功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):100V,適配中壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2026-01-04 16:31:56
47 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時6
2026-01-04 16:23:09
60 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時11m
2025-12-31 17:28:19
1246 
增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
2025-12-31 17:20:35
1311 
威兆半導體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-251封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-30 10:55:52
67 
威兆半導體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率
2025-12-29 11:52:16
80 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):68V,適配中壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典
2025-12-26 11:58:42
95 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):80V,適配中壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時9.0
2025-12-26 11:50:13
93 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時8.0
2025-12-25 16:31:17
116 
核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):58V,適配中壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時5.8mΩ、
2025-12-25 16:27:25
121 
威兆半導體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-25 16:14:53
108 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時11mΩ
2025-12-24 13:12:28
112 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值44
2025-12-24 13:10:04
100 
功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-24 13:07:24
114 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典
2025-12-24 13:04:05
104 
功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-23 11:26:18
176 
威兆半導體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-23 11:22:46
175 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值
2025-12-23 11:18:11
195 
能否詳細介紹一下MOSFET在電機控制中的作用?
2025-12-22 13:11:42
增強型功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
2025-12-18 17:24:48
475 
功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-17 18:11:42
196 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配60V低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型
2025-12-17 18:09:01
208 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值6.
2025-12-15 15:36:24
222 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓小信號場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V、I_
2025-12-12 15:43:13
303 
功率MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-10 14:53:13
276 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時
2025-12-10 11:48:31
