電子工程師必備:探秘FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM 在電子工程師的日常設計工作中,選擇一款合適的非易失性存儲器至關重要。今天我們就來詳細了解一款性能卓越的產品——FM25
2026-01-05 16:25:25
29 LD/ZB25LQ系列、3.0V標準的ZB25VQ/ZB25D系列,以及支持1.8V/3.3V寬電壓工作的ZB25WD/ZB25WQ系列,容量范圍從1Mbit至256Mbit,可滿足不同應用場景的存儲需求。
2026-01-05 16:11:01
36 的 FM25V10 1 - Mbit 串行(SPI)F - RAM 芯片,看看它在眾多存儲器中脫穎而出的原因。 文件下載: FM25VN10-G.pdf 芯片概述 FM25V10 是一款采用先進鐵電工
2026-01-04 17:25:09
367 的 SN65LVDS95 作為一款典型的 LVDS 串行器,在數據傳輸系統中發揮著重要作用。今天,我們就來深入了解一下這款芯片。 文件下載: sn65lvds95.pdf 芯片概述 SN65LVDS95
2026-01-04 11:10:14
197 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載: FM25L04B-GTR.pdf 產品概述 FM25L04B是一款由Cypress(現屬英飛凌)開發的4-Kbit非易失性鐵電隨機存取存儲器
2025-12-31 16:05:18
88 )的HSMH - H150單色頂部安裝芯片LED。 文件下載: Broadcom HSMH-H150 1206頂部貼裝單色ChipLED.pdf 產品概述 博通的HSMH - H150是一款頂部視角的單色
2025-12-30 16:35:06
101 通道鏈路串行器(6.384 Gbps)為解決這一問題提供了出色的方案。今天,我們就來深入了解這款芯片的特性、應用以及設計要點。 文件下載: ds90cr485.pdf 1. 產品概述
2025-12-30 11:05:03
109 10 - MHz至66 - MHz,10:1 LVDS串行器/解串器芯片組的設計與應用 在當今的電子系統設計中,高速數據傳輸和處理至關重要。TI公司的SN65LV1023A串行器
2025-12-29 15:50:06
66 ,作為10位高速LVDS(低壓差分信號)串行器和解串器,在高速數據傳輸方面表現出色。今天,我們就來深入探討這兩款芯片的特性、工作原理及應用要點。 文件下載: scan921226h.pdf 芯片特性
2025-12-29 14:50:13
84 )的SCAN921025H和SCAN921226H這對高性能的10位串行器和解串器芯片組,看看它們如何在各種應用場景中大放異彩。 文件下載: scan921025h.pdf 產品概述 SCAN921025H
2025-12-29 14:45:20
70 : ds90c241-q1.pdf 芯片概述 DS90C241 和 DS90C124 芯片組可以將 24 位并行總線轉換為帶有嵌入式時鐘信息的全透明數據和控制 LVDS 串行流。這種單串行流的設計消除了并
2025-12-29 14:05:08
102 ——FM24V02A,看看它在眾多應用場景中是如何脫穎而出的。 文件下載: FM24V02A-G.pdf 產品概述 FM24V02A是一款256 - Kbit(32K × 8)的串行(I2C)F
2025-12-28 15:25:09
404 汽車級FPD-Link II串行器和解串器芯片組DS90URxxx-Q1技術解析 作為電子工程師,在設計工作中,我們常常會遇到需要高效傳輸數據的場景,尤其是在汽車電子領域。今天就來和大家深入探討一下
2025-12-27 14:10:06
391 探究瑞薩(Renesas)的AT25SF2561C/AT25QF2561C這兩款256 - Mbit的SPI串行閃存,揭開它們的技術奧秘。 文件下載: Renesas Electronics
2025-12-26 17:45:12
420 的數據傳輸解決方案。今天,我們就來深入剖析這款芯片組。 文件下載: ds90ur124-q1.pdf 一、芯片概述 DS90URxxx - Q1 芯片組由一個串行器(DS90UR241 - Q1)和一個解串器(DS90
2025-12-26 09:25:09
273 的一次性可編程只讀存儲器(OTP EPROM),無疑是眾多設計方案中的理想選擇。今天,我們就來深入了解這款芯片的特點、性能以及使用中的注意事項。 文件下載: AT27C256R-70JU.pdf 芯片
2025-12-25 17:10:19
315 概述 MR - CANHUBK344 評估板基于 Arm? Cortex? - M7 核心的 S32K344 通用汽車微控制器,具備先進的安全、安全功能和強大的軟件支持。它雖然主要針對移動機
2025-12-24 16:30:31
133 ——FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM,探討它的特性、功能以及在實際應用中的優勢。 文件下載: FM25L16B-GTR.pdf 一、產品概述 FM25L16B是英飛凌旗下(原賽普拉斯開發)的一款
2025-12-23 15:55:09
139 SEMPER? Nano S25FS256T 內存模塊快速上手與特性解析 在電子工程師們的日常工作中,選擇一款合適的內存模塊至關重要。今天就來和大家分享一下英飛凌(Infineon)推出
