半導體封裝作為集成電路制造的關鍵環節，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應力及精密操作環境中。熱壓燒結氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨特的物理化學性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發
2025-12-21 08:46:47
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在 2025 AI 好眼鏡行業盛典的璀璨星光中，谷東智能憑借在光波導領域的深耕細作與技術革新，成功斬獲 “最佳光波導供應商” 殊榮。這一行業權威獎項的認可，不僅是對谷東智能技術實力與市場表現
2025-12-19 14:26:13388 在 AI 與 AR 技術深度融合的浪潮中，顯示技術的突破成為行業發展的關鍵引擎。近日，由國內知名的科技產業研究專業機構潮電智庫所舉辦的“2025 首屆中國 AI 好眼鏡評選”結果正式揭曉，谷東智能
2025-12-19 14:22:08381 InP-on-Si（IMOS）作為一種新興的光子集成平臺，因其能夠將高性能有源與無源光子器件異質集成在硅基電路之上而備受關注。然而，隨著波導尺寸的急劇縮小，光場與波導表面的相互作用顯著增強，導致刻蝕
2025-12-15 18:03:481108 
原理是在高溫真空環境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發生化學反應，生成可被液態釬料潤濕的穩定反應層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統的DBC（直接鍵合銅）技術，AMB工藝通過化學鍵合而非物理共晶實現連接，結
2025-12-01 06:12:004598 熱壓燒結氮化硅陶瓷晶圓搬運臂是半導體潔凈室自動化中的關鍵部件，其高抗彎強度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性。本文首先分析氮化硅陶瓷的物理化學性能，然后
2025-11-23 10:25:252122 
設計：作為剛性直波導，JMC1300S-0511L具有穩定的結構，能夠確保在高頻信號傳輸過程中的穩定性和可靠性。高頻支持：其波導口徑WR-137（R70）表明該產品能夠支持高頻信號的傳輸，適用于需要
2025-11-20 09:38:08
化學氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發生化學反應，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制造流程中，CVD 工藝除了可用于沉積金屬阻擋層、種子層等結構外，其核心應用場景集中在沉積二氧化硅、氮化硅等介質薄膜。
2025-11-11 13:50:361409 
光子源的理想基質。 想要在六方氮化硼中實現單光子源的高精度制備、穩定篩選與性能調控，始終繞不開微觀尺度精準操控這一核心需求。芯明天壓電納米定位臺正是這一研究過程中的關鍵設備，為實驗提供了穩定、高精度的定位與掃
2025-10-23 10:21:58189 
“通用化”的跨越，更預示著人工智能、量子計算、5G/6G通信等領域將迎來算力與能效的革命性提升。 ? 傳統光子器件受限于“一設備一功能”的設計模式，制造成本高昂且良率低下。NTT團隊基于氮化硅材料開發的這款芯片，通過投射特定結構化
2025-10-13 08:35:0011454 
、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件（含二極管、MOSFET、IGBT）以及豐富的應用案例，憑借卓越的技術參數、創新的封裝設計和廣泛的應用適配能力，引發行業高度關注。電子發燒友網作為受邀行業媒體，現場參觀走訪ROHM的展臺，與技術人員深入交流。以下是記者了解的展示產品梳理。 碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
電子發燒友網綜合報道 12英寸碳化硅在近期產業內迎來兩大新需求：AI眼鏡市場爆發，推動碳化硅AR光波導鏡片量產節奏；為了進一步提高散熱效率，英偉達決定在下一代Rubin GPU中，將用碳化硅中介層
2025-09-26 09:13:556423 （GlobalFoundries, GF）達成戰略合作伙伴關系，將在格羅方德新加坡工廠設立先進波導制造工廠，以加速實現人工智能驅動的新興光子技術變革。 這一合作標志著光子技術演進的重要里程碑，作為下一代人工智能應用的基礎，光子技術將為增強現實（AR）和以人為本的數字體驗提供