227 
極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電源場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)時典型值10mΩ,\(
2025-12-08 11:16:24
222 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電源場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)
2025-12-05 09:51:31
284 
MOSFET核心參數:漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電源場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)
2025-12-05 09:38:27
258 
威兆半導體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持10V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術實現快速開關與高效能,適用于DC/DC轉換器
2025-11-26 15:13:13
226 
區別于電液伺服閥先導驅動的燃油計量滑閥方案,數字先導燃油計量滑閥新構型主要由計量滑閥、兩個數字閥陣列、兩個節流孔以及LVDT位移傳感器組成。其中,數字閥陣列是由三個流量規格一致的數字閥并聯連接而成,這種設計顯著提高了系統的可靠性與容錯能力。
2025-11-20 14:36:25
482 
色環電感| 無需π型濾波或安規電容過EMI | 輸入免高壓電解電容
簡化設計:集成650V功率管,無需輸入高壓電容和π型濾波電路
精準輸出:5V/3.3V±3% | 典型應用條件輸出電壓紋波<10
2025-11-19 18:07:14
壓電驅動液阻全橋先導控制閥的核心在于其獨特的液阻網絡設計,該網絡由固定液阻和可變液阻組合構成,形成類似電橋的液壓回路。在控制閥的左側腔體,進出口處均設置有固定液阻,這使得該腔內壓力保持相對穩定。
2025-11-17 10:05:38
290 
使用。H8064A帶使能控制,可以大大省外圍器件,更加適合電池場合使用,具有很高的方案性價比。
特性
高性價比
寬電壓輸入范圍 10V 至 60V
大輸出電流 4A
集成功率 MOS 管
外圍器件少
輸出短路
2025-11-14 18:24:43
閾值電壓典型值(V_GS (th)_Typ)1.5V(伏特)漏極電流(@V_GS=10V)270A(安培)導通電阻典型值(@V_GS=10V)1.2mΩ(毫歐)導通
2025-10-22 17:55:44
0 、設計與應用提供全面技術支撐。漏源擊穿電壓(VDSS) ? ? 30V典型柵極閾值電壓(V GS(th)_Typ) ? ? ?1.5V柵源電壓 10V 時漏極電流(ID)????90A柵源電壓 10V 時典型導通電阻(RDS(
2025-10-16 16:23:01
0 本文將詳細討論隔離型開關電源(SMPS),并介紹相關應用中常用的正激式和反激式隔離轉換拓撲。我們將研究各種SMPS器件的優缺點,以及它們在不同功率水平下的適用性。本文旨在幫助讀者清楚地了解如何為特定應用選擇正確的隔離拓撲。
2025-10-13 16:56:00
4546 
定制設計保持競爭優勢,另一些則具備獨特優點。本文討論的輸出類型均需至少10VDC供電(0–10V和1–10V輸出需12VDC)。0.5–4.5V比率輸出傳統上由5
2025-09-30 12:05:10
677 
TXG102x 是一款 2 位、固定方向、非電流基電壓和接地電平轉換器,可支持 1.71V 至 5.5V 之間的邏輯電平轉換和高達 ±10V 的接地電平轉換。與傳統的電平轉換器相比,TXG102x
2025-09-28 14:58:27
993 
TXG102x 是一款 2 位、固定方向、非電流基電壓和接地電平轉換器,可支持 1.71V 至 5.5V 之間的邏輯電平轉換和高達 ±10V 的接地電平轉換。與傳統的電平轉換器相比,TXG102x
2025-09-28 14:54:12
1132 
在航空航天、船舶兵器等尖端工業領域,流體控制系統的精度與可靠性直接關系到裝備的安全性和性能極限。作為這一領域的核心元件,防爆型壓力、流量、方向、比例閥(以下簡稱“防爆多型閥”)如同流體管路中的“智能
2025-09-25 11:11:40
282 
在現代航空、航天及高端工業液壓系統中,組合閥(CombinationValve)是一種高度集成的關鍵控制元件,它融合了安全閥(溢流閥)和單向閥(止回閥)的功能,并可根據系統需求集成壓力調節、流量
2025-09-25 11:08:13
428 
實現48V輸入轉12V/5V 2A輸出的電源方案,需要綜合考慮效率、成本、體積和可靠性等因素。振邦微電子的AH7691D是一款高性能的降壓型DC-DC轉換器芯片,非常適合此類應用。下面將詳細介紹
2025-09-17 17:00:59
1000 ISOC 124P 作為一款專為高精度信號隔離設計的電容隔離型器件,其 “±10V 輸入” 與 “高精度” 屬性的結合,使其在眾多工業與醫療應用場景中具備顯著優勢。在輸入特性上,±10V
2025-09-11 16:42:42
,能有效阻斷地環路噪聲與共模干擾,為工業自動化、醫療電子等對信號純凈度要求嚴苛的場景提供可靠保障。同時,該器件支持 ±10V 寬范圍輸入,完美適配工業傳感器、數據采
2025-09-11 15:05:29
