duì)導(dǎo)電圖形進(jìn)行選擇性電鍍。板子鉆孔，化學(xué)鍍銅，光成像以形成導(dǎo)電圖形，這時(shí)候僅對(duì)線路和孔及焊盤進(jìn)行圖形電鍍銅，使孔內(nèi)平均銅厚大于等于20μm，然后接著鍍錫(錫鍍層作為蝕刻
2018-09-21 16:45:08
。另外選擇性焊接僅適用于插裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊
2018-09-10 16:50:02
我會(huì)冒泡排序，但是我做選擇性排序時(shí)，不知道如何將最外層for循環(huán)的每層最大值給傳遞下去，交換索引地址也出現(xiàn)了問題
2018-03-24 14:13:24
/index.html摘要：氮化鎵 (GaN) 納米線 (NW) 的器件近年來引起了很多興趣。超薄 GaN NW 可用于制造許多用于未來通信和加密系統(tǒng)的新型器件，例如單光子發(fā)射器 (SPE)。傳統(tǒng)的生長技術(shù)在可制造性
2021-07-08 13:11:24
溶液中 HCl（空心三角形）和 H2O（實(shí)心正方形）的體積部分 x 的函數(shù)。兩個(gè)圖中繪制的速率之間的差異在需要選擇性和明確定義的蝕刻的情況下可能很有用。3.結(jié)論我們已成功找到一種基于 HCl 的蝕刻溶液
2021-07-09 10:23:37
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽谘趸瘎ɡ邕^氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
裝元件的焊接。選擇性焊接是一種全新的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。選擇性焊接的流程典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。助焊劑涂布工藝在選擇性焊接
2018-06-28 21:28:53
現(xiàn)代化戰(zhàn)爭對(duì)吸波材料的吸波性能要求越來越高，一般傳統(tǒng)的吸波材料很難滿足需要。由于結(jié)構(gòu)和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術(shù)的新亮點(diǎn)。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
大量噪聲信號(hào)時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致PDI值偏高。2. 靜態(tài)光散射儀（SLS）：SLS是一種通過光學(xué)顯微鏡觀察顆粒圖像并計(jì)算出其直徑分布情況來計(jì)算PDI的方法。它具有高靈敏度、高準(zhǔn)確性等優(yōu)點(diǎn)，但需要對(duì)樣品進(jìn)行
2023-11-28 13:38:39
選擇性焊接的工藝特點(diǎn)是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個(gè)步驟
2021-04-25 08:59:39
本文提出了一種基于I2C總線的新型可編程增益放大器的設(shè)計(jì)方法，可根據(jù)輸入的模擬信號(hào)大小，自動(dòng)選擇量程進(jìn)行放大/衰減。
2021-04-21 06:01:39
新型車載影音系統(tǒng)的工作原理是什么？如何去設(shè)計(jì)一種新型車載影音系統(tǒng)？
2021-05-12 06:46:11
在本設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)了一種新型的應(yīng)用pin diodes的射頻開關(guān)轉(zhuǎn)換電路，實(shí)現(xiàn)的功能是4路RF輸入信號(hào)選擇其中任意2路RF信號(hào)輸出。
2021-06-04 06:55:00
機(jī)臺(tái)及其蝕刻方法，晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái)，適用于對(duì)具有正面及背面的晶片的邊緣進(jìn)行蝕刻。 一種晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái)，適用于對(duì)具有正面及背面的晶片的邊緣進(jìn)行蝕刻，而上述蝕刻機(jī)臺(tái)包括：一旋轉(zhuǎn)夾盤，具有一工作臺(tái)
2018-03-16 11:53:10
目前手上有個(gè)應(yīng)用程序，生成的數(shù)據(jù)可以復(fù)制到剪貼板中，在Excel中選擇“選擇性粘貼”-》“粘貼鏈接”功能后，excel中顯示的數(shù)據(jù)是前面那個(gè)軟件的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。現(xiàn)在我想把這個(gè)功能在labview里實(shí)現(xiàn)，請(qǐng)大俠們指點(diǎn)。
2014-01-12 11:43:58
本設(shè)計(jì)實(shí)例概述了一種有源濾波器合成方法，它把濾波器的靈敏度降到了無源元件的公差范圍，并促成了廉價(jià)、高階、高選擇性的濾波器的制造。
2021-06-07 06:28:37
是一種全新 的方法，徹底了解選擇性焊接工藝和設(shè)備是成功焊接所必需的。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的流程 典型的選擇性焊接的工藝流程
2013-09-23 14:32:50
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
實(shí)驗(yàn)名稱：基于電場誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗(yàn)研究 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機(jī)構(gòu)化電極兩種電場誘導(dǎo)工藝進(jìn)行試驗(yàn)研究，在平面電極
2022-03-29 15:44:41