2025-12-20 15:50:05
1025 。
H7604A內置過熱保護功能,可有效保護芯片,避免因過熱而造成損壞。具有很低的靜態電流,典型值為100uA。帶PWM調光功能,可通過PWM腳加信號調節LED電流。
H7604A采用ESOP-8封裝。芯片采用
2025-12-18 09:33:46
覆蓋POL模塊應用高壓實地同步整流降壓恒壓芯片H90A9A大電流20A
H90A9A 是一款大功率輸出同步降壓 DC-DC控制器的。搭配合適的高側與低側 MOSFET 及電感使用時,該芯片可提供高達
2025-12-16 09:43:44
在存儲技術快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機存取存儲器)以其獨特的性能,逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來存儲數據,兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04
242 一、概述 FSC-BW256B模塊采用的是業界領先的WIFI6 / BT5.4雙模高性能SOC芯片。它支持WIFI6標準和低功耗。此外,FSC-BW256B集成了一個CortexM4F CPU,其
2025-12-11 11:39:22
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電子發燒友網綜合報道 據路透社、彭博社等媒體報道,美國總統特朗普在當地時間8日在社交媒體上發文宣布,美國政府將允許英偉達向中國出售其H200人工智能芯片,條件是美國政府可從銷售額中抽取25%的分成
2025-12-10 11:07:00
692 據最新消息,美國總統特朗普已批準英偉達向中國出口其H200人工智能芯片,但要求從銷售額中抽取25%作為分成。這意味著英偉達在游說美國政府放寬對華芯片出口限制方面,取得了關鍵進展。
此次批準被視為
2025-12-09 17:58:20
1274 特朗普允許英偉達對華出口H200芯片,但要抽成25% 12月8日,美國總統特朗普宣布,將允許英偉達對華出口其H200人工智能(AI)芯片。 ? 該決定有附帶條件,包括保障美國所謂“國家安全”,且
2025-12-09 11:00:05
933 MR-16LED燈專用LED降壓型恒流驅動器H5441B方案調光高輝度65536級
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅動芯片,適配非隔離式 LED 驅動場景,輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
安森美 (onsemi) N24C256X 256Kb^I2C^CMOS串行電子擦除可編程只讀存儲器采用低功耗CMOS技術,內部組織為32.768字,每字8位。此電子擦除可編程只讀存儲器支持標準
2025-11-22 17:31:20
1624 
在嵌入式存儲應用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表,Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41
146 的LED點陣驅動芯片,其核心優勢包括:1. 精細調光:256級灰度 + 32級整體電流調節。2. 簡化布線:兩線串行接口支持級聯控制。3. 高可靠性:內置消隱與保護電路,避免顯示異常。
2025-11-17 09:34:11
在需要高速數據讀寫與高可靠性的現代電子系統中,傳統存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片,以其獨特的磁阻存儲技術,為工業控制、汽車
2025-11-13 11:23:46
210 H5462A 作為一款多功能 LED 恒流驅動芯片,憑借外圍電路簡潔的核心優勢,廣泛適配于 5-48V 電壓區間的非隔離式恒流 LED 驅動場景。該芯片在控制技術上采用平均電流模式,能夠實現
2025-11-11 09:23:03
H5432A 是一款外圍電路設計簡潔的多功能平均電流型 LED 恒流驅動芯片,適配 5-30V 電壓范圍,可應用于非隔離式大功率 LED 恒流驅動場景。
核心功能特性
內置功率開關管與平均電流檢測
2025-11-10 10:51:09
25KHz
? 調光深度可達0.1%
? 可做多路共陽極輸出,抗干擾強
? 帶過熱保護功能
? 帶輸出短路保護功能
典型應用
? 智能調光照明
? 電瓶車照明,汽車照明
? LCD背光驅動及洗墻燈
? 景觀LED點光源
? 商業照明
? 建筑照明
? 強光手電筒,警示燈
? MR-16LED燈
2025-11-07 11:28:19
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片,基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建,這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統SRAM
2025-11-05 15:31:48
285 在當今對數據持久性與系統可靠性要求極高的企業基礎設施和數據中心中,Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨特的技術優勢,成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28