2025-09-24 18:08:135217 領域。應用場景衛星通信：在衛星通信系統中，7/16波導至同軸直角適配器ATM Microwave可用于連接天線與接收/發射模塊，實現信號的穩定傳輸。雷達系統：在雷達系統中，7/16波導至同軸直角適配器
2025-09-23 08:48:41
摘要 光子芯片集成封裝是一種極具潛力的技術，它將光學元件集成到器件中，實現高速數據傳輸、 寬帶寬、低延遲和高能效，有望突破傳統電子元件技術的局限。尤其是近年來，高性能半導 體、量子計算和數
2025-09-18 11:10:56887 
進行供能驅動和軌跡調控，從而在光芯片上實現直行、轉彎、跨越波導運動，進一步實現對片上微結構的組裝和操控。基于此，研究團隊首次在光子芯片上實現了對微環諧振腔共振頻率
2025-09-16 16:31:58662 
，詳細探討了它們的力學模型，并基于這些信息，進一步分析了粘合技術在安裝中的 具體應用場景，以及在各場景中使用的粘合技術的優勢和潛在問題。 光子學中常用的膠水類型 在光子學領域，膠水主要用于元件安裝、玻璃部件粘合以及部件與金屬的粘合等方面。由于 光子學中膠水的應用范圍廣
2025-09-08 15:34:05427 
今天碳化硅器件已經在多種應用中取得商業的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業可行替代品。
2025-08-29 14:38:016758 
翻譯自 Lee Carroll在 2016年發表的文章 摘要 晶圓廠提供的光子集成電路PIC的多項目晶圓（MPW）服務，使得研究人員和中小型企業（SMEs）能夠低成本完成硅光子芯片的設計和制造。盡管
2025-08-28 10:11:171063 
電子發燒友網報道（文/李彎彎）在全球科技競爭的浪潮中，光子芯片作為突破電子芯片性能瓶頸的核心技術，正逐漸成為各方矚目的焦點。它以光波作為信息載體，通過集成激光器、調制器、探測器等光電器件，實現了低
2025-08-21 09:15:198323 激光 源來替代昂貴的體光源，這推動了對近可見光波長集成光子激光源的需求。為實現低噪聲運 行，需要將III-V 族材料與低傳輸損耗的光子平臺（如氮化硅）集成。為此，我們展示了通 過微轉印技術實現的半導體光放大器與可
2025-08-19 13:25:03443 
在之前的文章《案例分享|聚焦PPLN:1.48GHz通信波段糾纏光子源的技術創新與商業價值》，我們分享了英國Covesion公司展示的基于MgO:PPLN波導的糾纏光子演示裝置（如下圖）。在
2025-08-12 11:11:00664 --翻譯自Yeyu Zhu, Siwei Zeng等人的文章 摘要 基于量子點RSOAs的1.3 μm芯片級可調諧窄線寬混合集成二極管激光器通過端面耦合到硅氮化物光子集成電路得以實現。混合激光器
2025-08-05 14:23:36829 
氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領域扮演著至關重要的角色。其獨特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場環境下電磁干擾引發的信號失真、串擾和成型缺陷
2025-08-05 07:24:00857 
雙光子顯微成像技術以紅外飛秒激光作為光源，深入組織內部非線性地激發熒光，雙光子成像能減小激光對生物體的損傷，且具有高空間分辨率，適合長時間觀察。因此，雙光子顯微成像技術已成為神經科學與生物醫學研究中的關鍵成像手段。
2025-08-04 16:22:52849 氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環境（H2, CO）中的應用分析 在新能源汽車、光伏發電等領域的功率模塊應用中，逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰，有時還需耐受如氫氣（H2）、一氧化碳（CO
2025-08-03 11:37:341290 在新能源汽車快速發展的今天，電力電子系統的性能提升已成為行業競爭的關鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，氮化硅(Si?N?)憑借其獨特的性能
2025-08-02 18:31:094290 在科技飛速發展的當下，紅外熱成像技術在眾多領域展現出巨大的應用價值，其中用于測溫集成的紅外熱成像機芯更是備受關注。KC-2R03U-15 紅外熱成像機芯憑借其出色的功能特性，成為機器人云臺等設備測溫集成的理想選擇。
2025-07-26 17:09:33699 氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
2025-07-25 17:59:551451 氮化硅陶瓷導熱基片憑借其優異的綜合性能，在電子行業，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領域，正扮演著越來越重要的角色。