為什么要設(shè)計(jì)一種新型電壓基準(zhǔn)電路？怎樣去設(shè)計(jì)一種新型電壓基準(zhǔn)電路？
2021-04-22 06:37:20
選擇性控制系統(tǒng)屬于復(fù)雜控制系統(tǒng)之一，昌暉儀表與大家分享選擇性控制系統(tǒng)口訣、選擇性控制系統(tǒng)分類和選擇性控制系統(tǒng)應(yīng)用的相關(guān)專業(yè)技術(shù)知識(shí)。選擇性控制系統(tǒng)儀表工口訣 常用的控制系統(tǒng)通常只能在一定工況下工
2019-04-21 16:40:03
一種新型的納米巨磁阻抗磁敏傳感器:摘 要： 主要介紹納米微晶材料的巨磁阻抗效應(yīng)及利用該效應(yīng)研制的一種新型的磁敏傳感器。 它以脈沖頻率的方式作為輸出結(jié)果，與
2009-04-28 23:34:54
29 磁性納米粒子的制備及其細(xì)胞分離方面的應(yīng)用:介紹了一種始終在溶液中制備Fe3O4磁性納米粒子的化學(xué)共沉淀,并對(duì)制得的粒子進(jìn)行表面修飾的方法. 通過IR, XRD和AFM等測試儀器對(duì)樣品進(jìn)
2009-10-26 09:23:5914 針對(duì)正交空時(shí)分組碼在頻率選擇性衰落信道中正交性被破壞的問題，該文提出了一種基于干擾對(duì)消的譯碼方案。該方案借鑒D-BLAST 系統(tǒng)的檢測方法，采用干擾抵消和干擾置零方法消
2009-11-17 14:21:228 基于嵌入式隱馬爾可夫模型(Embedded Hidden Markov Model, E-HMM)的人臉識(shí)別方法的識(shí)別性能依賴于模型參數(shù)的合理選擇。提出了一種基于E-HMM的多模型選擇性集成人臉識(shí)別算法，選擇出個(gè)體
2009-11-24 15:40:598 單分散納米微粒制備方法研究進(jìn)展:單分散納米微粒既可以在嚴(yán)格控制的條件下直接制備,也可以通過對(duì)多分散納米微粒體系進(jìn)行分級(jí)分離獲得。本文在總結(jié)近年來國內(nèi)外單分散納米微
2010-01-02 14:22:3020 本文介紹了選擇性控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計(jì)方法;選擇器是選擇性控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，本文給出了確定選擇器型式的一種方法— 靜態(tài)特性交叉法。本方法簡單、形象、直觀，并以
2010-01-12 17:19:5934 該文提出一種“選擇性寄存”的方法用于解決同步雙端口存儲(chǔ)器IP 同時(shí)對(duì)同一地址進(jìn)行讀寫操作時(shí)造成的讀出數(shù)據(jù)丟失的問題。利用該方法，通過使用同步雙端口存儲(chǔ)器IP 和標(biāo)準(zhǔn)單
2010-02-10 15:06:0119 •納米微粒的制備方法分類：
•1 根據(jù)是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，納米微粒的制備方法通常分為兩大類：
•物理方法和化學(xué)方法。
•2 根
2010-08-12 17:25:3719 納米鐵氧體的制備與表征方法研究摘要：本文對(duì)納米鐵氧體的制備方法以及表征方法做了簡要的概述，對(duì)鐵氧體的分類、納米鐵氧體技術(shù)的發(fā)展及特性也做了介紹，在納米鐵氧
2010-10-02 11:30:4652 選擇性焊接的工藝特點(diǎn) 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性
2010-09-20 01:07:221128 在以數(shù)據(jù)為中心的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)中，當(dāng)惡意節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)并發(fā)起選擇性轉(zhuǎn)發(fā)攻擊時(shí)，出現(xiàn)的問題是惡意節(jié)點(diǎn)未能轉(zhuǎn)發(fā)來到的信息，而丟掉部分和全部的關(guān)鍵信息，會(huì)嚴(yán)重破壞數(shù)據(jù)的收集，
2011-11-15 10:14:1621 為提高諧波檢測的精確性和實(shí)時(shí)性，通過對(duì)濾波器邊帶選擇性的分析，提出了一種同時(shí)滿足精確性和實(shí)時(shí)性的濾波器優(yōu)化方法。理論分析、仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明了該方法的正確性和有
2012-05-02 14:45:5938 機(jī)會(huì)中繼選擇協(xié)議是一種基于即時(shí)信道狀態(tài)的單協(xié)作中繼選擇方法。文章將機(jī)會(huì)中繼的思想推廣到多中繼選擇場景，提出一種新的中繼選擇協(xié)議。協(xié)議通過采用目的節(jié)點(diǎn)確認(rèn)協(xié)作中繼及
2012-05-29 14:14:0536 一種新型SVPWM調(diào)制方法的研究與實(shí)現(xiàn)。
2016-03-30 14:40:327 SLM選擇性激光融化
2016-12-25 22:12:070 一種新型的電刷調(diào)整方法_周國玉
2017-01-02 16:09:050 項(xiàng)集的模式挖掘方法應(yīng)用于分類器的選擇過程，利用垂直數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、頻繁閉項(xiàng)集及模式挖掘方法的優(yōu)勢，提出一種預(yù)測性能更好、更加高效的選擇性集成分類算法。
2017-11-14 17:15:038 目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0012877 
近日，科技日?qǐng)?bào)記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校俞書宏教授課題組與合作者合作，設(shè)計(jì)了一種“脈沖式軸向外延生長”方法，成功制備了尺寸、結(jié)構(gòu)可調(diào)的一維膠體量子點(diǎn)-納米線分段異質(zhì)結(jié)，利用ZnS納米線對(duì)CdS