280 配置特征
數據模式和命令模式指令
三種數據訪問模式
提供VLCD管腳用于調整LCD操作電壓
封裝形式:SSOP48、LQFP44、SOP16
三 典型應用電路
此芯片適用于低功耗嵌入式顯示設備(如儀表、手持設備),結合靈活的軟件配置可顯著簡化硬件設計。
2025-11-03 10:09:21
。本文結合該企業生產實際,詳細闡述自動上料機的生產工藝需求,深入分析MR30分布式IO的應用方式,并通過實際數據驗證其應用成效。 本期案例使用的產品:MR30-32DI、MR30-32DO、MR30-16AI-I4W、MR30-TM-2CNT?. 工藝概述? 本次應用場景中的自動上料機
2025-10-30 14:05:17
183 
脈寬波形,當 PWM 端口為高電平時,芯片處于正常工作狀態,為低電平時,芯片輸出關閉。
H5412B 采用 SOP-8 封裝形式。
特征
? 內置100V高壓MOS
? 寬壓5V-85V輸入范圍
2025-10-28 14:31:25
電子發燒友網站提供《ST17H66藍牙芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
2025-10-27 16:54:48
0 在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達35
2025-10-24 16:36:03
532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數據,同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一,是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 作為磁阻存儲器領域的重要分支,SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計,正成為高性能MRAM研發的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層,通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉,從而實現高效、可控的數據寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24
338 MX25L25645GM2I-08G是旺宏電子推出的256Mb大容量SPI NOR Flash存儲芯片,工作電壓2.7V–3.6V,支持最高133MHz時鐘頻率與芯片內執行(XIP),具有工業級溫度
2025-10-24 09:55:00
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重磅上新!! 功耗0.1uA的LoRaWAN 模組來了 安信可LoRaWAN系列Ra-09/Ra-09H模組發布 產品特征 1、Ra-09/Ra-09H 模組是安信可科技與ST深度合作、共同研發
2025-10-23 10:20:14
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產品概述 在智能化時代,每一臺設備背后都有一顆"數據心臟"在默默運轉。XT25Q128F 是 XTX 公司推出的一款高性能 128Mbit (16MB) 串行 NOR Flash 存儲器,專為嵌入式
2025-10-20 08:29:59
660 為進一步滿足芯片測試設備在集成化、便攜性與高密度布板方面的需求,季豐電子對 DM256 桌面型256通道驅動器進行了全面升級。本次升級最顯著的改進,是設備體積的顯著減小,在保持原有強大功能的基礎上,進一步優化結構設計,使其更適配緊湊型工作環境。
2025-10-17 15:13:52
1361 一、產品概述:WT2003H系列MP3錄音芯片的技術優勢1.1芯片定位與市場價值廣州唯創電子作為國內領先的語音IC廠家,推出的WT2003H系列MP3音頻芯片集高精度信號處理和強大驅動能力于一體。該
2025-10-16 09:03:12
321 
雙通道H橋驅動芯片通過獨立控制兩個H橋電路實現電機的獨立驅動或同步控制。
2025-10-15 09:54:02
420 
在實驗野火開發部STM32H743時,配置了QSPI驅動W25Q256JV,初始化成功,但后續都失敗了,如圖1
我的配置過程如下,
1、使用了CubMX,如下圖
2、CubMX生成了代碼
3
2025-10-14 07:14:27
華邦W25Q128JVSIM作為常用的128Mbit SPI NOR Flash芯片,其兼容替代方案兆易創新GD25Q128ESIGR已獲得批量客戶的認可及使用。
2025-10-13 09:33:00
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完整的戶外拉桿音箱方案,內置H6922非同步升壓控制IC,具備響應迅速、好用便攜、音響聲亮等特點,滿足不同功率需求。
一、拉桿音箱概述
拉桿音箱通常為一種帶有拉桿和輪子的無線音箱,由于拖拉方便,易于
2025-10-10 09:38:04
Microchip Technology 25CS640 64Kb SPI串行EEPROM利用串行外設接口(SPI)兼容總線提供64Kb串行EEPROM。該器件的結構為8192字節,每個8位(8Kb