2025-07-25 17:58:54826 連接 W1 凸型和 W1 凹型精密接頭，滿足不同應用場景的需求。優勢分析提高測量精度：通過精密設計，35WR10WF 波導連接器能夠減少信號傳輸過程中的損耗和干擾，提高測量精度。簡化操作流程
2025-07-24 08:46:54
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能
2025-07-15 15:00:19960 
氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能組合，已成為現代射頻功率器件載體的關鍵材料。其優異的導熱性、絕緣性、機械強度及熱穩定性，為高功率、高頻率電子設備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
2025-07-12 10:17:2014193 電子封裝用陶瓷基片
2025-07-11 07:56:25896 ）和氮化硅（Si3N4）。這些材料各具特色，適用于不同的應用場景，下面由深圳金瑞欣小編講解一下它們性能的詳細對比分析。 不同陶瓷材料性能對比如下： 氧化鋁（Al2O3） ? 氧化鋁陶瓷憑借其產量高、成本低以及性能良好等顯著優勢，長期以來一直是
2025-07-10 17:53:031435 
領域JMC1200T波導廣泛用于電信網絡、衛星通訊、國防軍事、醫療和航空航天等領域，通常用于：- 輔助拋物面天線在視距微波鏈路中的偏向調整；- 消除由于設備偏差或系統變化造成的安裝困難；- 適用熱膨脹所導致
2025-07-10 09:38:26
在現代電子封裝領域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導率、低熱膨脹系數以及優異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設備的關鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產品
2025-07-05 18:04:002005 和Kelvin-Drain連接：有利于溫度控制和精確控制，同時減少了系統中的諧波電流電感。氮化硅陶瓷基板和銅基板：提供良好的熱導率性能和機械強度。功率密集的足跡：促使系統更加緊湊，適用于空間不足的應用領域。偏移終端布局：優化
2025-06-25 09:13:14
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231750 
本教程示例演示了集成光子電路的典型脊形波導的模式分析:
根據集成電路的設計和功能，這種波導可以呈現為直線或曲線結構。JCMsuite允許方便的分析直和彎曲的情況。
在項目文件中定義了數值傳播模式
2025-06-18 08:44:15
酸鋰調制器芯片的規模化量產，該芯片的關鍵技術指標達到國際先進水平。 光子芯片關鍵技術突破 光子芯片也被稱為光子集成電路（Photonic Integrated Circuit，PIC），是一種基于光子學原理的集成電路芯片。它將光子器件集成在芯片上，實現光電
2025-06-13 01:02:004852 Fusion為此類系統的模擬和設計提供了幾個強大的工具，其中包括具有靈活光柵區域配置的光波導組件。然后，模擬受益于VirtualLab Fusion中實現的“連接場求解器”方法，以及其有效的非時序建模
2025-06-11 08:49:41
本案程演示了環形諧振腔的模擬。這種類型的集成光子器件，例如用作升/降濾波器或在傳感應用中，當物質或粒子附著在環上時，通過測量其共振頻率的位移來檢測：
對于集成光子電路中的無源光器件，s矩陣通常是
2025-06-11 08:46:56
半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體，憑借高功率密度與能效優勢，正推動電子設備技術革新。
2025-06-05 10:33:562489 
騰訊會議---六月直播 1.機器學習賦能的智能光子學器件系統研究與應用 2.COMSOL聲學多物理場仿真技術與應用 3.超表面逆向設計及前沿應用（從基礎入門到論文復現） 4.智能光學計算成像技術
2025-06-04 17:59:40521 
近日，AMD公司宣布，已完成對硅光子初創企業Enosemi的收購，但是具體金額未被披露；AMD的此次收購Enosemi旨在推動光子學與共封裝光學（CPO）技術的發展，瞄準AI芯片互連技術，AMD
2025-06-04 16:38:271152 的對角FOV上限為48度，而五通道可達到124度，甚至超過了美國Meta公司的Orion碳化硅方案（其視場角為70度）。
圖2. 單/雙/三/四/五通道波導方案的視場角FOV上限與折射率的關系
為驗證
