高導熱率氮化硅散熱基板材料的研究進展
摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發展趨勢。
參考文獻：
DOI：10.13957/j.cnki.tcxb.2018.01.002
陶瓷與金屬AMB
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
散熱基板
+關注
關注
0文章
20瀏覽量
6042 -
介電性能
+關注
關注
0文章
4瀏覽量
1757 -
氮化硅
+關注
關注
0文章
95瀏覽量
675
原文標題：高導熱率氮化硅散熱基板材料的研究進展
文章出處：【微信號：中科聚智，微信公眾號：中科聚智】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
氮化硅陶瓷微波諧振腔基座：高透波性能引領工業創新
高透波性能氮化硅陶瓷微波諧振腔陶瓷基座是現代高頻電子設備和微波系統中的關鍵組件，其性能直接影響到微波信號的傳輸效率和系統穩定性。這種基座材料以氮化硅陶瓷為核心，憑借優異的物理化學特性，
氮化硅導電復合陶瓷：研磨拋光性能與應用深度解析
進展，推動了行業技術升級。本文將務實分析該材料的物理化學性能，對比其他工業陶瓷的優缺點，并介紹其生產制造過程及適合的工業應用。 ? 氮化硅陶瓷 首先，分析氮化硅導電復合陶瓷的物理化學性
氮化硅陶瓷封裝基板：抗蠕變性能保障半導體長效可靠
隨著半導體技術向高功率、高集成度和高頻方向演進，封裝基板的可靠性與性能成為關鍵。氮化硅陶瓷以其卓越的抗蠕變特性脫穎而出，能夠長時間保持形狀和強度，抵抗緩慢塑性變形，從而確保半導體器件在
AMB覆銅陶瓷基板迎爆發期，氮化硅需求成增長引擎
原理是在高溫真空環境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發生化學反應，生成可被液態釬料潤濕的穩定反應層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統的DBC（直接鍵合銅
高抗彎強度氮化硅陶瓷晶圓搬運臂解析
對比其他工業陶瓷材料的優缺點，接著介紹制品的生產制造過程及適用工業應用，以展示其在現代科技中的重要性。 氮化硅陶瓷搬運臂 氮化硅陶瓷的物理化學性能突出，主要體現在高強度、高硬度和優異的耐環境性上。在物理性能方面，
氮化硅陶瓷封裝基片
氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領域扮演著至關重要的角色。其獨特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了
熱壓燒結氮化硅陶瓷逆變器散熱基板
）等還原性氣氛環境。氮化硅（Si3N4）陶瓷憑借其卓越的綜合性能，特別是優異的耐還原性氣體能力，成為此類嚴苛工況下的理想基板材料。 ? 氮化硅陶瓷基板 一、
氮化硅陶瓷基板：新能源汽車電力電子的散熱革新
在新能源汽車快速發展的今天，電力電子系統的性能提升已成為行業競爭的關鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，
氮化硅陶瓷逆變器散熱基板：性能、對比與制造
氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
氮化硅大功率電子器件封裝陶瓷基板
氮化硅陶瓷導熱基片憑借其優異的綜合性能，在電子行業，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領域，正扮演著越來越重要的角色。
氮化硅陶瓷射頻功率器件載體：性能、對比與制造
氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能組合，已成為現代射頻功率器件載體的關鍵材料。其優異的導熱性、絕緣性、機械強度及熱穩定性，為高功率、高頻率電子設備提供了可靠的解決方案。
從氧化鋁到氮化鋁：陶瓷基板材料的變革與挑戰
在當今電子技術飛速發展的時代，陶瓷基板材料作為電子元器件的關鍵支撐材料，扮演著至關重要的角色。目前，常見的陶瓷基板材料主要包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、碳
氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關鍵技術與工藝探索
在現代電子封裝領域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導率、低熱膨脹系數以及優異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設備的關鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成
通過LPCVD制備氮化硅低應力膜
傳感器等的鈍化層使用。氮化硅的導電帶隙約為 5eV,比熱氧化物低很多,但它沒有淺施主和受主能級，所以表現為絕緣體。由于SiN具有約為1014Ω?cm的電阻率和107V/cm的介電強度,它通常作為絕緣層
工商網監
評論