2025-09-30 14:57:09
641 
RT-Thread支持STM32H723VG芯片嗎,我現在的工程是裸板工程,芯片是STM32H723VG的芯片,在構建工程時中找不到對應的芯片
2025-09-22 06:57:47
芯朋微代理商acdc非隔離電源芯片PN8052H 一、概述 PN8052H非隔離電源芯片集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極
2025-09-16 13:47:56
梳理三款芯片的關鍵特性與選型策略。一、芯片核心特性概述1.H6922類型:同步升壓(內置MOSFET)輸入電壓:2.4-4.5V(單節鋰電池)輸出能力:5V/2A(
2025-09-11 14:29:46
562 
SFUD操作w25q256,無法正常讀寫,但是若用裸機對W25Q256執行一次寫入后就能正常操作了,這個是什么原因呢?使用的是QSPI操作
這個是上電后的記錄圖片
執行sf操作讀寫的記錄
2025-09-11 06:45:11
H6922、H6392、H6431升壓芯片能有效解決這些問題。H6922可升壓,通過智能PWM控制穩定輸出5V甚至更高電壓(最高5.3V),還能依溫度調節電流電壓,有欠壓、過流、短路等保護
2025-09-09 11:51:14
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H6118降壓恒流芯片規格書
2025-09-08 14:59:23
1 氧化鋁是生產金屬鋁的核心原料,廣泛用于陶瓷、耐火材料、催化劑等領域。其生產工藝以拜耳法為主,具體分為溶出、凈化、分解、焙燒、堿回收五大環節。MR30分布式IO配合西門子PLC,運行穩定可靠,助力
2025-09-05 11:30:00
499 某裝備制造企業主要從事自動化焊割、涂裝生產線的設計與制造,其中涂裝生產線涉及噴砂、噴漆、熱處理、廢氣處理等工藝。明達技術的MR30系列分布式I/O,性能穩定,易上手,方便接線,助力企業提升產品
2025-08-27 15:38:19
481 
本文聚焦 MR20 一體式 IO 在光伏制絨設備中的應用展開探討。首先對光伏制絨工藝進行概述,明確其關鍵環節與要求,隨后詳細闡述 MR20 一體式 IO 的應用方式,包括系統架構、信號處理及設備控制
2025-08-13 11:37:06
775 
P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM(電可擦除可編程存儲器)設備。它包含一個256Kbits (32Kbytes)的內存陣列,每頁64bytes。
2025-08-08 17:05:23
1815 
? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)-P24C512H ? 產品介紹 ? ?產品概述: ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM(電可擦除可編程存儲器)設備。它包含
2025-08-07 10:06:53
1002 
采樣器 (CDS) 和256:2模擬多路復用器。該器件還具有兩個16位逐次逼近寄存器 (SAR) 模數轉換器 (ADC)。來自ADC的串行數據采用低壓差分信令 (LVDS) 格式。
2025-08-05 09:20:16
849 
大電力測試、研發使用。差分探頭輸出標本是設計在操作示波器1MΩ的輸入阻抗的相對衰減量,當使用50Ω匹配器時衰減量剛好為2倍量 DP-25面板介紹 操作步驟 將附件BP-356N與BP-256N(或
2025-07-21 17:22:45
606 
增強了AP8000系列設備對芯片的兼容能力。 W25X05CLSN(512K位)串行閃存存儲器為空間、引腳和電源受限的系統提供了存儲解決方案。W25X05CLSN所具備的靈活性和性能,遠遠超越了普通的串行閃存設備。它們非常適合代碼下載應用,也可用于存儲語音、文本和數據。
2025-06-30 13:43:06
603 
LFE5U-25F-7BG256I,LATTICE(萊迪思),FPGA器件 LFE5U-25F-7BG256I,LATTICE(萊迪思),危芯練戲:依叭溜溜寺山寺依武叭武ECP5
2025-06-26 10:43:51
、MT29F64G08CBAAAWP:A、 MT29F64G08CBABAWP:B 、MT29F128G08CFAAAWP:A 、MT29F256G08CJAAAWP:A、
MT47H128M8CF-25EIT、MT47H128M8CF-25E:H、 MT41J128M16HA-15E:D 、MT41J256M8HX-15E:D等
2025-06-26 09:52:33
芯茂微一級代理,粵華信科技供應 LP35118H 外置MOS同步整流芯片概述LP35118H 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控制芯片,適用于 AC-DC 的同步整流應用,適用于正激系統
2025-06-23 14:33:23
最近用STM32H7B0 QSPI調試華邦的W25Q128JV Flash,調了一個多星期都沒搞定,現在的問題是連讀ID都讀不出來。
從代碼,到硬件,到芯片,各方面都已經反復確認,都沒有發現問題
2025-06-19 06:20:18