Texas Instruments TPSI3050/TPSI3050-Q1增強型開關驅動器是一款完成集成的器件,與外部電源開關結合使用時,可構成完整的隔離式固態繼電器 (SSR)。當標稱柵極驅動電壓為10V、峰值拉電流和灌電流為1.5/3.0A時,可以選擇多種外部電源開關來滿足各種應用需求。
2025-09-03 10:23:16
734 
華太半導體(Hottek-semi)推出1-12按鍵系列高性能ASIC觸摸芯片:高可靠、超強抗干擾。動態CS:10V,EFT:4KV,ESD:8KV,全系列可做隔空觸摸(去彈簧應用、節省
2025-08-18 10:32:14
REF102 是一款精密的 10V 基準電壓源。漂移 激光微調至工業級最高 2.5ppm/°C C 級 溫度范圍。REF102 實現了其精度 沒有加熱器。這導致低功耗、快速預熱、 穩定性好,噪音低
2025-08-15 18:20:54
1344 
你好,在使用非隔離電源開發 觸控項目,在進行10V cs注入電流測試時,發現在觸控掃描頻點的倍頻上觸摸無法按動的情況,例如觸控掃描頻點2M,即在CS過程中,但測試進行到2M/4M/6M/8M等時候
2025-08-08 07:18:20
該LMC7660是一款CMOS電壓轉換器,能夠將+1.5V至+10V范圍內的正電壓轉換為相應的負電壓-1.5V至-10V。該LMC7660是行業標準 7660 的引腳對引腳替代品。該轉換器的特點是:無需外部二極管即可在整個溫度和電壓范圍內工作、低靜態電流和高功率效率。
2025-08-05 14:24:49
1031 
ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-10A的特性,典型導通電阻為15mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和19mΩ(VGS=-4.5V
2025-07-28 16:34:37
0 產品端(或sink受電端)使用Type-C接口連接充電器獲取它的9V、10V等電壓給產品供電,可以使用充電器的大電流直接供電,相比于傳統的每個產品搭配一個充電器的方式更加的簡單,相較于使用5V升壓到9V等方式,這種既沒有發熱,而且電流也可以做到更大。
2025-07-26 09:38:10
728 
低導通電阻 @柵源電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制
2025-07-10 14:21:48
0 RDS(導通電阻) ≤17毫歐 @ VGS=10V ID=20A ?高開關速度 ?增強型dv/dt能力
2025-07-09 16:05:32
0 的降壓型開關穩壓器。它專為寬輸入電壓范圍設計,能夠在10V至120V的輸入電壓下穩定工作,提供高達1.5A的輸出電流。這種高效的電源轉換能力,使其在移動設備、汽車系統、電池供電系統以及電動車車載設備等
2025-07-09 14:34:22
= -10aR DS(ON) < 35mΩ @ V GS =-10V(類型:27mΩ)應用程序電池保護負荷開關不間斷電源
2025-06-30 09:52:04
0 DS(ON) < 100mΩ@ V GS =10V (Type:80mΩ)應用程序有照明負荷開關PSE
2025-06-30 09:50:05
0 描述AP3P10MI采用先進的溝槽技術提供優良的rds (ON),低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護或其他開關應用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ @ V GS =-10V應用程序電池保護負荷開關不間斷電源
2025-06-30 09:46:49
0 高壓金屬波紋管316一端接指定鋼瓶(不含鋼瓶接頭),另一端接一級減壓閥(1/4NPT),內部潔凈,耐壓6000PS 1/4NPT兩備兩用半自動切換器含進
2025-06-23 17:03:55
316L不銹鋼無縫管,無擦傷,適于彎曲和擴口,表面光潔,管道經過光亮退火(BA級),超聲波清洗,內外拋光 高壓金屬波紋管:316一端接指定鋼瓶(不含鋼瓶接頭),另一端接一級減壓閥(1
2025-06-20 17:08:41
在光儲充一體化蓬勃發展的今天,安全始終是行業發展的基石。安科瑞 AIM-D 系列直流絕緣監測儀,以其 10V 到 1500V 的全覆蓋電壓范圍、高精度的監測性能、智能的診斷功能和豐富多樣的產品型號,為光儲充系統的安全運行提供了全方位、多層次的保障。
2025-06-20 10:03:03
499 
H4010 是一種同步降壓型 DC - DC 轉換器芯片,以下是其詳細介紹:
主要特性:
電壓范圍:內置 30V 耐壓 MOS,輸入范圍為 5V - 24V。通過調節 FB 端口的分壓電阻,可輸出
2025-06-16 14:20:52
TPS629211-Q1是一款專為汽車應用設計的1A同步降壓DC-DC轉換器,支持3V至10V的寬輸入電壓范圍。該器件符合AEC-Q100標準,具有高效能、小尺寸和高度靈活性等特點,適用于高級駕駛輔助系統(ADAS)、汽車信息娛樂和儀表集群、車身電子和照明系統等應用。
2025-06-08 17:03:27
601 
AD3553R高速雙通道16位數模轉換器(DAC),以支持GaN柵極的超快亞微秒電壓穩定時間。AD-PAARRAY3552R-SL參考設計板支持-10V至+10V的寬柵極偏置電壓。該板具有可配置的上電和斷電時序,提高了操作程序的靈活性和控制能力。
2025-06-07 14:09:07
722 
