国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位?

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2023-12-20 18:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

芯片制造中,有一種材料扮演著至關重要的角色,那就是氮化硅(SiNx)。盡管它可能并未獲得和其他更為熟知的半導體材料,如硅(Si)、砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)等同樣的關注,但它的重要性是毋庸置疑的。可以這么說,絕大多數芯片都會用到這種材料。

1.為什么是SiNx?

細心的小伙伴已經注意到,我在書寫氮化硅化學式的時候用的是SiNx.學過高中化學的朋友都應該知道,N是第五主族元素,按理說化合價應該為-3,而硅的化學價為+4,氮化硅的化學式應該為Si3N4才對,怎么會是SiNx?

首先,要說說氮的多價態:

氮元素具有多種價態,這主要是因為它具有5個價電子,且氮原子能以不同方式共享這些電子,氮元素可以形成不同的價態,這主要取決于它與其他元素共享電子的數量。

wKgaomWCvySAUfBMAAAxTOEd1Oc656.jpg

對于氮來說,它最穩定的價態是-3,如在氨(NH3),氮化鎵(GaN)中。然而,氮也可以通過損失電子形成正價態,如在硝酸(HNO3)中的+5價態。此外,氮也可以形成介于-3和+5之間的價態,如在亞硝酸(HNO2)中的+3價態,或在一些有機化合物中的+1和+2價態。

其次,說說氮化硅這種材料:

在半導體工業中,用于各種應用的氮化硅往往是非定比的,一般用SiNx表示。SiNx是一種非晶態材料,其性質取決于氮和硅的比例,即x的值。當x的值改變時,氮化硅的物理和化學性質也會改變。氮化硅的確有多種形式,包括Si3N4,Si2N2,SiN等。

wKgaomWCvySAT098AACU2HI0qS8991.jpg

而Si3N4是一種晶態材料,這意味著它的硅和氮的比例是固定的。當x的值等于4/3時,SiNx等于Si3N4。但在實際應用中,SiNx往往是非定比的,其硅和氮的比例可以通過改變PVD或CVD過程的參數進行調控。

2.SiNx在芯片制造中的作用?

氮化硅的絕緣性能非常優秀,電阻率可以高達10^14 Ω·cm,遠超過一些常見的絕緣材料,如氧化硅(SiO2)。而它的低介電常數又使得它在微波射頻應用中成為理想的隔離層。氮化硅層在芯片中也起到阻擋雜質擴散的作用。它可以阻止硼、磷等摻雜物通過擴散改變器件特性。此外,它還可以阻止金屬離子等的擴散,以防止短路等故障。

wKgZomWCvySAZxNqAACIaE_p4Yw815.jpg

氮化硅的熱穩定性極佳,是由其特殊的化學性質和晶體結構決定的。它可以在高溫環境下保持穩定,而不會像其他材料那樣發生化學分解或者物理形狀的變化。那是因為在氮化硅的晶體結構中,每一個硅原子都與四個氮原子以四面體的形式結合在一起,每一個氮原子也都與四個硅原子以四面體的形式結合在一起。這種結構使得氮化硅的晶體格極為穩定,不易發生形變。因此在制造高電子遷移率晶體管(HEMTs)時作為柵極絕緣層。

3.SiNx相對于SiO2的優勢?

熱穩定性更好、硬度更硬、更難刻蝕。





審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關注

    關注

    78

    文章

    10396

    瀏覽量

    147741
  • 芯片制造
    +關注

    關注

    11

    文章

    719

    瀏覽量

    30466
  • 氮化硅
    +關注

    關注

    0

    文章

    95

    瀏覽量

    675

原文標題:聊聊氮化硅(SiNx)在芯片中的重要性

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    氮化硅陶瓷微波諧振腔基座:高透波性能引領工業創新

    高透波性能氮化硅陶瓷微波諧振腔陶瓷基座是現代高頻電子設備和微波系統中的關鍵組件,其性能直接影響到微波信號的傳輸效率和系統穩定性。這種基座材料以氮化硅陶瓷為核心,憑借優異的物理化學特性,高端工業領域
    的頭像 發表于 01-23 12:31 ?212次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷微波諧振腔基座:高透波性能引領工業創新

    氮化硅導電復合陶瓷:研磨拋光性能與應用深度解析

    氮化硅導電復合陶瓷作為一種創新型工程材料,研磨拋光領域憑借其獨特的物理化學性能,正逐步替代傳統陶瓷,成為高端工業應用的關鍵選擇。海合精密陶瓷有限公司通過多年研發,該材料的制備與應用方面取得了顯著
    的頭像 發表于 01-20 07:49 ?168次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>導電復合陶瓷:研磨拋光性能與應用深度解析