同一套電源芯片方案,可直接應用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節省成本,更是大大縮短了開發時間,使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B,輸出可選5V、9V、12V,注重空間布局和兼容性問題,通過了認證測試,低耗高效,值得推薦!
2025-06-16 15:40:17
1592 新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅動器
2025-06-12 17:33:23
1062 
RT-Thread支持STM32H723VG芯片嗎,我現在的工程是裸板工程,芯片是STM32H723VG的芯片,在構建工程時中找不到對應的芯片
2025-06-11 08:28:34
在智能硬件開發中,語音芯片的控制方式直接影響設備的功能設計與用戶體驗。廣州唯創電子WT2003H系列語音芯片憑借其多樣化的控制接口和靈活的交互設計,成為工業設備、智能家居及新能源汽車等領域的優選方案
2025-05-28 09:08:34
601 
近期,芯片燒錄領域的領導者昂科技術推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發布之際,公司同步宣布新增多款兼容芯片型號,其中包括旺宏電子開發的MX25U51245G串行NOR閃存存儲器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37
619 
(SHA-256)的質詢-響應安全認證功能和4Kb用戶可編程EPROM。附加安全存儲器保存SHA-256操作密鑰。每款器件帶有唯一的64位ROM注冊碼(ROM ID),由工廠刻入芯片。DS28E25所
2025-05-14 13:57:05
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全志科技機器人專用芯片MR527是八核高性能機器人專用芯片; MR527系列芯片集成了8核Arm??Cortex?-A55 CPU、NPU、-GPU、MCU等多個高性能計算單元,具有強大的硬件編碼
2025-04-24 14:58:26
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芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中,恒爍半導體(Zbit)推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備
2025-04-09 15:22:11
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電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA25-220S26V5H2D4相關產品參數、數據手冊,更有FA25-220S26V5H2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-03-24 18:42:34

電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600D24H1N4相關產品參數、數據手冊,更有BK25-600D24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,BK25-600D24H1N4真值表,BK25-600D24H1N4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:59

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2025-03-24 18:41:33

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2025-03-24 18:40:57

TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 均為四通道比較器,可提供低輸入失調電壓和出色的速度功率比組合,且傳播延遲為 100ns。工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V,每個通道的靜態電源電流為 25μA。
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1803 超低待機功耗的交直流轉換電源管理芯片-PN6360H 一、概述PN6360H電源管理芯片集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件精簡的非隔離開關電源,輸出
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2025-02-20 18:07:18
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2025-02-10 20:58:13
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
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2025-01-22 10:43:28
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