2018-11-27 16:19:593720 近日，上海交通大學(xué)的姜雪松教授課題組，報(bào)道了一種制備近紅外光響應(yīng)的動(dòng)態(tài)褶皺的方法。該方法利用含有碳納米管的聚二甲基硅氧烷彈性體作為雙層體系的基質(zhì)，多種功能聚合物作為頂層材料制備了對(duì)近紅外光響應(yīng)的動(dòng)態(tài)褶皺。
2018-04-27 15:14:507417 
本文提出了一種帶預(yù)測補(bǔ)償?shù)?b class="flag-6" style="color: red">選擇性諧波檢測方法以及基于該方法的電壓和電流閉環(huán)控制方法。這種檢測方法是從負(fù)載電流中直接檢測出指定次諧波（包括正序諧波和負(fù)序諧波） ， 并通過增加預(yù)測補(bǔ)償角徹底解決系統(tǒng)
2020-08-27 09:50:513542 
在 PCB 組裝過程中，很多時(shí)候，由于一種或多種原因，更傳統(tǒng)的工具或方法（例如波峰焊）并非總是最佳選擇。組裝技術(shù)人員可能會(huì)花費(fèi)大量時(shí)間來嘗試使這些傳統(tǒng)過程正常運(yùn)行。或者，他們可以使用專門針對(duì)當(dāng)前
2020-09-23 20:39:179351 中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室A05組長期致力于碳納米結(jié)構(gòu)的制備、物性與應(yīng)用基礎(chǔ)研究。該課題組研究人員發(fā)展出一種新的連續(xù)直接制備大面積自支撐的透明導(dǎo)電碳納米管（CNT）薄膜的方法——吹脹氣溶膠法（BACVD）
2020-10-13 14:17:134894 
在利用摩擦起電誘導(dǎo)電致發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)人眼直接觀測的空間壓力映射方面，河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院柔性光電薄膜與器件團(tuán)隊(duì)蘇麗博士等人在成功實(shí)現(xiàn)摩擦起電誘導(dǎo)電致發(fā)光寬譜顏色操控基礎(chǔ)上開發(fā)了新型自驅(qū)動(dòng)可視化柔性壓力傳感器
2020-11-10 10:14:014282 頻率選擇性表面（FSS）功能上就是對(duì)空間中傳播的平面波的“濾波器”，物理上多通過周期結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，屬于典型的電磁散射問題。
2021-06-07 10:21:406 我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對(duì)于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底減薄或去除至關(guān)重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:511655 
的IOSC相比，用氧化鋅納米制備的IOSCs中短路電流的增加，主要是由于PCE增強(qiáng)后電荷傳輸界面面積的增加。這項(xiàng)工作提出了一種制造具有更大電荷傳輸面積的高效光伏器件的方法，以備未來的前景。 介紹 為了提高界面穩(wěn)定性和防止器件降解，含有半導(dǎo)體氧化物
2022-01-20 11:27:38660 
問題，而且包括蝕刻速率、均勻性和選擇性在內(nèi)的工藝性能都是使該工藝難以從臺(tái)式轉(zhuǎn)換到單晶片型的障礙。在這里，我們提出了一種新穎的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)引入了上晶片加熱板，以保持磷酸蝕刻劑的高溫，從而克服在氮化物剝離工藝中單晶片處
2022-02-15 16:38:572730 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對(duì)其光學(xué)性能進(jìn)行了測試。
2022-03-29 16:02:591360 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-06 13:32:13880 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-15 10:18:45764 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39939 
在本文中，使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進(jìn)行了陣列制作鐵氧化物納米點(diǎn)的生物納米過程，ICP法是一種很有前途的方法，用于半導(dǎo)體圖案化的干蝕刻方法，這種方法的特點(diǎn)是通過安裝在反應(yīng)室頂部的天線線圈
2022-05-19 16:05:212806 
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:453558 
本研究的目的是我們?nèi)A林科納開發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對(duì)電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實(shí)驗(yàn)是在分子間Tempus F-20TM工具上進(jìn)行的，該工具能夠在一個(gè)基板上
2022-05-30 16:39:111956 
通過使用多級(jí)等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動(dòng)蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對(duì)于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57985 