2025-06-03 08:47:40
領先水平。同時，在產品設計和制造過程中，公司充分考慮了復雜環境條件下的使用需求，使得其波導組件能夠在各種惡劣環境中長期穩定運行。市場定位：創新解決方案，全球通信基礎設施的關鍵Jupiter
2025-05-30 09:22:47
本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應力膜 氮化硅膜在MEMS中應用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07:121113 
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現象以及功率損耗最小化問題，而驅動電路在這些方面都起著
2025-05-08 11:08:401153 
很多行業的人都在好奇一個問題，就是spm清洗會把氮化硅去除嗎？為此，我們根據實踐與理論，給大家找到一個結果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40866 在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據著極為重要的地位，絕大多數芯片的生產都離不開它的參與。從其構成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合，卻蘊含著諸多獨特的性質，在芯片制造流程里發揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:332492 
基于量子點RSOAs的1.3 μm芯片級可調諧窄線寬混合集成二極管激光器通過端面耦合到硅氮化物光子集成電路得以實現。混合激光器的線寬約為85 kHz，調諧范圍約為47 nm。隨后，通過將可調諧二極管
2025-04-21 09:42:50717 
UbiQD公司正在開發用于太陽能電池組件的新型聚合物封裝技術，通過集成熒光量子點來提升光伏性能。摻鐿鈣鈦礦材料CsPb(Cl???Br?)?具有量子裁剪下轉換特性，可將紫外光子轉換為近紅外光子，從而
2025-03-31 09:01:251531 
近日，中國聯通首條自由空間光承載10GPON業務順利開通，部署環境為跨湖1.5公里離島無線光網絡，實現自由空間光通信技術（FSO）在現網中的穩定應用。該無線光網絡中，通信終端搭載睿創光子（睿創微納控股子公司）LINK41短波紅外模組來完成FSO建鏈的空間光捕跟，產品性能出色、運行可靠。
2025-03-28 09:25:41999 這個例子的靈感來自Gregersen等人[1]，其中將量子點放置在微柱中以產生單光子源。但是，我們簡化了問題，以便3D計算可以在筆記本電腦上流暢地運行：
微腔的幾何形狀
下圖顯示了放置在腔中心的x
2025-03-24 09:05:20
在信息技術日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術正逐漸成為科技領域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術”，硅基光子集成技術不僅融合了電子芯片與光子芯片的優勢，更以其獨特的高集成度、高速率、低成本等
2025-03-19 11:00:022674 
：內置隔離式溫度傳感器，提供精確的溫度監測與保護機制，確保模塊安全運行。
高效熱管理：采用氮化硅（Si3N4）基板，不僅增強了模塊的機械強度，還極大提升了熱傳導效率，降低了熱阻。
技術參數
電壓與電流
2025-03-17 09:59:21
不同材料的刻蝕速率比，達到?>5:1?甚至更高的選擇比標準?。 一、核心價值與定義 l?精準材料去除? 高選擇性蝕刻通過調整反應條件，使目標材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實現
2025-03-12 17:02:49809 本文介紹了集成電路和光子集成技術的發展歷程，并詳細介紹了鈮酸鋰光子集成技術和硅和鈮酸鋰復合薄膜技術。
2025-03-12 15:21:241689 
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09897 
電子發燒友網綜合報道??近期碳化硅襯底供應商天科合達與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司，雙方將在AR衍射光波導鏡片技術研發與市場推廣方面展開深度合作，共同推動AR行業的技術創新與應用落地
2025-03-03 00:09:002987 本案例使用“自動計算透反率模式”研究光子晶體的透反率，將建立簡單二維光子晶體結構以說明透反率的計算方法。
模型示意圖：
預覽網格劃分效果如下：
觀察到下面的實時場：
記錄得到數據如下：
雙擊
2025-02-28 08:46:25