    氮化硅陶瓷封裝基板:抗蠕變性能保障半導體長效可靠

    隨著半導體技術向高功率、高集成度和高頻方向演進,封裝基板的可靠性與性能成為關鍵。氮化硅陶瓷以其卓越的抗蠕變特性脫穎而出,能夠長時間保持形狀和強度,抵抗緩慢塑性變形,從而確保半導體器件長期運行中
    的頭像 發表于 01-17 08:31 ?1082次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封裝基板:抗蠕變性能保障半導體長效可靠

    熱壓燒結氮化硅陶瓷手指:半導體封裝的性能突破

    半導體封裝作為集成電路制造的關鍵環節,對材料性能要求極為苛刻,尤其是高溫、高應力及精密操作環境中。熱壓燒結氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具,以其獨特的物理化學性能,芯片貼裝、引線鍵合
    的頭像 發表于 12-21 08:46 ?1720次閱讀
    熱壓燒結<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷手指:半導體封裝的性能突破

    高抗彎強度氮化硅陶瓷晶圓搬運臂解析

    對比其他工業陶瓷材料的優缺點,接著介紹制品的生產制造過程及適用工業應用,以展示其現代科技中的重要性。 氮化硅陶瓷搬運臂 氮化硅陶瓷的物理化學性能突出,主要體現在高強度、高硬度和優異的
    的頭像 發表于 11-23 10:25 ?2239次閱讀
    高抗彎強度<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷晶圓搬運臂解析

    氮化硅陶瓷封裝基片

    氮化硅陶瓷基片:高頻電磁場封裝的關鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領域扮演著至關重要的角色。其獨特的高電阻率與低介電損耗特性,有效解決了高頻電磁場環境下電磁干擾引發的信號失真、串擾
    的頭像 發表于 08-05 07:24 ?1110次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封裝基片

    熱壓燒結氮化硅陶瓷逆變器散熱基板

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板還原性氣體環境(H2, CO)中的應用分析 新能源汽車、光伏發電等領域的功率模塊應用中,逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰,有時還需耐受如氫氣(H2)、一氧化碳(CO
    的頭像 發表于 08-03 11:37 ?1489次閱讀
    熱壓燒結<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器散熱基板

    氮化硅陶瓷基板:新能源汽車電力電子的散熱革新

    新能源汽車快速發展的今天,電力電子系統的性能提升已成為行業競爭的關鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ,其技術演進直接影響著整車的能效和可靠性。眾多陶瓷材料中,氮化硅(Si?N?)憑借其獨特的性能
    的頭像 發表于 08-02 18:31 ?4476次閱讀

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板:性能、對比與制造

    氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能,成為現代大功率電子器件(如IGBT/SiC模塊)散熱基板的理想候選材料。
    的頭像 發表于 07-25 17:59 ?1791次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器散熱基板:性能、對比與制造

    氮化硅大功率電子器件封裝陶瓷基板

    氮化硅陶瓷導熱基片憑借其優異的綜合性能,電子行業,尤其是高功率密度、高可靠性要求領域,正扮演著越來越重要的角色。
    的頭像 發表于 07-25 17:58 ?1121次閱讀

    氮化硅陶瓷射頻功率器件載體:性能、對比與制造

    氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能組合,已成為現代射頻功率器件載體的關鍵材料。其優異的導熱性、絕緣性、機械強度及熱穩定性,為高功率、高頻率電子設備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
    的頭像 發表于 07-12 10:17 ?1.4w次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷射頻功率器件載體:性能、對比與制造

    化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

    化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
    的頭像 發表于 06-24 09:15 ?2191次閱讀
    氧<b class='flag-5'>化硅</b>薄膜和<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜工藝詳解

    通過LPCVD制備氮化硅低應力膜

    本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應力膜 氮化硅MEMS中應用十分廣泛,可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學腐蝕,疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
    的頭像 發表于 05-09 10:07 ?1286次閱讀
    通過LPCVD制備<b class='flag-5'>氮化硅</b>低應力膜

    spm清洗會把氮化硅去除嗎

    很多行業的人都在好奇一個問題,就是spm清洗會把氮化硅去除嗎?為此,我們根據實踐與理論,給大家找到一個結果,感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅(Si?N?),但需注意特定條件
    的頭像 發表于 04-27 11:31 ?1055次閱讀

    氮化硅芯片制造中的核心作用

    芯片制造這一復雜且精妙的領域中,氮化硅(SiNx)占據著極為重要地位,絕大多數芯片的生產都離
    的頭像 發表于 04-22 15:23 ?2990次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>芯片</b>制造中的核心作用