范圍內支持 ± 1.5% 的高 V OUT 精度,并通過 DCS-Control 拓撲增強了負載瞬態性能。3V 至 10V 的寬輸入電壓范圍支持各種標稱輸入,如 9V 電源軌、單節或多節鋰離子電池以及 5V 或 3.3V 電源軌。
2025-06-06 16:58:58
562 
范圍內支持 ± 1.5% 的高 V OUT 精度,并通過 DCS-Control 拓撲增強了負載瞬態性能。3V 至 10V 的寬輸入電壓范圍支持各種標稱輸入,如 9V 電源軌、單節或多節鋰離子電池以及 5V 或 3.3V 電源軌。
2025-06-06 16:51:31
628 
在現代工程安全監測領域,振弦式應變計憑借高精度和穩定性,成為橋梁、隧道、水工結構等關鍵設施健康監測的重要工具。但是很多人對于不同型號的應變計不知道如何做出選擇,下面就以南京峟思VWS-10F型表面
2025-05-29 11:10:39
502 
? GP9301B將0V到10V的模擬電壓輸入,線性轉換成0%-100%占空比的PWM信號輸出。? GP9301BM將0V到10V的模擬電壓輸入,線性轉換成0%-100%占空比的PWM信號,并且將
2025-05-29 10:15:07
0 UCC27712 是一款 620V 高側和低側柵極驅動器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:10:37
779 
UCC27712-Q1 是一款 620V 高壓側和低壓側柵極驅動器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:00:20
798 
UCC27710 是一款 620V 高壓側和低壓側柵極驅動器,具有 0.5A 拉電流和 1.0A 灌電流,旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 10:21:08
628 
?國產化預研驗證不僅是技術替代,更是管理模式與生態體系的重構。中軟國際推出“先導工程”服務,通過分階段驗證、生態協同與技術創新,讓國產ERP有望實現突破,為數字中國建設提供堅實底座。
2025-05-15 17:39:43
793 TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關驅動器,與外部電源開關結合使用時,可形成完整的隔離式固態繼電器 (SSR)。憑借 10V 的標稱柵極驅動電壓和 1.5/3.0A 的峰值拉電流和灌
2025-05-08 09:45:12
597 
TPSI3050 是一款完全集成的隔離式開關驅動器,與外部電源開關結合使用時,可形成完整的隔離式固態繼電器 (SSR)。憑借 10V 的標稱柵極驅動電壓和 1.5/3.0A 的峰值拉電流和灌電流
2025-05-08 09:27:02
740 
的溫漂:最大值為 3ppm/°C初始精度:±0.05%低噪聲:典型值為 4.7μVrms (0.1Hz~10Hz,5V)支持微調輸出電壓輸出支持雙向電流:±10mA應用A/D和 D/A 轉換器精準型穩壓器數字電壓表慣性導航系統便攜式基準源
2025-05-07 15:43:41
1. VREF 輸入設置為10V,
是否可以通過外部電阻的方式設置增益為,0.01,0.1,1?RFB 引腳不接到外部運放的輸出端。 運放的輸出端接不同的電阻到DAC IOUT的引腳,通過這種方式設置不同的增益?
2025-04-28 07:33:16
的失調電壓和溫漂、10MHz 高帶寬和 10V/μs 壓擺率,且在工作溫度范圍內的靜態電流僅有 2.3mA(最大值)
2025-04-24 09:57:24
694 
的失調電壓和溫漂、10MHz 高帶寬和 10V/μs 壓擺率,且在工作溫度范圍內的靜態電流僅有 2.3mA(最大值)
2025-04-24 09:53:20
657 
電磁閥有兩個主要部分:螺線管和閥門。螺線管將電能轉換為機械能,機械能又以機械方式打開或關閉閥門。直動式閥門只有一個小流量回路,如圖的E部分所示(該部分在下面被稱為先導閥)。在此示例中,隔膜先導閥通過使用它來控制通過更大孔的流量,從而使這個小的先導流量倍增。
2025-04-20 17:47:55
1626 
當閥門接收到電信號時,會形成一個磁場,該磁場會吸引覆蓋先導孔的柱塞升起,從而導致系統壓力(保持隔膜/活塞關閉)下降。
隨著隔膜/活塞頂部的系統壓力降低,隔膜/活塞另一側的整個系統壓力將隔膜/活塞抬離主孔,從而允許介質流過閥門。
2025-04-20 16:22:11
834 
麒麟操作系統 Kylin V10 SP3 是一款基于 Linux 的操作系統,廣泛應用于政府、企業和個人用戶。本文將詳細介紹如何在計算機上安裝麒麟操作系統 Kylin V10 SP3,幫助您順利完成安裝并開始使用。
2025-04-11 15:32:35
3557 
% 占空比之間的任何值。
UCC28220 的 UVLO 導通閾值為
10 V,適用于 12 V 電源,而 UCC28221 的導通閾值為 13 V,適用于需要更寬 UVLO 遲滯的系統。兩者都具有 8V 關斷閾值。
2025-04-03 14:51:33
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KP1469 是一款適合大功率應用的高效率準諧振式降壓型 LED 控制器。通過內置的高精度調光控制算法,芯片具備高調光精度和高調光深度的特點。KP1469 可以通過 VSET 設置最大電流,并且兼容
2025-03-29 09:31:09
可提供卓越的交流性能,帶寬為 290MHz,壓擺率為 700V/μs,穩定時間為 30ns (0.1%),增益為 10V/V。OPAx892 在增益為 10 或更高以及 –9 或更低時保持穩定。這些