同軸轉換功能：SMA端發射波導到同軸適配器能夠將波導中傳輸的射頻信號精確轉換為同軸電纜可承載的信號形式，保障信號在不同傳輸媒介間的順暢過渡。
寬廣的頻率覆蓋范圍：其工作頻率依據型號不同而有所差異，例如
2025-02-25 10:07:56
在增強現實和混合現實應用中，光波導設計的一個主要部分是耦合器，在許多情況下實現為光波導表面的光柵區域。VirtualLab Fusion為區域配置提供了一種非常靈活的方法。當用于定義光波導上的光柵
2025-02-25 08:46:21
前言光子對的符合計數是量子光學和量子信息科學中的一項重要技術，它檢測通過量子過程（通常是參量下轉換）同時產生的光子對并對其進行計數。在諸如量子密碼學、量子傳輸和量子計算的實驗和應用中，這項技術
2025-02-20 10:29:531130 本案程演示了環形諧振腔的模擬。這種類型的集成光子器件，例如用作升/降濾波器或在傳感應用中，當物質或粒子附著在環上時，通過測量其共振頻率的位移來檢測：
對于集成光子電路中的無源光器件，s矩陣通常是
2025-02-20 08:55:14
體布拉格光柵（VBG）在中紅外激光器方面的應用高功率波長穩窄線寬中紅外激光器（2.5-5um波段）由于其波長處在大氣窗口及分子“指紋”區等特殊性質，近年來中紅外激光發展迅速且在醫療、通信、光譜學
2025-02-19 11:49:191544 該設備和潛在應用 研究人員利用 LMA 放大器在硅光子技術上制造出了近 2 瓦的大功率可調諧激光器。這一進展將徹底改變集成光子學，并有可能應用于太空探索，在提高能力的同時降低衛星成本。 當今世界
2025-02-17 06:29:39579 
關注的焦點。在這一背景下，氧化鋁（Al?O?）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si?N?）憑借其高導熱率、優異的電絕緣性及卓越的耐高溫特性，逐漸成為熱管理材料領域不可或
2025-02-15 07:55:482686 
本文引入基于光學PCB的波導嵌入式系統（WES），用于AI/HPC數據中心，以克服CPO集成挑戰。WES通過集成光學引擎與精確耦合結構，實現高密度、低損耗、無光纖的設備間光互連。 ? 引入基于光學
2025-02-14 10:48:111309 
本文介紹了單晶圓系統：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域，單晶圓系統展現出獨特的工藝優勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠實現臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
模型的優勢 增加光子學的制造量是一個巨大的挑戰。一些光子芯片開發商在其制造設施中制造芯片。這種方法具有巨大的優勢，使組件制造商能夠完全控制其生產過程。 圖 1：垂直集成光收發器開發商的簡化價值鏈圖。開發人員處理 PIC 的
2025-02-10 10:24:231111 
to exe”）設備和人眼模型，用于計算MTF和PSF，另一個是關于橫向均勻性的表征。
具有二維光瞳擴展的復雜光波導系統
提出了一種復合光波導系統，包括二維周期出瞳擴展器和耦出器中的傾斜光柵。評估了
2025-02-10 08:48:01
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應
2025-02-07 09:44:141234 
快速物理光學軟件VirtualLab Fusion具有分析光波導系統性能。這次我們在設計工作流程中處理一個密切相關的步驟: 在系統的耦合和擴展區域中使用的光柵幾何結構的優化。
VirtualLab
2025-02-07 09:41:08
本教程示例演示了集成光子電路的典型脊形波導的模式分析:
根據集成電路的設計和功能，這種波導可以呈現為直線或曲線結構。JCMsuite允許方便的分析直和彎曲的情況。
在項目文件中定義了數值傳播模式
2025-02-07 09:37:05
摘要
在增強現實和混合現實應用 (AR & MR) 領域的光波導光學器件設計過程中，橫向均勻性（每個視場模式）和整體效率是兩個最重要的評價函數。 為了在光波導系統中獲得適當的均勻性
2025-02-07 09:34:33
是“HoloLens 1”型布局的特征。
布局設計工具
為了設置這種光波導的橫向布局，可以使用VirtualLab的Layout Design工具（僅在光波導工具箱中可用）。
此使用案例的參數對應于默認
2025-02-06 08:58:55
。
使用光波導元件對“HoloLens 1”型進行建模
本使用案例演示了一個簡單的“HoloLens- 1”型布局設備的建模，該設備具有一個能夠以32°×18°視場引導光線的光波導組件。
光波導結構