摩擦納米發(fā)電機(jī)（Triboelectric Nanogenerator，TENG）最早由王中林院士提出，TENG器件通過兩個(gè)摩擦電層相互作用產(chǎn)生的摩擦起電和靜電感應(yīng)現(xiàn)象的耦合效應(yīng)，可以將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能來收集微小的機(jī)械能。
2023-02-15 15:24:113059 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:541476 
納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個(gè)極好的平臺(tái)， 從而研究如何使納米線的表面功能化，由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性，導(dǎo)致我們需要考慮如何使納米線的表面功能化，從而以良好的選擇性檢測特定的氣體分子。
2023-06-16 14:12:332526 
高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08736 
近日，中國科學(xué)院近代物理研究所材料研究中心與俄羅斯杜布納聯(lián)合核子研究所合作，研發(fā)出一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)。相關(guān)研究成果發(fā)表在《納米快報(bào)》（Nano Letters）上
2023-07-04 11:10:561627 
選擇性波峰焊和波峰焊是pcba貼片加工中常用的焊接方法之一。然而，這些方法中的每一種都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-08-07 09:09:342034 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點(diǎn)。兩者間明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊接中，僅有部分特定區(qū)域與焊錫波接觸。由于PCB本身就是一種不良的熱傳導(dǎo)介質(zhì)，因此焊接時(shí)它不會(huì)加熱熔化鄰近元器件和PCB區(qū)域的焊點(diǎn)。
2023-10-20 15:18:461583 眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結(jié)構(gòu)對(duì)真核細(xì)胞和原核細(xì)胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結(jié)構(gòu)提供了一種無藥物的方法來對(duì)抗感染，這被認(rèn)為是一種替代釋放抗菌劑的常見抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16773 
Si選擇性刻蝕。 為了提高晶體管性能，基于SiGe中的傳導(dǎo)溝道的技術(shù)目前已經(jīng)在開發(fā)中。這種蝕刻是基于四氟化碳/N2/O2的氣體混合物中的過程，其特征具有選擇性，即Si隧道深度與SiGe層消耗之間的比值（圖1）。 圖1：樣品用于研究該過程的選擇性 實(shí)
2024-02-21 16:53:553978 
在這篇文章中，我們將詳細(xì)探討交流二元繼電器的相位選擇性和頻率選擇性。我們將從繼電器的基本原理開始，然后探討這兩種選擇性的原理和實(shí)現(xiàn)方法。 1. 繼電器的基本原理 繼電器是一種電子開關(guān)，它可以根據(jù)輸入
2024-06-29 09:42:191901 和可靠性。 1. 過電流保護(hù)的基本原理 過電流保護(hù)是一種基于電流大小的保護(hù)方式，當(dāng)電流超過設(shè)定的閾值時(shí)，保護(hù)裝置會(huì)動(dòng)作，切斷故障電路。過電流保護(hù)通常包括過載保護(hù)和短路保護(hù)兩種類型。 2. 選擇性保護(hù)的重要性 選擇性保護(hù)
2024-09-26 14:38:282063 先進(jìn)的CEFT晶體管，為了進(jìn)一步優(yōu)化，一種名為選擇性沉積的技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。這項(xiàng)技術(shù)通過精確控制材料在特定區(qū)域內(nèi)的沉積過程來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，并主要分為按需沉積（DoD， Deposition on Demand）與按需材料工藝（MoD， Material on Demand）兩種形式。 按需沉積（DoD）
2024-12-07 09:45:011576 
, GAAFET）作為一種有望替代FinFET的下一代晶體管架構(gòu)，因其能夠在更小尺寸下提供更好的靜電控制和更高的性能而備受關(guān)注。在制造n型GAAFET的過程中，一個(gè)關(guān)鍵步驟是在內(nèi)隔層沉積之前對(duì)Si-SiGe堆疊納米片進(jìn)行高選擇性的SiGe：Si蝕刻，以產(chǎn)生硅納米片并釋放溝道。 本文將探討這一過
2024-12-17 09:53:332013 
隨著全球能源需求的增長，開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝，用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池，并通過優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291206 
不同材料的刻蝕速率比，達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件，使目標(biāo)材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809
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