2025-03-20 11:48:49
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可提供卓越的交流性能,帶寬為 290MHz,壓擺率為 700V/μs,穩定時間為 30ns (0.1%),增益為 10V/V。OPAx892 在增益為 10 或更高以及 –9 或更低時保持穩定。這些
2025-03-18 14:50:04
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(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可調版本)。
寬輸入電壓范圍使該器件成為采用穩壓電源軌(如 10V 或 12V)工作的不錯選擇。新芯片的電壓范圍高達 16V。此范圍允許 LDO 為各種應用產生偏置電壓。這些應用包括功率微控制器 (MCU) 和處理器。
2025-03-14 16:08:08
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(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可調版本)。
寬輸入電壓范圍使該器件成為采用穩壓電源軌(如 10V 或 12V)工作的不錯選擇。新芯片的電壓范圍高達 16V。此范圍允許 LDO 為各種
2025-03-13 10:24:23
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電壓(10V至100V)可提供最大3A電流的高效率輸出,可在移動環境輸入的條件下實現各種降壓型電源變換的應用。SL3041 安全保護機制包括逐周期峰值限流、軟啟動、輸出短路保護和過溫保護。SL3041
2025-02-27 15:39:50
工作在寬
輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓(10V至100V)可提供最大3A電流的
高效率輸出,可在移動環境輸入的條件下實現各種降壓型電源變換的應用。
SL3041 安全保護機制
2025-02-26 16:46:52
我是用DSP28335外部接口與DAC7724通信,DA芯片的引腳除了數據載入LDAC和復位用普通IO口控制外,其余都和DSP28335外部接口的相應引腳相連,程序測試一直不對,輸出的值一直是-10V,而且我只是讓通道A輸出,可是其他的3個通道也是-10V ,這個是怎么回事?
2025-02-06 07:54:22
我是用DSP28335驅動DAC7724芯片,12根數據線和2根地址線我是直接和DSP的外部接口相連,然后LDAC、RESET、CS、RW四個引腳是配置普通的IO口來控制,輸出一直是-10V,請問
2025-02-06 07:32:05
就為大家介紹開啟hyperv的詳細操作步驟。 ? ?Hyper-V是微軟提供的虛擬化技術,允許用戶在單一物理硬件上運行多個操作系統。以下是開啟Hyper-V的詳細步驟,適用于Windows10專業版、企業版以及Windows11專業版和企業版。 ? ?一、檢查系統要求
2025-01-23 10:01:07
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日前,在系統能力培養研究專家組的指導下,全國大學生計算機系統能力大賽組委會攜手中科曙光,結合智能計算創新設計賽(先導杯)共同發起的“先導智算專項”正式啟動。
2025-01-23 09:29:26
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在運放和ADC芯片的數據手冊中經常看到track-and-hold,誰能詳細介紹一下track-and-hold?
2025-01-20 09:10:12
最近購得ADS1282EVM-PDK開發套件,兩板組合使用±10V給電后ADS1282EVM板上的其中一顆OPA1632發熱嚴重,單獨給ADS1282EVM板供±10V同樣發熱,沒有接錯線供電肯定沒問題,大家幫幫忙。
2025-01-09 07:24:33
(1)因為法規要求,需要給ADS1293的各導聯輸入口加上10V有效值的共模50hz工頻電壓,而ADs1293內置最大輸入為VCC,也就是3.3V,如何才能接入10V有效值的共模電壓?
(2)心電各導聯的參考地是什么?如果接浮地的設備也應該有一個參考的吧
以上請幫忙解答下,急用,謝謝
2025-01-09 06:41:50
TI的大師們,我想把單片機產生的3.3VPWM信號,通過CD4050B 轉成10V的PWM信號,發現不行。當CD4050B的VCC供電為5V的時候是可以把單片機產生的3.3VPWM信號轉成5V的PWM信號,但CD4050B的VCC供電改成10V后就沒有信號輸出了,請問是什么問題?望指教,謝謝!
2025-01-08 06:29:18
請問DAC7724的基準電壓正負10V(VREFH、VREFL)有沒有芯片可以直接生成,如果有的話請問是芯片的型號是什么?還有它的模擬供電電壓正負15V(VCC、VSS)可以用哪種電源芯片直接生成?還有這兩種電源芯片的輸入最好都是5V。謝謝!
2025-01-08 06:04:46
請問在3V量程的ADC單電源供電情況下怎樣的電路適合ADC能采集+ - 10V的信號 最好是直流耦合
2025-01-06 07:24:33
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