使用光波導組件及其靈活的區域定義，可以在VirtualLab Fusion中設置帶有耦合光柵的光波導。
2025-02-06 08:56:14
近日，天津大學精密儀器與光電子工程學院的光子芯片實驗室與深圳大學、香港中文大學等高校合作，研發了一個新型的二硒化鉑-硅基異質集成波導模式濾波器，成果以“Waveguide-integrated
2025-01-24 11:29:131345 
Fusion為這類系統的仿真和設計提供了幾個強大的工具，其中一個是具有靈活光柵區域配置的光波導組件。然后，模擬受益于在VirtualLab Fusion中實施的“連接場解算器”方法，以及其有效的非順序建模技術
2025-01-24 08:51:34
中的例子。
請參見下面的兩個示例，一個包含一個帶有“蝴蝶”型EPE的設置，用于分割視場角（FOV），另一個示例說明了組合擴展器/輸出耦合器區域中的二維周期性菱形光柵結構。
“蝴蝶”型EPE光波導
2025-01-24 08:45:11
碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學特性而在許多工業領域中得到廣泛應用。從高溫結構部件到電子器件，SiC的應用范圍廣泛，其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342728 碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
摘要
如今，大多數創新的AR&MR設備都是基于光波導或波導系統，結合微結構來耦合光的輸入和輸出。VirtualLab Fusion能夠通過應用我們獨特的物理光學方法對此類設備進行詳細
2025-01-23 10:37:47
? 1 月 5 日消息，芬蘭阿爾托大學的研究團隊在紅外傳感器領域取得重大突破，成功開發出一種基于鍺材料的光電二極管（photodiode）， 其靈敏度比目前廣泛使用的鍺基傳感器高出 35% 。這一
2025-01-22 16:56:54650 雖然早在1862年就首次開發了氮化鋁(AIN)，但直到20世紀80年代，其在電子行業中的潛力才被真正認識到。經過幾年的發展，氮化鋁憑借其獨特的特性，成為下一代電力電子設備(如可再生能源系統和電動汽車
2025-01-22 11:02:031243 
*附件：國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
本案程演示了環形諧振腔的模擬。這種類型的集成光子器件，例如用作升/降濾波器或在傳感應用中，當物質或粒子附著在環上時，通過測量其共振頻率的位移來檢測：
對于集成光子電路中的無源光器件，s矩陣通常是
2025-01-20 10:22:48
相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
半導體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結構與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結構中電子電洞對輻射復合產生的光子有機會因為半導體材料與空氣介面處折射率差異形成的全反射而被局限在柱狀結構中
2025-01-15 09:58:501093 
數據和電信、汽車以及醫療傳感等關鍵領域實現顯著增長。 自 1985 年以來，光子集成電路的發展經歷了從光波導到更先進的光學功能的飛躍。這些進步得益于創新材料、精細制造工藝，以及來自 CMOS 行業的先進封裝技術，使光子集成電路成為跨多個行
2025-01-13 15:23:031082 幾何諧振腔[3]以及環形諧振腔[4]。
?MIM波導中，有兩種等離子體濾波器，即帶通和帶阻濾波器。
2D FDTD模擬
?選擇TM偏振波激發SPPs
?應用正弦調制高斯脈沖光來模擬感興趣的波長
?輸入
2025-01-09 08:52:57
模擬的關鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
2025-01-08 08:51:53
1、氮化硅陶瓷市場規模：2023年，全球氮化硅陶瓷市場規模約20億美元，國內市場規模達30億元人民幣。預計到2030年，全球市場規模有望增長至30億美元，國內市場規模將突破50億元。國產化率：目前
2025-01-07 08:20:463344 近日，天津大學精密儀器與光電子工程學院的光子芯片實驗室綜述了近年來硅基波導集成的片上光譜儀的研究成果，論文以“Integrated optical spectrometers on silicon photonics platforms”為題發表在《Laser & Photonics Reviews》上。
2025-01-06 16:30:381627 
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